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公开(公告)号：KR1020110068041A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090124863
申请日：2009-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/1075
Abstract: PURPOSE: An c is provided to increase the light receiving efficiency of an optical detector by forming a micro lens in the lower part and upper part of the optical detector. CONSTITUTION: In a light receiving efficiency, a light absorption layer is formed on a semiconductor substrate. An amplification layer(140) is formed on the light absorption layer. A diffusion layer(150) is formed inside the amplification layer. A micro lens(180) is formed to be corresponded to the diffusion layer. The micro lens comprises a first refraction layer and a second refraction layer having lower refractive index than that of the first refraction layer The first refraction layer is adjacent to the diffusion layer. The second refraction layer is formed on the first refraction layer.
Abstract translation: 目的：提供一种通过在光学检测器的下部和上部形成微透镜来提高光学检测器的光接收效率的c。 构成：在光接收效率下，在半导体衬底上形成光吸收层。 在光吸收层上形成放大层（140）。 扩散层（150）形成在放大层的内部。 形成与扩散层对应的微透镜（180）。 微透镜包括具有比第一折射层低的折射率的第一折射层和第二折射层。第一折射层邻近扩散层。 第二折射层形成在第一折射层上。
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公开(公告)号：KR100916319B1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：KR1020070054875
申请日：2007-06-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01S13/04
Abstract: 본 발명은 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 레이저 레이더에 관한 것이다. 본 레이저 레이더는 일정 파장 대역의 광 신호를 발생시키는 광원부; 상기 광 신호의 경로 상에 마련되어 상기 광원부으로부터 출력된 상기 광 신호를 발산시켜 목표 물체에 제공하는 송광 광학 렌즈; 및 상기 목표 물체에서 반사된 상기 광 신호를 모아주는 수광 광학 렌즈; 상기 수광 광학 렌즈를 통과한 상기 광 신호에 포함된 상기 파장 대역 이외의 파장을 제거하는 광 대역 필터; 상기 광 대역 필터를 통과한 상기 광 신호를 집광하는 마이크로 렌즈 어레이; 및 상기 마이크로 렌즈 어레이에서 집광된 상기 광 신호를 검출하는 광 검출기를 포함한다. 이에 따라, 광 검출기에서 수광되지 않고 손실되는 광 신호를 최소화할 수 있다.
레이저 레이더, 광 검출기, 송광 광학 렌즈, 마이크로렌즈 어레이-
公开(公告)号：KR100593304B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040057043
申请日：2004-07-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.
광통신 시스템, 광전집적 수신회로, 도파로형 광검출기, 이종접합 바이폴라 트랜지스터, 절연층 패턴-
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公开(公告)号：KR1020140019984A
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020120086230
申请日：2012-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02002 , H01L31/035272 , H01L31/107
Abstract: The present invention relates to an avalanche photodiode having a guard ring structure for reducing edge-breakdown thanks to an external voltage applied through a metal pad attached on the guard ring and a manufacturing method thereof. The avalanche photodiode having a guard ring structure includes: a plurality of semiconductor layers which are stacked on a substrate; an active area which is formed on part of the top of the semiconductor layers; a guard ring which is formed on the top of the semiconductor layers, is separated from the active area, and has a ring shape surrounding the active area; and a connection unit which is formed on the top of the semiconductor layers and is connected to the guard ring to apply an external voltage onto the guard ring. Therefore, the external voltage is applied onto the guard ring of the avalanche diode through the connection unit so that edge-breakdown can be reduced.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有保护环结构的雪崩光电二极管及其制造方法，该保护环结构用于通过附着在防护环上的金属焊盘施加的外部电压来减少边缘击穿。 具有保护环结构的雪崩光电二极管包括：层叠在基板上的多个半导体层; 形成在半导体层顶部的一部分上的有源区; 形成在半导体层顶部的保护环与有源区分离，并且具有围绕有源区的环形形状; 以及连接单元，其形成在所述半导体层的顶部并连接到所述保护环，以将外部电压施加到所述保护环上。 因此，通过连接单元将外部电压施加到雪崩二极管的保护环上，从而可以减少边缘击穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130139162A
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：KR1020130051216
申请日：2013-05-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: Provided is a focal plane array (FPA) module capable of improving the quality of an obtained three-dimensional image by adjusting the interval and size of an array of optical detectors in the FPA module for obtaining a three-dimensional image. The FPA module for obtaining a three-dimensional image according to an embodiment of the present invention comprises multiple optical detectors which detect light reflected from a monitored object, wherein the multiple optical detectors are arranged at different intervals according to the location of the optical detectors.
Abstract translation: 提供了一种焦平面阵列（FPA）模块，其能够通过调整FPA模块中的光学检测器阵列的间隔和尺寸来获得三维图像来提高所获得的三维图像的质量。 根据本发明实施例的用于获得三维图像的FPA模块包括检测从被监视对象反射的光的多个光学检测器，其中根据光学检测器的位置以不同的间隔布置多个光学检测器。
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公开(公告)号：KR1020120069127A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100130537
申请日：2010-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/184 , Y02E10/544 , H01L31/02027 , H01L2924/12043
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an avalanche photo diode is provided to improve process efficiency by forming a guard ring area and a junction area through one diffusion process. CONSTITUTION: An epitaxy wafer is formed on the front of a substrate. A protection layer for protecting a diffusion control layer is formed on a diffusion control layer(106). An etching unit(108) is formed by etching an amplification layer(105) with a preset depth from the protection layer. A first patterning unit is formed by patterning the protection layer. A junction area and a guard ring area are formed on the amplification layer by diffusing diffusion materials on the etching unit and the first patterning unit. The diffusion control layer and the protection layer are removed. A first electrode connected to the junction area is formed on the amplification layer. A second electrode is formed on the rear of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造雪崩光电二极管的方法，通过一个扩散过程形成保护环面积和结面积来提高工艺效率。 构成：在基板的前部形成外延晶片。 用于保护扩散控制层的保护层形成在扩散控制层（106）上。 通过从保护层蚀刻具有预定深度的放大层（105）形成蚀刻单元（108）。 通过图案化保护层形成第一图案形成单元。 在扩散层上通过在扩散材料上扩散蚀刻单元和第一图案形成单元形成接合区域和保护环区域。 去除扩散控制层和保护层。 连接到结区的第一电极形成在放大层上。 第二电极形成在基板的后部。
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公开(公告)号：KR1020110065285A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020100073374
申请日：2010-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J1/44 , H01L27/146
CPC classification number: G11C27/024
Abstract: PURPOSE: A optical detector including the coupling capacitor is provided to control the movement characteristic deviation of each detectors easily by using the coupling capacitor and operating each avalanche photo diode with different bias voltage. CONSTITUTION: The optical detector(100) having a coupling capacitor includes: an avalanche photodiode(APD); a bias circuit(110); a detection circuit(120); and a coupling capacitor(Cc). The bias circuit offers the bias voltage(Vb) to one end of the avalanche photo diode. The detection circuit is connected to the other end of the avalanche photo diode and detects the photo current generated in the avalanche photo diode. The coupling capacitor is first of all connected to the fist or the other end of avalanche photo diode. The coupling voltage for driving the avalanche photo diode to the Geiger mode is offered. The coupling capacitor is formed into the fixed type. The size of the coupling voltage is varied according to the size of the overdrive voltage(Vod) offered to the coupling capacitor. The bias voltage is lower than the break down voltage of the avalanche photo diode.
Abstract translation: 目的：提供一个包括耦合电容的光学检测器，通过使用耦合电容器和操作具有不同偏置电压的每个雪崩光电二极管，轻松控制每个探测器的运动特性偏差。 构成：具有耦合电容器的光检测器（100）包括：雪崩光电二极管（APD）; 偏置电路（110）; 检测电路（120）; 和耦合电容器（Cc）。 偏置电路为雪崩光电二极管的一端提供偏置电压（Vb）。 检测电路连接到雪崩光电二极管的另一端，并检测在雪崩光电二极管中产生的光电流。 耦合电容器首先连接到雪崩光电二极管的第一端或另一端。 提供了将雪崩光电二极管驱动到盖革模式的耦合电压。 耦合电容器形成固定型。 耦合电压的大小根据提供给耦合电容器的过驱动电压（Vod）的大小而变化。 偏置电压低于雪崩光电二极管的击穿电压。
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19.发明授权
公开(公告)号：KR100948596B1
公开(公告)日：2010-03-23
申请号：KR1020070127879
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/14 , H01L29/737
CPC classification number: H01L27/14643 , G01S7/4863 , G01S17/89 , H01L27/14681 , H04N5/369
Abstract: 본 발명은 레이저 레이다 영상 신호용 출력제어 회로 집적 광 검출기 어레이 집적 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 입사광 에너지를 전기 에너지로 변환하기 위한 포토 다이오드와 상기 포토 다이오드의 전기 에너지를 전기 신호로 선택 변환하는 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 각각 구비하는 다수개의 광 검출 픽셀; 상기 다수개의 광 검출 픽셀로부터 전송되는 전기 신호의 출력 여부를 제어하는 제2 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 출력 제어 회로; 및 상기 포토 다이오드의 n 전극과 상기 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에미터 전극간, 상기 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 전극과 상기 제2 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에미터 전극간을 전기적으로 연결하는 금속 배선을 포함하며, 상기 포토 다이오드, 상기 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터 및 상기 제2 이종접합 바이폴라 트랜지스터는 반절연 InP 기판 웨이퍼 상에서 단일 칩 집적형으로 구현되며, 이에 의하여 제조 공정을 간편화하고 제작 성공 수율을 획기적으로 증대시킬 수 있을 뿐 만 아니라 초고집적화도 가능하도록 한다.
광 검출, 레이저 레이다 영상 신호, 이종접합 바이폴라 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100687758B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020050120171
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: A hetero junction bipolar transistor and a method for manufacturing the same are provided to decrease a parasitical capacitance between an emitter and a base by securing insulation between an emitter layer and a base electrode. A sub-collector layer(102) is formed on a semi-insulation compound substrate. A pair of collector electrodes(140) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the sub-collector layer. A collector layer(106) and a base layer(108) are disposed between the collector electrodes. A pair of base electrodes(130) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the base layer. A multi-layered emitter layer(110) is disposed between the base electrodes. An emitter electrode(125a) is formed on the emitter layer.
Abstract translation: 提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，以通过确保发射极层与基极之间的绝缘来减小发射极与基极之间的寄生电容。 子集电极层（102）形成在半绝缘化合物基板上。 一对集电极（140）在副集电极层上以预定间隔彼此间隔开。 集电极层（106）和基极层（108）设置在集电极之间。 一对基底电极（130）在基底层上以预定间隔彼此间隔开。 多层发射极层（110）设置在基极之间。 发射极电极（125a）形成在发射极层上。
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