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公开(公告)号：KR1020100008883A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：KR1020080069493
申请日：2008-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the power consumption of the phase change memory device by arranging an auxiliary area made of different phase change material around a main operating area made of a phase change material. CONSTITUTION: A first electrode layer(110) is formed on the top of a substrate. A heat emitting electrode layer(120) is formed on the first electrode layer. An insulating layer(130) is formed on the heat emitting electrode layer, and has a pore(150) exposing a part of the heat emitting electrode layer. A phase change material layer(200) is formed to fill in the pore and contact a part of the heat emitting electrode layer. A second electrode layer is formed on the top of the phase change material layer.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件及其制造方法，通过在由相变材料制成的主操作区域周围布置由不同的相变材料制成的辅助区域来减少相变存储器件的功耗。 构成：在基板的顶部上形成第一电极层（110）。 在第一电极层上形成发热电极层（120）。 绝缘层（130）形成在发热电极层上，并且具有暴露一部分发热电极层的孔（150）。 形成相变材料层（200）以填充孔并接触发热电极层的一部分。 第二电极层形成在相变材料层的顶部。
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公开(公告)号：KR1020090060935A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020080084534
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , C23C16/305 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: An electronic device using a phase change material, a phase change memory device, and a manufacturing method thereof are provided to make a programmable volume small by generating a phase change layer using a solid state reaction method. An insulation layer covers a first reaction layer in order to form a contact hole which exposes a part of a top part of the first reaction layer(208). A second reaction layer(210) is filled in the contact hole. A phase change layer(215) is formed between the first reaction layer and the second reaction layer. The phase change layer is formed by a solid state reaction of material used in the first reaction layer and material used in the second reaction layer. The phase change layer is made of material which is changed into an amorphous state and a crystalline state according to a current amount.
Abstract translation: 提供了使用相变材料的电子设备，相变存储器件及其制造方法，通过使用固态反应方法生成相变层来使可编程体积小。 绝缘层覆盖第一反应层以形成暴露第一反应层（208）顶部的一部分的接触孔。 第二反应层（210）填充在接触孔中。 在第一反应层和第二反应层之间形成相变层（215）。 相变层通过第一反应层中使用的材料和第二反应层中使用的材料的固态反应形成。 相变层由根据电流量变为非晶状态和结晶状态的材料制成。
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公开(公告)号：KR102043703B1
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：KR1020120127615
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160110664A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150033292
申请日：2015-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/155 , G02F1/15 , G02F1/153 , G02F1/157 , G02F2001/1552 , G02F2001/1555 , G02F2201/44 , G09G3/38 , H01L27/3232 , H01L27/3267 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088
Abstract: 서로대향하여배치되는제 1 기판및 제 2 기판, 상기제 1 기판과상기제 2 기판사이에순차적으로적층되는제 1 전극, 전기변색층, 공통전극, 발광부및 제 2 전극을포함하고, 상기제 1 전극과상기전기변색층사이, 및상기전기변색층과상기공통전극사이중 어느하나에배치되는유기층을포함하는복합표시소자를제공한다. 본발명의실시예들에따른복합표시소자의상기유기층은정공주입물질, 정공수송물질및 이들의혼합물중 적어도하나를포함할수 있다. 또는, 상기유기층은전자주입물질, 전자수송물질및 이들의혼합물질중 적어도하나를포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了具有优异的加工性能和改进的低功率驱动性能的复合显示装置。 复合显示装置包括：布置成彼此面对的第一和第二基板; 第一电极，电致变色层，公共电极，发光单元和顺序堆叠在第一和第二基板之间的第二电极; 以及布置在第一电极和电致变色层之间或者在电致变色层和公共电极之间的有机层。 根据本发明的实施例，复合显示装置的有机层可以包括空穴注入材料，空穴转移材料以及空穴注入材料和空穴转移材料的混合物中的至少一种，或者可以包括在 电子注入材料，电子转移材料以及电子注入材料和电子转移材料的混合物中的至少一种。
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公开(公告)号：KR1020140038141A
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020120104493
申请日：2012-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K1/02 , H01L51/0022 , H01L51/003 , H01L51/102 , H01L51/441 , H01L51/5203 , H05K1/0393 , H05K3/0058 , H05K3/207 , H05K2201/0376
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for an embedded printed electronic device where a printing layer is embedded in a substrate. The purpose of the present invention is to provide the manufacturing method for a printed electronic device where a printing layer is planarized by realizing a buried printed electronic device on a large area through a simple method by combining a printing process such as an inkjet printing method and a gravure printing method with a transfer process using lamination equipment, and, in particular, by removing defects due to great surface roughness and thickness of the printing layer of a printed electronic device; and is also to provide a planarized printed electronic device manufactured by the same. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Prepare a substrate; (CC) Manufacture a buried conductive film; (DD) End; (S102) Process the surface of the substrate; (S103) Form a conductive layer with a printing method; (S104) Form an organic buried layer; (S105) Lamination process; (S106) Transfer the organic buried layer and the conductive layer using a delamination process; (S107) Prepare a substrate for lamination; (S108) Coat an adhesion layer
Abstract translation: 本发明涉及一种嵌入式印刷电子装置的制造方法，其中印刷层嵌入基板中。 本发明的目的是提供一种印刷电子装置的制造方法，其中通过简单的方法，通过将诸如喷墨印刷方法的印刷方法和 具有使用层压设备的转印工艺的凹版印刷方法，特别是通过去除印刷电子器件的印刷层的表面粗糙度和厚度的缺陷; 并且还提供由其制造的平面化印刷电子装置。 （附图标记）（AA）开始; （BB）准备底物; （CC）制造埋地导电膜; （DD）结束; （S102）处理基板的表面; （S103）用印刷法形成导电层; （S104）形成有机埋层; （S105）层压工艺; （S106）使用分层工序转移有机掩埋层和导电层; （S107）准备层压用基板; （S108）涂覆粘合层
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公开(公告)号：KR1020130022438A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020110083618
申请日：2011-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , C23C16/325 , C23C16/24 , C23C16/50
Abstract: PURPOSE: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon is provided to increase the luminous efficiency of the silicon carbide film applied to the next generation solar cell field by forming the silicon carbide film with the nanocrystalline silicon. CONSTITUTION: A formation method of a silicon carbide film with nanocrystalline silicon uses plasma gas including methane(CH4) gas and silane(SiH) gas. The silicon carbide film(110) comprises silicon carbide(SiC) or silicon oxycarbide(SiOC). The silicon carbide film and the nanocrystalline silicon(120) are formed simultaneously.
Abstract translation: 目的：提供具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法，以通过与纳米晶硅形成碳化硅膜来增加施加到下一代太阳能电池领域的碳化硅膜的发光效率。 构成：具有纳米晶硅的碳化硅膜的形成方法使用包括甲烷（CH 4）气体和硅烷（SiH））气体在内的等离子体气体。 碳化硅膜（110）包括碳化硅（SiC）或碳氧化硅（SiOC）。 碳化硅膜和纳米晶硅（120）同时形成。
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公开(公告)号：KR101234598B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020110018031
申请日：2011-02-28
Applicant: 충북대학교 산학협력단 , 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 롬셀의 구조 및 동작 방법에 관한 것으로, 특히 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 구조 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 유기물 박막트랜지스터를 통해 제조된 롬셀의 읽기 및 쓰기 장치에 있어서, 워드라인에 각각 대응하는 복수의 롬셀로 이루어진 롬어레이; 쓰기 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 입력 데이터를 기록하는 쓰기 회로부; 및 선충전 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 기록된 데이터를 읽는 읽기 회로부를 포함하되, 상기 롬어레이는, 워드라인, 반전 워드라인, 읽기 회로부와 쓰기 회로부를 연결되어 데이터를 기록 및 읽을 수 있도록 하는 비트라인 및 커패시터와 연결된 접지단을 구비한 트랜스미션 게이트의 롬셀로 이루어져, 쓰기 동작시 쓰기 회로부의 입력 데이터로 커패시터의 파괴 가능한 특정 레벨의 전압이 인가되면, 커패시터가 파괴되면서 선택되는 워드라인에 연결된 롬셀에 입력 데이터가 기록되고, 읽기 동작시 읽기 회로부에 따라 상기 특정 레벨 이하의 전압이 인가되어 데이터가 읽혀지는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치 및 방법을 제공한다.
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