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公开(公告)号：KR1020100070022A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128611
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12011
Abstract: PURPOSE: An optical device chip is provided to improve the crosstalk properties of an arrayed waveguide grafting structure by reducing phase errors that result from changes in the width of an arrayed waveguide. CONSTITUTION: Arrayed waveguide grafting structures(AWG1,AWG2) each comprises an input star coupler, an output star coupler, and a plurality of arrayed waveguides. A plurality of arrayed waveguides optically interlinks the input star coupler and the output star coupler. Each arrayed waveguide includes at least one first phase and at least two second phases. The first phase has a confinement factor. The second phase has a low confinement factor. The first phases of the plurality of arrayed waveguides have the same structure.
Abstract translation: 目的：提供一种光学器件芯片，用于通过减少由阵列波导的宽度变化引起的相位误差来改善阵列波导接枝结构的串扰特性。 构成：阵列波导接枝结构（AWG1，AWG2）各自包括输入星形耦合器，输出星形耦合器和多个阵列波导。 多个阵列波导将输入星形耦合器和输出星形耦合器光学地相互连接。 每个阵列波导包括至少一个第一相和至少两个第二相。 第一阶段有约束因素。 第二阶段具有低限制因素。 多个阵列波导的第一相具有相同的结构。
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公开(公告)号：KR1020100064592A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020080123097
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A methods of an optical waveguide is provided to form a core and cladding by oxidizing an active region which is defined through the trench of a semiconductor substrate. CONSTITUTION: An active region is defined by forming a trench in a semiconductor substrate(100). An active region is partly oxidized. A core includes a part of the active region which is not oxidized. An optical signal passes a through core. A cladding includes a part of the active region which is oxidized. A capping semiconductor pattern is formed on the top side and the upper of the active region in partial oxidation process of the active region. The lower side of the active region is exposed by the capping semiconductor pattern. The cladding is formed by oxidizing the lower part and capping semiconductor pattern of the active region.
Abstract translation: 目的：提供光波导的方法以通过氧化通过半导体衬底的沟槽限定的有源区来形成芯和包层。 构成：通过在半导体衬底（100）中形成沟槽来限定有源区。 活性区被部分氧化。 核心包括一部分未被氧化的活性区域。 光信号通过芯。 包层包括被氧化的有源区的一部分。 在有源区的部分氧化过程中，在有源区的顶侧和上部形成封装半导体图案。 有源区的下侧由封盖半导体图案露出。 通过氧化活性区域的下部和封盖半导体图案形成包层。
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公开(公告)号：KR100842288B1
公开(公告)日：2008-06-30
申请号：KR1020060125065
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/3407 , H01S5/3416 , H01S5/3419 , H01S5/3422 , H01S5/34306
Abstract: 본 발명은 부밴드 천이 반도체 레이저(intersubband transition laser)에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성된 제 1 클래딩층, 활성영역 구조층 및 제 2 클래딩층을 포함하며, 활성영역 구조층이 반도체 브로큰 에너지 밴드갭(broken energy bandgap)을 가지는 양자우물층 및 양자장벽층들이 다수 반복 적층된 구조로 이루어져 활성영역 구조층 내에서 캐리어(carrier)들의 부밴드간 방사 천이 (intersubband radiative transition) 및 인터밴드 공진터널링(interband tunneling) 현상이 연속적이며, 반복적으로 일어 나는 cascade 모드로 작동하는 것을 특징으로 하는 인터밴드 공진터널링 부밴드 천이 반도체 레이저에 관한 것으로, 단순하고 컴팩트한 구조에서 고출력이 가능한 레이저 구조이다.
반도체 레이저, 부밴드 천이, 인터밴드 공진 터널링, 브로큰 밴드갭, 활성 영역-
公开(公告)号：KR101923730B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020120114259
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/3031 , G02B6/12004 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/3223 , Y10S438/933
Abstract: 반도체레이저및 그제조방법이제공된다. 반도체레이저의제조방법은, 매립산화층을포함하는기판을제공하는것; 상기매립산화층을식각하여상기기판을노출하는개구부를가지는패턴들을형성하는것; 상기개구부내에게르마늄단결정막을형성하는것; 및상기기판상에상기게르마늄단결정막에인접하는광 결합기를형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160089927A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009304
申请日：2015-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L31/022416 , H01L31/03529 , H01L31/1075 , H01L31/1808 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02027 , H01L31/18
Abstract: 본발명은광수신소자에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 기판, 상기기판의상부의제1 도핑영역, 상기기판내에제공되고, 상기제1 도핑영역을둘러싸고상기제1 도핑영역의측면과옆으로이격된링 구조의제2 도핑영역, 상기제1 도핑영역상의광 흡수층, 상기광 흡수층상의컨택층, 상기컨택층상의제1 전극, 및상기제2 도핑영역상의제2 전극을포함하는광 수신소자가제공될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光接收装置。 根据本发明的实施例，提供了一种光接收装置，其包括：基板; 在所述基板的上部的第一掺杂区域; 设置在所述衬底中的环结构的第二掺杂区域，被配置为围绕所述第一掺杂区域并且与所述第一掺杂区域的侧表面横向分离; 在第一掺杂区域上的光吸收层; 光吸收层上的接触层; 接触层上的第一电极; 和第二掺杂区上的第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140048463A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120114259
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/3031 , G02B6/12004 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/3223 , Y10S438/933
Abstract: A semiconductor laser and a method of manufacturing the same are provided. A method of manufacturing a semiconductor laser includes providing a substrate which includes a burying oxide layer; forming patterns having an opening part which exposes the substrate by etching the burying oxide layer; forming a Ge single crystal layer in the opening part; and forming an optical coupler which is adjacent to the Ge single crystal layer on the substrate.
Abstract translation: 提供半导体激光器及其制造方法。 制造半导体激光器的方法包括提供包括掩埋氧化物层的衬底; 形成具有通过蚀刻所述掩埋氧化物层而露出所述基板的开口部的图案; 在开口部分形成Ge单晶层; 以及形成与基板上的Ge单晶层相邻的光耦合器。
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公开(公告)号：KR101204335B1
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR1020080128611
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12011
Abstract: 적어도 두개의 배열 도파로 격자 구조체들을 구비하는 광 소자 칩이 제공된다. 광 소자 칩의 배열 도파로 격자 구조체들 각각은 입력 스타 커플러, 출력 스타 커플러 및 입력 및 출력 스타 커플러들을 광학적으로 연결하는 복수개의 배열 도파로들을 포함한다. 배열 도파로들 각각은 높은 한정 인수를 갖는 적어도 하나의 제 1 구간 및 낮은 한정 인수를 갖는 적어도 두개의 제 2 구간들을 포함하고, 배열 도파로들의 제 1 구간들은 동일한 구조를 갖도록 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020110027549A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020100066675
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An electro-optic modulating device is provided to form vertical PN junctions or vertical PIN junctions in an optical waveguide, thereby increasing a change of an effective refractive index during a device operation. CONSTITUTION: A semiconductor film(30) configuring an optical waveguide(WG) is arranged on a substrate(10). The optical waveguide comprises the first slab part(SP1), the second slab part(SP2), and a lip part(RP). The lip part includes a thickness thicker than the first and second slab parts. The first and second doping areas(D1,D2) are formed on the first and second slab parts respectively. A vertical doping area(50) configuring a vertical structure is formed in the lip part.
Abstract translation: 目的：提供电光调制装置以在光波导中形成垂直PN结或垂直PIN结，从而在器件操作期间增加有效折射率的变化。 构成：构成光波导（WG）的半导体膜（30）配置在基板（10）上。 光波导包括第一板坯部（SP1），第二板坯部（SP2）和唇部（RP）。 唇部包括比第一和第二板坯部分厚的厚度。 第一和第二掺杂区域（D1，D2）分别形成在第一和第二平板部件上。 在唇部形成垂直结构的垂直掺杂区域（50）。
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公开(公告)号：KR100937588B1
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：KR1020070132315
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N21/3504
Abstract: 가스 검출 장치 및 이를 이용한 가스 검출 방법이 제공된다. 상기 가스 검출 장치는 검출 챔버, 광 공급부, 광 검출부, 가스 공급부 및 제어부를 포함한다. 상기 광 공급부 및 상기 광 검출부는 상기 검출 챔버 양단에 배치된다. 상기 가스 공급부는 상기 검출 챔버에 가스를 제공한다. 상기 제어부는 상기 광 공급부 및 상기 광 검출부를 제어한다. 상기 광 공급부는 레이저 광을 제공하는 레이저 및 상기 레이저 광을 상기 검출 챔버에 반사하여 스캐닝하는 광 스캐너를 포함한다. 상기 제어부는 상기 광 검출부에 전기적으로 연결되는 위상민감 검출기를 포함한다.
가스 검출, 위상민감 검출기, 스캐닝, 진동-
公开(公告)号：KR1020080053094A
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：KR1020060125065
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/3407 , H01S5/3416 , H01S5/3419 , H01S5/3422 , H01S5/34306
Abstract: An interband tunneling intersubband transition semiconductor laser is provided to acquire a high output power with a low cost by having a simple structure having a little number of stacking. An interband tunneling intersubband transition semiconductor laser includes a first cladding layer(150a), an active region structure layer(110), a second cladding layer(150b), and electrodes(130a,130b). The active region structure layer is formed by repeatedly stacking a quantum well layer and a quantum wall layer. The quantum well layer and the quantum wall layer are a heterostructure having a broken bandgap energy, and implement an interband tunneling. The electrodes are formed on a lower part of a semiconductor substrate and an upper part of the cladding layer. When an electric power is applied to the electrodes, an interband resonant tunneling and a subband transition of a carrier in the active region structure layer are consecutively generated.
Abstract translation: 提供了一种带间隧穿带间过渡半导体激光器，通过具有少量堆叠的简单结构，以低成本获得高输出功率。 带间隧穿带间过渡半导体激光器包括第一包层（150a），有源区结构层（110），第二覆层（150b）和电极（130a，130b）。 有源区结构层通过重复堆叠量子阱层和量子壁层而形成。 量子阱层和量子壁层是具有断带能量断裂的异质结构，并实现了带间隧穿。 电极形成在半导体衬底的下部和包覆层的上部。 当对电极施加电力时，连续地产生有源区结构层中的载流子的带间谐振隧穿和子带转变。
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