Abstract:
본 발명의 실시 예에 따른 레이저 레이더 시스템은, 제 1 시야 범위의 복수 위치에 제 1 레이저 빔을 순차적으로 조사하고 반사광을 수신하는 제 1 송수신 유닛, 그리고 제 2 시야 범위의 복수 위치에 제 2 레이저 빔을 순차적으로 조사하고 반사광을 수신하는 제 2 송수신 유닛을 포함하되, 상기 제 1 송수신 유닛과 상기 제 2 송수신 유닛 각각은 탑재체에 고정되어 상기 제 1 시야 범위 및 상기 제 2 시야 범위에 대한 탐색을 독립적으로 수행한다.
Abstract:
적어도 두개의 배열 도파로 격자 구조체들을 구비하는 광 소자 칩이 제공된다. 광 소자 칩의 배열 도파로 격자 구조체들 각각은 입력 스타 커플러, 출력 스타 커플러 및 입력 및 출력 스타 커플러들을 광학적으로 연결하는 복수개의 배열 도파로들을 포함한다. 배열 도파로들 각각은 높은 한정 인수를 갖는 적어도 하나의 제 1 구간 및 낮은 한정 인수를 갖는 적어도 두개의 제 2 구간들을 포함하고, 배열 도파로들의 제 1 구간들은 동일한 구조를 갖도록 형성된다.
Abstract:
A photonics device is provided, which makes reduction of the size of device and broadening of the wave breadth of the output channel of the arrayed waveguide grating possible. A photonics device comprises the substrate(100), the bottom core layer(120), and upper core pattern(140). The substrate has the star coupler domain(SCR) and transition area(TR). The bottom core layer is formed in the top of the substrate. The upper core pattern is formed in the top of the substrate. The upper core pattern defines the wave guide. The transition area has the double layer core construction.
Abstract:
Provided is a mask pattern for selective area growth of a semiconductor layer and a selective area growth method for a semiconductor layer for independently controlling a growth rate and a strain of the semiconductor layer. The selective area growth method includes: forming a plurality of pairs of first mask patterns, the first mask patterns in each pair including a first open area therebetween, the first open area having a width that is wider than a distance causing overgrowth of the semiconductor layer, the pairs of the first mask patterns repeatedly arranged with a period P therebetween; wherein controlling a growth rate and a strain of the semiconductor layer formed on the first open area by adjusting the period P.
Abstract:
A mask pattern for a selective area growth of a semiconductor layer and a method for growing a selective area of the semiconductor layer using the same are provided to control the growth speed of the semiconductor layer by maintaining a width of an open region between mask patterns, widely. A width(22) of a first open region between a pair of first mask patterns(20) is greater than a distance of which an over growth of a semiconductor layer. A mask pattern includes the pair of first mask patterns and a second mask pattern(30) on a region except the first open region. The widths of the first open region and the second mask pattern are controlled, so that a growth speed and strain of a semiconductor layer which is formed on the first open region are independently controlled. The width of the first open region is increased so that a tension strain of a semiconductor layer to be formed in the first open region is increased.
Abstract:
본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링 장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다. 터널링 장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드
Abstract:
본 발명은 BH(Buried Heterostructure) 레이저에서 능동 도파로 밖으로 흐르는 누설전류를 차단하기 위하여 상부 클래드의 폭을 작게하여 저항값을 증가시킨다. 전류차단층에 걸리는 전압이 감소되어 누설전류가 차단됨으로써 주입된 전류에 대한 광 출력의 비가 향상된다. 본 발명은 반도체층을 형성한 후 도파로 중심으로부터 일정한 폭만 남기고 식각하여 상부 클래드를 형성한다. 식각에 의해 전극과 전류차단층이 아주 얇은 폭의 반도체층으로 연결되는데, 이 연결 부위는 큰 전기적 저항값을 가지므로 전류차단층에 걸리는 전압을 감소시킨다. 따라서 전류차단층으로 흐르는 누설전류를 억제시킬 수 있다. 소자의 제작을 용이하게 하기 위하여 p형 반도체층을 성장시키기 전에 아주 얇은 식각정지층을 형성함으로써 선택적 식각 방법을 이용하여 p형 반도체층을 원하는 폭으로 식각할 수 있다. BH, 레이저, 전류차단층, 메사 구조, 도파로, 누설전류
Abstract:
본 발명은 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 완충층, 활성층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 보호층 상에 소정의 폭을 가지는 제1 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 완충층이 노출되도록 상기 보호층 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 식각된 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 완충층의 일부분을 피복하여 상기 활성층 및 상기 보호층보다 넓은 폭을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크로 피복되지 않은 곳에만 선택적으로 제1 전류차단층 및 제2 전류차단층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 상기 결과물의 전체 상부면에 클래드층 및 콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 기술보다 추가적인 공정이 단순하여 전기적 특성의 향상뿐만 아니라 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 반도체 광소자, 선택적 성장, 전류차단층, 반절연성, p/n 동종접합면, 활성층, 마스크, 클래드층
Abstract:
리지형 반도체 레이저를 제공한다. 본 발명은 활성층 상에 형성되고, 그 내부에 전류 주입 경로를 조절할 수 있는 W1의 폭의 개구부를 갖는 전류 주입 경로 조절용 패턴과, 상기 전류 주입 조절용 패턴 상에, 상기 W1의 폭의 개구부를 매몰하면서 광모드를 조절할 수 있고 상기 W1보다 큰 W2의 폭을 갖는 리지가 형성되어 있다. 이상과 같은 본 발명의 리지형 반도체 레이저는 전류가 공간적으로 퍼지는 정도와 광모드가 공간적으로 퍼지는 정도를 따로 조절하여 전류와 광모드의 공간적 분포를 최대한 일치시킴으로써 리지형 반도체 레이저의 특성을 향상시킬 수 있다.