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公开(公告)号：KR101959378B1
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：KR1020160109437
申请日：2016-08-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/8252 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR101867378B1
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：KR1020160100097
申请日：2016-08-05
IPC: H01G4/12 , C04B35/468 , H01G4/30 , H01G13/00
Abstract: 본발명은기판을준비하는단계, 기판의상부에하부금속층을형성하는단계, 하부금속층의상부에 BSTO층을형성하는단계, 및 BSTO층의상부에상부금속층을형성하는단계를포함하는 BSTO 유전체를갖는축전지의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101495600B1
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：KR1020130020335
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02P80/11
Abstract: 본 발명에 따르면, 전기 기기의 대기전력 유무를 확인하는 대기전력 유무 확인부; 상기 전기 기기의 식별 번호 및 상기 대기전력 유무 확인부에 따른 대기전력 유무 정보를 기초로 하여, 발광부의 구동 신호를 생성하는 발광구동제어부; 및 상기 발광구동제어부의 제어에 따라 발광하는 발광부;를 구비한 발광장치를 제공한다.
또한, 상술한 발광장치의 상기 발광부의 빛을 센싱하는 광센서; 상기 광센서의 출력에 기초하여, 상기 전기 기기의 식별 번호 및 상기 대기전력 유무 정보를 읽어 내는 정보 추출부; 및 상기 정보 추출부가 읽어 낸 정보를 표시하는 디스플레이부;를 포함한 대기전력 관리장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020140108392A
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020130020335
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02P80/11 , H05B37/02 , H02J9/00 , H05B33/0815 , H05B37/0218
Abstract: According to the present invention, provided is a light emitting device which includes a standby power state checking unit which checks the standby power state of an electric device; a light emitting driving control unit which generates a driving signal of a light emitting unit based on the standby power state information from the standby power state checking unit and the identification number of the electric device; and the light emitting unit which emits light according to the control of the light emitting driving control unit. Also, provided is a standby power managing apparatus which includes an optical sensor which senses the light of the light emitting unit of the light emitting device; an information extracting unit which reads the standby power state information and the identification number of the electric device based on the output of the optical sensor; and a display unit which displays the information read by the information extracting unit.
Abstract translation: 根据本发明，提供了一种发光装置，其包括：备用电源状态检查单元，其检查电气设备的待机电力状态; 发光驱动控制单元，其基于来自待机电力状态检查单元的待机功率状态信息和电气设备的识别号码生成发光单元的驱动信号; 以及根据发光驱动控制单元的控制发光的发光单元。 此外，提供了备用电源管理装置，其包括感测发光装置的发光单元的光的光学传感器; 信息提取单元，其基于所述光学传感器的输出读取所述待机功率状态信息和所述电气设备的识别号码; 以及显示单元，显示由信息提取单元读取的信息。
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公开(公告)号：KR1020130084897A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120005832
申请日：2012-01-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: An underwater communication apparatus and a method thereof are provided to transmit data without distortion using the light with a wavelength of 450-500 nm. CONSTITUTION: A current control unit (120) converts first data to be transmitted to an external device into first current. An optical transmitter (110) transmits the light with a wavelength of 450-500 nm into the external device. The light corresponds to the converted first current. The first data includes one or more data among image data, voice data, and text data. A data transmitter transmits the first data to the current control unit. The data transmitter comprises one or more among a mike, a camera, a text input device, a body information collection device, and an environmental information collection device. [Reference numerals] (110) Optical transmitter; (120) Current control unit
Abstract translation: 目的：提供水下通信装置及其方法，使用波长为450-500nm的光来传输数据而不失真。 构成：电流控制单元（120）将要发送到外部设备的第一数据转换为第一电流。 光发射器（110）将波长为450-500nm的光透射到外部设备中。 光对应于转换的第一电流。 第一数据包括图像数据，语音数据和文本数据中的一个或多个数据。 数据发送器将第一数据发送到当前控制单元。 数据发送器包括麦克风，照相机，文本输入装置，身体信息收集装置和环境信息收集装置中的一个或多个。 （附图标记）（110）光发射机; （120）电流控制单元
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101192335B1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020110045840
申请日：2011-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F9/455
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/5009 , G06F2217/16 , G06T13/20 , G06T13/80
Abstract: PURPOSE: A fluid simulation method and a recording medium performing the same are provided to increase a degree which velocity momentum is satisfied, thereby overcoming instability of a lattice Boltzmann model. CONSTITUTION: Space in which fluid flows is become dioxide by a lattice of a regular interval(S10). It assumes that particles of the fluid repetitively move and collide on the lattice(S20). Maxwell-Boltzmann distribution is compared with n-th velocity momentum of Maxwell-Boltzmann distribution with dioxide. A linear polynomial equation is induced(S30). A weight coefficient corresponding to a discrete velocity of the particles of the fluid is calculated(S40). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Step for becoming dioxide for a space which fluid flows as a lattice of a regular interval; (S20) Step for assuming that particles of the fluid repetitively move and collide on the lattice; (S30) Step for inducing a linear polynomial equation by comparing Maxwell-Boltzmann distribution and n-th velocity momentum of the Maxwell-Boltzmann distribution with dioxide; (S40) Step for calculating a weight coefficient corresponding to a discrete velocity of the particles of the fluid based on the linear polynomial equation; (S50) Step for drawing a lattice Boltzmann model by using the weight coefficient
Abstract translation: 目的：提供流体模拟方法和执行该流体模拟方法的记录介质以增加满足速度动量的程度，从而克服格子波尔兹曼模型的不稳定性。 构成：流体流动的空间通过规则间隔的格子变成二氧化物（S10）。 它假定流体的颗粒重复地移动并碰撞在格子上（S20）。 麦克斯韦 - 波尔兹曼分布与麦克斯韦 - 波尔兹曼分布与二氧化碳的第n速度动量进行比较。 诱导线性多项式方程（S30）。 计算对应于流体颗粒的离散速度的重量系数（S40）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）流体作为规则间隔的格子流动的空间的二氧化物的步骤; （S20）假设流体的粒子重复地移动并碰撞在格子上的步骤; （S30）通过将Maxwell-Boltzmann分布的麦克斯韦 - 玻尔兹曼分布和第n速度动量与二氧化物进行比较来诱导线性多项式方程的步骤; （S40）基于线性多项式方程计算与流体粒子的离散速度对应的权重系数的步骤; （S50）使用权重系数绘制格子波尔兹曼模型的步骤
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公开(公告)号：KR101134568B1
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020100036773
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L21/205
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계; 2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계; 3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101084020B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100046364
申请日：2010-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/82 , G11C11/16 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/18 , Y10S257/902
Abstract: PURPOSE: A spin transistor using a dual charge supply layer structure is provided to efficiently control the precession of a spin injected to a channel layer by increasing the potential gradient of a channel. CONSTITUTION: A top cladding layer(2') and a bottom cladding layer(2) are formed with a dual cladding layer composed of an undoped InGaAs layer and an InAlAs layer. A second charge supply layer(4') is arranged on the top cladding layer. An InAs channel layer(1) forms a quantum well by an energy barrier of the top cladding layer and the bottom cladding layer. A buffer layer(5) reduces lattice mismatch between a semi-insulation InP substrate(9) and a first charge supply layer(4). An InAs capping layer(8) prevents the oxidation and denaturalization of a semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供使用双电荷供应层结构的自旋晶体管，以通过增加通道的电位梯度来有效地控制注入到沟道层的自旋的进动。 构成：由未掺杂的InGaAs层和InAlAs层构成的双层包层形成上覆层（2'）和下覆层（2）。 第二电荷供给层（4'）布置在顶部包层上。 InAs沟道层（1）通过顶部覆层和底部包层的能量势垒形成量子阱。 缓冲层（5）减少半绝缘InP衬底（9）和第一电荷供应层（4）之间的晶格失配。 InAs覆盖层（8）防止半导体的氧化和变性。
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公开(公告)号：KR1020110055116A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090112005
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: PURPOSE: An InSb based switching device and a manufacturing method thereof are provided to increase degree of freedom in a design by selecting the direction of magnetic conduction variation according to the variation of a magnetic field and an applied voltage in a single device. CONSTITUTION: A switching device includes a p type semiconductor(65) and an n type semiconductor(64). The p type semiconductor operates to form a first hall electric field in another direction when a magnetic field is vertically or horizontally applied. An n type semiconductor suppresses the first hall electric field by forming a second hall electric field in another direction according to the magnetic filed applied in the same direction as the p type semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供一种基于InSb的开关器件及其制造方法，以通过根据单个器件中的磁场和施加电压的变化选择磁导率变化的方向来增加设计中的自由度。 构成：开关器件包括p型半导体（65）和n型半导体（64）。 当磁场垂直或水平施加时，p型半导体工作以在另一个方向上形成第一霍尔电场。 n型半导体根据沿与p型半导体相同的方向施加的磁场，在另一方向形成第二霍尔电场来抑制第一霍尔电场。
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公开(公告)号：KR100695842B1
公开(公告)日：2007-03-19
申请号：KR1020050002871
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
Abstract: 본 발명은 양자점의 상·하에 비대칭적 반도체층들을 형성하여 광통신에 이용되는 1.3 내지 1.5 ㎛ 대역의 장파장을 얻을 수 있는, 양자점 상하에 비대칭 반도체 양자우물층을 구비하는 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판과, 기판 위에 형성되는 제 1 양자우물층과, 제 1 양자우물층 위에 형성되는 다수의 양자점과, 다수의 양자점을 덮으며 상기 제 1 양자우물층과 비대칭을 이루는 제 2 양자우물층을 포함하는 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 양자점 상하에 비대칭 반도체층을 형성시킴으로써, 밴드갭 구조가 이상적인 0차원 양자점에 근접하게 된다. 또한 바람직한 구체적인 실시예로서, InAs 양자점 및 InGaAs 양자우물을 GaAs 기판에 성장시킨 경우, 본 발명은 InGaAs 양자우물층의 두께가 종래보다 얇게 되어 다층의 InAs 양자점을 성장시킬 수 있고, 이로 인해 광 이득이 증가되어 소자를 동작시키기 위한 전력을 감소시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 광통신에 이용되는 1.3 ㎛ 대역 이상의 장파장을 GaAs 기판으로부터 얻을 수 있다.
반도체 양자점, InGaAs, InAs, 장파장, 양자우물, 비대칭, 격자 부정합
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