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公开(公告)号：KR100133439B1
公开(公告)日：1998-04-23
申请号：KR1019940024348
申请日：1994-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(inter metal dielectric : IMD)의 형성공정 뿐만 아니라 가스를 분사시켜 박막을 형성하는 공정에 있어서 종래의 가스분산장치(이하 Shower-Head라 함)에 냉각장치 기능을 부착함으로써 절연막의 형성시 shower-head면에 증착되는 박막을 최대한 억제하고, 미립자(particle)의 발생을 감소시키며, 박막 형성에 따른 Shower-Head의 수명을 연장시켜줌으로써 반도체 제조공정 시간을 단축(troughput 향상)시켜 그 결과 실제 장비의 가동시간을 높이는 데 있다.
본 발명은 반도체 제조 공정에서 플라즈마 및 열에너지를 이용하여 가스의 분해에 의해 박막을 증착하는 가스분산장치(Shower-Head)를 구비한 반도체 제조장치에 있어서, 상기 가스분산장치에 불필요하게 증착되는 가스의 용이한 제거를 위하여, 증착시 상기 가스분산장치의 온도를 낮게 제어할 수 있는 냉각기능을 부가한 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019950021307A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027030
申请日：1993-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 고진공 이온선 식각장치에서 발생되는 불균일 식각 현상을 제거하기 위해서 사용되고 있는 시편의 회전장치에 부가하여 시편상의 임의부분을 회전중심에 위치시킬 수 있돌록 발명한 것으로서, 특히 고진송장치내의시편을 공기중에 노출시키지 않고 새로 고안된 시편보유기의 조정나사를 간이조정장치로 돌려줌으로써 식각하고자 하는 위치를 정확하게 회전중심에 이동시킬 수 있ㄴ는 반도테 재료의 이온선 식각장치에서의 회전중심 조정방법 및 장치에 관한 것이다.
상기한 본 발명의 방법은 오제이 전자분광기(AES),광전자분광기(ESCA),이차이온 질량분석기(SIMS)등 표면분석장치에서 깊이분석시 깊이분해능을 향상시키는 데에 사용되고 있는 기존의 시편회전장칭에 부가하여 활용 될 수 있으며, 그 경웅에는 1회장착된 시편ㅇ에서 다수의 회전중심을 얻어서 분석할 수 있을 뿐아니라, 미세패턴 또는 부분결함등의 분석에서 위치선정이 필요한 때에도 그 위치를 정확히 조절할 수 있다.
또한 이온선 식각에 의한 시료가공이 필요한 때에도 그 위치를 정확히 조절할 수 있다.
또한 이온선 식각에 의한 시료가공이 필요한 전자 현미경(TEM) 시료제작 및 결정성 시편의 무작위 회전분석의 경ㅇ우등에도 활용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR100199008B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960062350
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/44
Abstract: 본 발명은 화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것으로, 특히, 증착에 사용되는 액체소스를 외부 가열장치에서 가열하여 소스 증기를 생성하는 동시에, 고온 운반 가스 공급장치를 이용하여 고온의 운반가스를 액체소스에 공급함으로써, 고온의 소스 증기를 중도에 응축됨이 없이 증착장치의 반응실로 공급할 수 있도록 구성된 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 외부 액체소스 공급장치는, 온도조절장치(6)에 의해 온도를 조절하면서 운반가스를 가열하여 외부 액체소스 모듈(8)에 공급하기 위한 고온 운반가스 공급장치(7)와, 온도조절장치(9)에 의해 온도가 조절되는 한편, 상기한 고온 운반가스 공급장치(7)에 의해 공급된 운반가스에 의해 소스증기를 증착장치의 반응실(10)로 공급하기 위한 외부 액체소스 모듈(8)과, 고온의 운반가스 및 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 단열시켜 공급하도록 하는 가스 공급 튜브(4)를 포함한다. 또한, 본 발명의 외부 액체소스 공급장치는, 운반 가스 공급용 튜브(3)를 통해 공급된 실온의 운반가스를 가열하는 동시에, 액체소스 용기를 가열하여 가스공급용 튜브(4)를 통해 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 공급하기 위한 대류가열형 액체소스 캐비넷(11)과, 운반가스가 캐비넷(11)내에 충분히 오래 머물면서 가열되도록 둥글게 감긴 형상을 지닌 수미터 이상의 긴 스테인레스스틸 또는 구리 튜브(1)와, 캐비넷(11)내에 설치된 열전대 등과 같은 온도센서(9a)에 의해 온도를 연속적으로 측정하면서 캐비넷(11)내의 온도를 유지시키기 위한 온도조절 장치(9)와, 액체소스가 저장되는 액체소스 용기(14)를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1019980050947A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069795
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
발광층의 발광효율을 극대화하고, 전자의 분산을 용이하게함과 동시에 빛의 전면투과율을 향상시킬 수 있는 전계방출 디스플레이용 발광입자 및 그를 이용한 발광층형성방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
발광효율을 개선시키기 위한 전계방출 디스플레이용 발광입자에 있어서,분말화된 미세입자 표면에 원자층에피택시층을 코팅한 것을 특정으로 하는 전계방출 디스플레이용 발광입자를 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
전계방출 디스플레이용 발광입자 및 그를 이용한 발광층 형성 공정에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019980034076A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052020
申请日：1996-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09F9/00
Abstract: 적색 및 녹색에 비해 아직 상용화에 미흡한 청색 박막 전계 발광 디스플레이의 발광 효율의 단점과 ELD를 구동시키기 위해 필요한 고가의 고전압 IC로 인해 시장 경제성을 저하시키는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 청색 발광체와 적녹색 발광체의 이중 접합층을 발광체로 구성하여 청색 발광 효율을 개선시키고 절연막도 강유전체와 저유전율 비정질층의 이중 구조를 원자층 에피택시법으로 형성하여 발광에 필요한 전하량을 증대시키며 절연층의 전기적 파괴 특성도 안정시켜 문턱 전압을 낮춤으로써 구동 회로의 저가화를 도모하기 위한 청색 발광 효율 개선을 위한 백색 교류 구동형 박막 전계 발광 소자의 구조가 제시된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960012370A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940025178
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 초고집적(VLSI)소자에 사용되는 절연막을 고압에서 산소기체 대신에 오존/산소 혼합기체와 자외선(UV : Ultra violet)을 사용하여 형성하는 절연막 형성방법에 관한 것으로서, 특히 종래의 절연막 형성 방법보다 급속한 성장속도를 얻거나 또는 양질의 절연막을 저온에서 형성할 수 있는 반도체 장치의 절연막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 고압이 오존 분위기에서 산화막을 성장하는 것인데, 오존의 강한 산화력을 이용하여 플라즈마 방전과 같은 고에너지를 이용하지 않고도 저온에서 짧은 시간에 정공 트랩의 감소된 양질의 산화막을 성장할 수 있으며, 자외선(UV)조사에 으하여 더욱 낮은 온도에서 산화막 성장이 가능하게 되는 것이 특징이다. 오존의 발생은 오존발생기(ozonizer)에 산소를 유입(flow)시켜 오존(O
3 )과 산소(O
2 )의 비를 10% 정도로 하여 반응로에 주입시킨다.-
公开(公告)号：KR1019950019693A
公开(公告)日：1995-07-24
申请号：KR1019930029091
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N1/00
Abstract: 본 발명은 고정밀 분석기(2차 이온 질량분석기 등)에서 사용될 수 있는 시편장치로서 종래의 시편장착장치의 문제점인 그리드가 시편을 지지하고 있는 금속용수철의 힘으로 많은 힘을 받게 됨으로, 오랜 기간 사용시 그리드 표면이 수평을 유지하기 힘들고 휘어질 수 있으며 이로 인하여 여러 시편의 측정시 시편위치에 따라 분석위치가 달라지게 될 뿐만 아니라 강한 전기장을 사용하는 분석기에는 불균일한 전기장의 영향으로 인해 분석결과에 미치는 오차는 매우 크게 된다. 이와 은 문제점을 해결하기 위하여 시편이 놓이게 되는 그리드를 그물망 구조로 하고 상기 그물망구조의 그리드 하부에 일정간격으로 다수의 금속지지대를 부착설치하여 그리드의 휘어짐을 방지하도록 한 것임.
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