公开(公告)号：KR102061501B1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：KR1020180058386

申请日：2018-05-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성근 ,  편정준 ,  김상태 ,  송현철 ,  백승협 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR102020269B1

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：KR1020170133222

申请日：2017-10-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  김진상 ,  최지원 ,  백승협 ,  김성근 ,  김상태 ,  송현철 ,  정인기 ,  신윤환

IPC: H02N2/18 ,  H01L41/113

公开(公告)号：KR102226125B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190078603

申请日：2019-07-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상태 ,  송현철 ,  백승협 ,  최지원 ,  김진상 ,  강종윤 ,  김성근

IPC: H01G11/46 ,  H01G11/86

Abstract: 전극막의제조방법및 이를이용하는커패시터의제조방법을제공한다. 전극막제조방법은, 기판상에주석전구체및 산소소스를순차적으로제공하는제1 서브사이클(first sub-cycle)을수행하고, 제1 서브사이클을수행한기판상으로주석전구체, 탄탈륨전구체, 및산소소스를순차적으로제공하는제2 서브사이클을수행하고, 제1 서브사이클및 제2 서브사이클이하나의사이클(cycle)을구성하며, 사이클을반복수행하여, 기판상에탄탈륨이도핑된주석산화막을형성하는것을포함한다. 탄탈륨이도핑된주석산화막내 탄탈륨농도는제2 서브사이클에서제공되는주석전구체에의해결정된다.

公开(公告)号：KR1020200086951A

公开(公告)日：2020-07-20

申请号：KR1020190003371

申请日：2019-01-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송현철 ,  강종윤 ,  김상태

IPC: H02N2/18 ,  H01L41/113 ,  H01L41/12 ,  H01L41/047 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193

公开(公告)号：KR102111754B1

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：KR1020180115949

申请日：2018-09-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성근 ,  백인환 ,  송현철 ,  김상태 ,  백승협 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  B05D1/18 ,  B05D1/00 ,  B05D7/24

公开(公告)号：KR102084608B1

公开(公告)日：2020-03-04

申请号：KR1020180047915

申请日：2018-04-25

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  기초과학연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 김성근 ,  이우철 ,  김상태 ,  송현철 ,  백승협 ,  최지원 ,  김진상 ,  강종윤 ,  크리스토퍼빌라브스키 ,  염정환 ,  에릭라슨

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/762

公开(公告)号：KR102029999B1

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：KR1020170145347

申请日：2017-11-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백승협 ,  김진상 ,  김상태 ,  김성근 ,  강종윤 ,  최지원 ,  정성진

IPC: B22F3/00 ,  B22F3/03 ,  B22F3/20 ,  B22F1/00 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

公开(公告)号：KR101973944B1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：KR1020170088312

申请日：2017-07-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  김진상 ,  최지원 ,  백승협 ,  김성근 ,  김상태 ,  정인기 ,  신윤환

IPC: H01L41/25 ,  H01L41/047 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193 ,  H01L41/04

公开(公告)号：KR101892632B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020170030046

申请日：2017-03-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 조철진 ,  김상태 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01L28/65

Abstract: 실시예들은하부전극, 상기하부전극상에형성되는유전체층및 상기유전체층상에형성되는상부전극을포함하되, 상기하부전극또는상부전극은백금족산화물과주석산화물의화합물을포함하는, 백금족산화물과주석산화물의화합물을갖는반도체메모리소자및 그제조방법에관련된다.

公开(公告)号：KR1019950004198B1

公开(公告)日：1995-04-27

申请号：KR1019920015242

申请日：1992-08-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 안광덕 ,  강종희 ,  박영철 ,  김성주 ,  김상태

IPC: G03F7/004

Abstract: The three component photosensitive resin compsn. used in the formation of a micropattern for the mfr of semiconductor devices is composed of 100 wt. pts. of an alkali-soluble resin i.e. novolac resin contg. an aromatic ring, 5˜40 wt. pts. of a phosphagen cpd. of formula (I) [R=-COO(CCH3)3; x=3 or 4 protected with a t-butoxy carbonyl (t-BOC) gp. as a disslution inhibitor, and 1˜20 wt. pts. of an onium salt of formula ArnX+Y- [Ar=aromatic hydrocarbon gp.; n=1˜3; X=halogen or S; Y=BF4, PF6, AsF6, SbF6, CF3 or SO3 , an organic sulfonic ester or a pyrogallol sulfonic ester cpd. as a photoacid generator.

Abstract translation: 三组分感光树脂组合物。 用于半导体器件制造的微图案的形成由100重量％ 点。 的碱溶性树脂，即酚醛清漆树脂。 芳香环，5〜40重量％ 点。 的磷酸酯cpd。 的式（I）[R = -COO（CCH 3）3; x = 3或4用叔丁氧基羰基（t-BOC）gp保护。 作为消毒抑制剂，和1〜20重量％ 点。 的式ArnX + Y- [Ar =芳烃gp; N = 1〜3; X =卤素或S; Y = BF 4，PF 6，AsF 6，SbF 6，CF 3或SO 3，有机磺酸酯或连苯三酚磺酸酯cpd。 作为光致酸发生器。