公开(公告)号：KR1020130098156A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020127029950

申请日：2011-11-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 GaN계 막의 제조 방법은, 주면(11m)내의 열팽창계수가 GaN 결정의 a축 방향의 열팽창계수에 비교해서 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 단결정막(13)이 단결정막(13)의 주면(13m)에 수직인 축에 대하여 3회 대칭성을 갖는 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 복합 기판(10)에 있어서의 단결정막(13)의 주면(13m)상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정을 포함한다. 이로써, 주면의 면적이 크고 휘어짐이 작은 GaN계 막을 제조하는 것이 가능한 GaN계 막의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR100161596B1

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019950035453

申请日：1995-10-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시무라마사시 ,  사토타케시 ,  야마구치아키라 ,  야마카와아키라

IPC: C04B35/587

CPC classification number: C04B35/584

Abstract: 질화규소계소결체의 제조방법은, 해당소결체의 가공소재를 그 내부마찰이 특이피크의 최대치를 보이는 -150℃∼+150℃의 온도범위내에서 열처리하는 방법으로 이루어진다. 본 발명에 이용되는 대표예는, 회토류원소와 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택한 적어도 1종의 5∼15중량%(산화물 환산), Mg, Ti, Ca로 이루어진 군에서 선택한 적어도 1종의 0.5∼5중량%(산화물 환산), 및 잔부 Si
3 N
4 로 구성된 혼합분말을 얻기 위해 질화규소분말을 소결조제분말과 혼합하고, 성형하여 얻은 성형체를 질소함유분위기중에서 1500∼1700℃에서 연결하는 것에 의해 제조하는 방법이다.

公开(公告)号：KR100117635B1

公开(公告)日：1997-07-04

申请号：KR1019930026821

申请日：1993-12-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시무라마사시 ,  야마모토타케히사 ,  야마기타신이치 ,  마쯔이진주 ,  야마카와아키라

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/584

公开(公告)号：KR1019960706459A

公开(公告)日：1996-12-09

申请号：KR1019960702898

申请日：1995-10-04

Applicant: 코교기주 쯔인 ,  스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 콘도나오키 ,  와카이후미히로 ,  오바타요시히로 ,  야마카와아키라 ,  니시오카타카오 ,  요시무라마사시

IPC: C04B35/587 ,  B28B1/00 ,  C04B35/599

Abstract: 질화규소 및 사이아론계 소결체에 대해서, 복합재료로 하는 일없이 단일 그대로, 초소성을 이용해서 성형하는 방법 및 그 방법에 의해 성형된 소결체를 제공한다.
소결체의 2차원 단면에 있어서의 50㎛길이에 대한 결정입자의 선밀도가 120∼250, 상대밀도가 95% 이상의 질화규소 및 사이아론계 소결체를, 1300∼1700℃의 온도에서 인장 또는 압축의 압력하에 10
-1 /초 이하의 변형속도로 소성변형시켜서 성형한다. 성형후의 소결체는, 배향도가 Saltykov이 정의한 수법에 의해 5∼80% 및 선밀도가 80∼200이며, 특히 상온에 있어서 뛰어난 기계적 특성을 가진다.

公开(公告)号：KR1020170048402A

公开(公告)日：2017-05-08

申请号：KR1020177006729

申请日：2015-08-28

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 게시게이이치로 ,  나카야마시게루 ,  요시무라마사시

IPC: C04B35/443 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C04B35/443 ,  G02F1/1333

Abstract: 우수한강도를가지면서제조비용이억제된, 곡면을포함하는형상을갖는액정보호판및 그액정보호판의제조방법을제공한다. 스피넬소결체로형성되는액정보호판으로서, 상기스피넬소결체는평균입경이 10 ㎛이상 100 ㎛이하이며, 상기액정보호판은곡면을포함하는형상을가진다.

Abstract translation: 本发明提供一种抑制制造成本的同时具有强度优异的曲面形状的液晶屏蔽罩及其制造方法。 其中，尖晶石烧结体的平均粒径为10μm以上且100μm以下，并且液晶保护板具有包括曲面的形状。

公开(公告)号：KR1020140074142A

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020127030485

申请日：2011-12-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C03C10/0018 ,  C04B35/106 ,  C04B35/16 ,  C04B35/185 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/9607 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: GaN계 막의 제조 방법은, 불화수소산에 용해되는 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 지지 기판(11)의 주면(11m) 내의 열팽창 계수가, GaN 결정의 열팽창 계수와 비교해서, 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)의 주면(13m) 상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정과, 지지 기판(11)을, 불화수소산에 용해함으로써 제거하는 공정을 포함한다. 이에 따라, 주면의 면적이 크고 휨이 작고 결정성이 양호한 GaN계 막이 효율적으로 얻어지는 GaN계 막의 제조 방법 및 그것에 이용되는 복합 기판이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020070001261A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：KR1020067023021

申请日：2005-03-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  모리 유스케

Inventor： 사사키타카토모 ,  모리유스케 ,  요시무라마사시 ,  가와무라휴미오 ,  히로타류 ,  나카하타세이지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B9/08 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/06 ,  C30B29/403

Abstract: A method for producing a group III nitride crystal substrate comprising a step for introducing an alkali metal element-containing substance (1), a group III element-containing substance (2) and a nitrogen element-containing substance (3) into a reaction container (51), a step for forming a melt (5) containing at least an alkali metal element, group III element and nitrogen element in the reaction container (51), and a step for growing a group III nitride crystal (6) from the melt (5) is characterized in that the alkali metal element-containing substance (1) is handled within a dry container (100) wherein the moisture concentration is controlled to 1.0 ppm or less at least during the step wherein the alkali metal element-containing substance (1) is introduced into the reaction container (51). Consequently, there can be obtained a group III nitride crystal substrate having a small light absorption coefficient. Also disclosed is a group III nitride semiconductor device. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种制造III族氮化物晶体基板的方法，包括将含碱金属元素的物质（1），含III族元素的物质（2）和含氮元素的物质（3）引入到反应容器 （51），在反应容器（51）中形成至少含有碱金属元素，III族元素和氮元素的熔融物（5）的工序，以及从所述反应容器（51）中生长III族氮化物晶体（6）的工序 熔融物（5）的特征在于，含碱金属元素的物质（1）在其中将水分浓度控制在1.0ppm以下的干燥容器（100）内进行处理，至少在其中含有碱金属元素的物质 将物质（1）引入反应容器（51）中。 因此，可以获得具有小的光吸收系数的III族氮化物晶体基板。 还公开了III族氮化物半导体器件。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1019970001266B1

公开(公告)日：1997-02-04

申请号：KR1019930026821

申请日：1993-12-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시무라마사시 ,  야마모토타케히사 ,  야마기타신이치 ,  마쯔이진주 ,  야마카와아키라

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/584

CPC classification number: C04B35/5935

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019950025004A

公开(公告)日：1995-09-15

申请号：KR1019950002302

申请日：1995-02-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시무라마사시 ,  야마모토타케히사 ,  니시오카타카오 ,  키무라아쯔시 ,  야마카와아키라

IPC: C04B35/584

Abstract: 질화규소 및/또는 사이알론을 85중량%이상 함유하고 상대밀도가 98%이상인 질화규소게 소결체에 있어서, 상기 소결체의 2차원단면상에서 측정한 질화규소 및/또는 사이알론입자의 최장직경이 5㎛미만이고, 최장직경이 0.7㎛이하인 입자가 모든 입자의 전체입자면적의 40∼70%를 점유하는 것을 특징으로 한다. 또, 4A족원소의 질화물을 중성분으로 하는 화합물로 이루어진 크기 500nm이하의 미립자가 상기 소결체증에 분산되어 있어도 된다. 또한 질화규소게 소결체는, 소정의 재료분말을 혼합하고, 이 혼합물을 성형한 후, 이 성형체를, 그 결과 얻어지는 소결체에 있어서 상대밀도가 98%이상이 되도록 소정조건하에서 1차 및 2차소결을 행함으로서 제조할 수 있다.