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公开(公告)号：KR100779099B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060120078
申请日：2006-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L21/67069 , H01L45/141
Abstract: A method for manufacturing a phase-change memory device having a GST chalcogenide pattern is provided to form easily the GST chalcogenide pattern having a size of 100nm and less by performing a dry-etch process using a helicon plasma dry-etch apparatus. A GST chalcogenide layer used as a phase-change material is formed on the upper surface of a semiconductor substrate(200). A hard mask pattern is formed on the GST chalcogenide layer. A hard mask pattern is formed on the GST chalcogenide layer. A helicon plasma dry-etch apparatus performs a dry-etch process by using a mixed gas of an argon gas as an etch gas and a tetrafluorocarbon gas. The GST chalcogenide layer is etched by using a hard mask pattern having high etch selectivity to the GST chalcogenide layer, in order to form a GST chalcogenide pattern(202a).
Abstract translation: 提供了具有GST硫族化物图案的相变存储器件的制造方法，通过使用螺旋等离子体干蚀刻设备进行干蚀刻工艺，容易地形成尺寸为100nm以下的GST硫族化物图案。 在半导体衬底（200）的上表面上形成用作相变材料的GST硫族化物层。 在GST硫族化物层上形成硬掩模图案。 在GST硫族化物层上形成硬掩模图案。 螺旋等离子体干蚀刻装置通过使用氩气作为蚀刻气体和四氟化碳气体的混合气体进行干法蚀刻工艺。 通过使用对GST硫族化物层具有高蚀刻选择性的硬掩模图案来蚀刻GST硫族化物层，以便形成GST硫族化物图案（202a）。
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公开(公告)号：KR100470834B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020073313
申请日：2002-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: 강유전체 메모리 전계 효과 트랜지스터의 게이트 스택 제조방법을 제공한다.본 발명은 반도체 기판 상에 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막이 순차적으로 적층된 확산 차폐층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 확산 차폐층 상에 비스무스-란탄-티타늄-산화물을 포함하는 금속 유기물 용액을 코팅한 후, 상기 코팅된 금속 유기물 용액을 건조시켜 금속 유기물을 형성한다. 상기 금속 유기물을 450℃ 내지 550℃ 온도에서 1차 열처리하여 후에 형성되는 강유전체막의 c축 방향의 결정성을 증가시킨다. 상기 1차 열처리된 금속 유기물을 2차 열처리함으로써 상기 금속 유기물을 결정화시켜 비스무스-란탄-티타늄-산화물로 구성된 강유전체막을 형성한다. 상기 강유전체막 상에 상부 전극을 형성한다. 본 발명은 적절한 확산 차폐층의 선택과 강유전체막의 제조 방법을 최적화하여 강유전체 메모리 전계 효과 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040045512A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：KR1020020073313
申请日：2002-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: PURPOSE: A gate stack of a ferroelectric memory FET(Field Effect Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to be capable of optimizing the electrical characteristics of the device. CONSTITUTION: A gate stack(25) of a ferroelectric memory FET is provided with a semiconductor substrate(11) and a diffusion barrier(19) formed on the semiconductor substrate. At this time, the diffusion barrier is completed by sequentially forming a silicon oxide layer(13), a silicon nitride layer(15), and a silicon oxide layer(17). The gate stack further includes a Bi-La-Ti-O ferroelectric layer(21) formed on the diffusion barrier and an upper electrode(23) formed on the ferroelectric layer. Preferably, a (BixLa1-x)4Ti3O12 layer is used as the ferroelectric layer.
Abstract translation: 目的：提供铁电存储FET（场效应晶体管）的栅极叠层及其制造方法，能够优化器件的电气特性。 构成：铁电存储器FET的栅极堆叠（25）设置有形成在半导体衬底上的半导体衬底（11）和扩散阻挡层（19）。 此时，通过依次形成氧化硅层（13），氮化硅层（15）和氧化硅层（17）来完成扩散阻挡层。 栅堆叠还包括形成在扩散阻挡层上的Bi-La-Ti-O铁电层（21）和形成在强电介质层上的上电极（23）。 优选使用（BixLa1-x）4Ti3O12层作为铁电体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100946700B1
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020080022402
申请日：2008-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상변화 메모리 소자의 상변화 재료층으로 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te)계 Ge
2 Sb
2+x Te
5 (0.12≤x≤0.32)를 사용함으로써, 상변화 재료의 결정 및 비정질 상태 사이의 상전이 과정에 있어서 그 결정 상태가 준안정상과 안정상의 복합상이 아닌 안정상의 단일상으로 확정되고, 온도 상승에 따른 상전이가 비정질 상태로부터 안정상의 단일상 결정 상태로 직접 전이하게 되므로, 상변화 메모리 소자의 셋 동작 안정성 및 셋 상태 저항값의 분포 특성을 크게 개선시킬 수 있다. 또한, 상변화 메모리 소자의 상변화 재료층으로 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 (0.12≤x≤0.32)를 사용함으로써, 비정질 상태의 저항값이 결정화 온도 부근의 고온에서 장시간 동안 유지될 수 있으므로, 상변화 메모리 소자의 리셋 동작 안정성 및 반복 기록 동작 과정에서의 안정성을 크게 개선시킬 수 있다.
상변화, 비휘발성 메모리, 게르마늄-안티몬-텔레륨, 동작신뢰성-
17.发明授权
公开(公告)号：KR100744566B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060087051
申请日：2006-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR1020070061291A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060085826
申请日：2006-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: A phase change memory device having a semiconductor laser part is provided to reduce power consumption by applying heat only to a local part of a phase change layer. A phase change memory unit(100) includes a phase change layer pattern. A laser beam focusing unit(200) focuses laser beams on the phase change layer pattern of the phase change memory device. A semiconductor laser unit(300) generates the laser beams and emits the laser beams to the laser beam focusing unit. The phase change memory unit, the laser beam focusing unit, and the semiconductor laser unit are laminated and attached sequentially to each other. A laser beam shielding pattern(22) having a laser beam window(24) is formed on the phase change layer pattern.
Abstract translation: 提供了具有半导体激光器部分的相变存储器件，以通过仅向相变层的局部部分施加热量来降低功耗。 相变存储单元（100）包括相变层图案。 激光束聚焦单元（200）将激光束聚焦在相变存储器件的相变层图案上。 半导体激光器单元（300）产生激光束并将激光束发射到激光束聚焦单元。 相变存储器单元，激光束聚焦单元和半导体激光器单元彼此顺序层叠并附接。 在相变层图案上形成具有激光束窗（24）的激光束屏蔽图案（22）。
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公开(公告)号：KR100701157B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020060025208
申请日：2006-03-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/141
Abstract: A nonvolatile memory device and its manufacturing method are provided to improve remarkably a sensing margin of device and to reduce the consumption of current and power by forming a spacer type structure using a phase changeable material. A nonvolatile memory device comprises a semiconductor substrate(100), a lower electrode(110) on the substrate, an upper electrode, and a phase changeable material. The upper electrode(130) is located opposite to the lower electrode. The phase changeable material(121) is located between the lower electrode and the upper electrode. The phase changeable material is formed like a spacer type structure. The phase changeable material has a variable resistivity according to a crystal state of the phase changeable material itself.
Abstract translation: 提供非易失性存储器件及其制造方法，以显着改善器件的感测裕度，并通过使用相变材料形成间隔物型结构来减少电流和功率的消耗。 非易失性存储器件包括半导体衬底（100），衬底上的下电极（110），上电极和相变材料。 上电极（130）位于与下电极相对的位置。 相变材料（121）位于下电极和上电极之间。 相变材料形成为间隔型结构。 相变材料根据相变材料本身的晶体状态具有可变电阻率。
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公开(公告)号：KR1020070025304A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050081314
申请日：2005-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/1233
Abstract: A phase change memory and its manufacturing method are provided to reduce remarkably the consumption of power by using a penetrating electrode structure. A phase change memory includes a first phase change thin film and a heat radiating metallic electrode. The first phase change thin film(14) includes a penetrating electrode structure(21), wherein the penetrating electrode structure penetrates a predetermined region. The heat radiating metallic electrode is buried in the penetrating electrode structure. A crystal state of the penetrating electrode structure is capable of being changed due to a thermal energy applied from the heat radiating metallic electrode. The change of the crystal state of the penetrating electrode structure is restricted by the first phase change thin film.
Abstract translation: 提供了一种相变存储器及其制造方法，以通过使用穿透电极结构显着地减少功率消耗。 相变存储器包括第一相变薄膜和散热金属电极。 第一相变薄膜（14）包括穿透电极结构（21），其中穿透电极结构穿透预定区域。 散热金属电极埋在穿透电极结构中。 穿透电极结构的晶体状态能够由于从散热金属电极施加的热能而变化。 穿透电极结构的晶体状态的变化受到第一相变薄膜的限制。
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