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公开(公告)号：KR1020090051596A
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：KR1020070118064
申请日：2007-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0086 , Y02E10/542
Abstract: 에너지 효율을 높일 수 있는 염료감응 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 서로 대향하고 있는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하되, 상기 제1 전극은 투명한 다공성 전도층 및 상기 다공성 전도층의 공극과 상기 다공성 전도층의 상기 제2 전극을 향한 표면에 형성되어 있는 나노입자 반도체 산화물 및 상기 나노입자 반도체 산화물층에 흡착되어 있는 염료분자를 포함한다.
염료감응 태양전지, 다공성 전도층, 공극, 나노입자 반도체 산화물, 염료분자-
公开(公告)号：KR1020090033712A
公开(公告)日：2009-04-06
申请号：KR1020070098886
申请日：2007-10-01
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5206 , H01L51/442 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: A conducting substrate structure with controlled nano-rod density and method of fabricating the same conducting substrate structure are provided to appropriately control the degree of integration of the nanorods. The conductive substrate is formed on the base substrate. The conductive substrate is processed with the organic molecule(S100). The seed is coated onto the constant area of the conductive substrate through the self-assembly characteristic of the organic molecule(S200). The nanorods in which close-packing is controlled is grown up from the seed(S300). The conductive substrate can be the FTO(F-doped SnO2) or the ITO(InSO2) of transparent substrate. The base substrate can be the glass or the metal substrate.
Abstract translation: 提供具有受控纳米棒密度的导电基片结构和制造相同导电基片结构的方法，以适当地控制纳米棒的整合度。 导电基板形成在基底基板上。 用有机分子处理导电性基板（S100）。 通过有机分子的自组装特性，种子被覆在导电性基板的恒定区域上（S200）。 密封包装被控制的纳米棒从种子长大（S300）。 导电衬底可以是透明衬底的FTO（F掺杂的SnO 2）或ITO（InSO 2）。 基底可以是玻璃或金属基底。
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公开(公告)号：KR1020090020058A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：KR1020070084469
申请日：2007-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: A dye-sensitized solar cells having an electron recombination protection layer and a method for manufacturing the same are provided to prevent the first conductive substrate from being contacted with the oxidation/deoxidization electrolyte. A dye-sensitized solar cells includes the first conductive substrate(110); an electron recombination barrier layer(112) which covers the first conductive substrate in order not to expose the surface of the first conductive substrate to an electrolyte layer; a porous metal oxide semiconductor layer(114) formed on the electron recombination barrier layer; a dye molecule layer(116) which is attached on the surface of the porous metal oxide semiconductor layer. The electron recombination barrier layer is made of metal or the metal oxide.
Abstract translation: 提供具有电子复合保护层的染料敏化太阳能电池及其制造方法，以防止第一导电性基板与氧化/脱氧电解液接触。 染料敏化太阳能电池包括第一导电基板（110）; 电子复合阻挡层（112），其覆盖所述第一导电基板，以便不将所述第一导电基板的表面暴露于电解质层; 形成在电子复合阻挡层上的多孔金属氧化物半导体层（114） 染料分子层（116），其附着在多孔金属氧化物半导体层的表面上。 电子复合阻挡层由金属或金属氧化物制成。
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公开(公告)号：KR1020090012929A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070077171
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원 , 고려대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B3/0009 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: A formation method of ZnO nanowire network pattern is provided to form ZnO nanowire network pattern and device of a desired shape and size at a low temperature with a stable yield by using a lithographic process and a sol-gel method. A formation method of ZnO nanowire network pattern comprises steps of: forming a photoresist pattern exposing a part of a substrate on the substrate; molding the ZnO nanowire network on a photoresist pattern and an exposed part of the substrate by a sol-gel method; and removing the photoresist pattern and forming the ZnO nanowire network pattern on the substrate. The step for forming the photoresist pattern comprises steps of: coating a photoresist on the substrate; exposing the photoresist; and developing the exposed photoresist.
Abstract translation: 提供ZnO纳米线网络图案的形成方法，通过使用平版印刷法和溶胶 - 凝胶法在低温下形成所需形状和尺寸的ZnO纳米线网络图案和器件，其产率稳定。 ZnO纳米线网络图案的形成方法包括以下步骤：形成曝光衬底上的一部分衬底的光刻胶图案; 通过溶胶 - 凝胶法在光致抗蚀剂图案和基底的暴露部分上模制ZnO纳米线网络; 并去除光致抗蚀剂图案并在衬底上形成ZnO纳米线网络图案。 用于形成光致抗蚀剂图案的步骤包括以下步骤：在基底上涂覆光致抗蚀剂; 曝光光刻胶; 并显影曝光的光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR1020080085368A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：KR1020070026775
申请日：2007-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , B82B3/0009 , B82B3/0061 , C01G23/047
Abstract: A method for preparing carbon nanotubes coated with titanium dioxide is provided to produce the carbon nanotubes which have characteristics of both carbon nanotubes and titanium dioxide nanowires and are usable as gas sensors, photocatalysts, etc. A method for preparing carbon nanotubes(16') coated with titanium dioxide includes the steps of: (a) functionalizing carbon nanotubes with hydrophilic groups; (b) mixing the hydrophilically functionalized carbon nanotubes with a solution containing a titanium dioxide precursor; (c) purifying carbon nanotubes coated with the titanium dioxide precursor from a mixed solution of the carbon nanotubes and titanium dioxide precursor; and (d) heat-treating the purified carbon nanotubes coated with the titanium dioxide precursor. Further, the carbon nanotubes are single-wall carbon nanotubes or multi-wall carbon nanotubes.
Abstract translation: 提供了一种制备涂覆有二氧化钛的碳纳米管的方法，以制备具有碳纳米管和二氧化钛纳米线特性的碳纳米管，并且可用作气体传感器，光催化剂等。一种制备涂覆有碳纳米管的碳纳米管（16'）的方法 二氧化钛包括以下步骤：（a）用亲水基团官能化碳纳米管; （b）将亲水官能化的碳纳米管与含有二氧化钛前体的溶液混合; （c）从碳纳米管和二氧化钛前体的混合溶液中净化涂覆有二氧化钛前体的碳纳米管; 和（d）对涂覆有二氧化钛前体的纯化碳纳米管进行热处理。 此外，碳纳米管是单壁碳纳米管或多壁碳纳米管。
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Patent Agency Ranking16.发明授权
公开(公告)号：KR100799577B1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060083570
申请日：2006-08-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N27/122 , G01N27/127
Abstract: A method for manufacturing a sensor for detecting gases and biochemical materials, an integrated circuit including the sensor, and a method for manufacturing the integrated circuit are provided to prevent degradation of MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)-based unit elements by integrating a plurality of compact sensors for detecting gases and biochemical materials with multi-functioning unit elements in the same circuit by low temperature process. An integrated circuit(20) comprises a semiconductor substrate(200), a sensor for detecting gases and biochemical materials(250), a heater(210), and a signal processing unit(220). The sensor for detecting gases and biochemical materials comprises a pair of electrodes(252) provided within a first area on the semiconductor substrate, and a metal oxide nano-structure layer(254) provided on the surface of the electrodes. The heater is provided on a second area adjacent the sensor on the semiconductor substrate. The signal processing unit is made with MOSFET elements provided in a third area on the semiconductor substrate to process a predetermined signal obtained by changes of current flowing via the electrodes of the sensor. A method for manufacturing the integrated circuit comprises the steps of: forming a plurality of MOSFET elements on the semiconductor substrate; and forming the sensor for detecting gases and biochemical materials on the MOSFET elements; wherein the steps for forming the sensor comprises; forming a passivation film(240) on the MOSFET elements; forming at least a pair of electrodes on the passivation film; and forming a metal oxide nano-structure layer over the surface of the electrodes at the normal temperature to 400°C.
Abstract translation: 一种用于制造用于检测气体和生化材料的传感器的方法，包括该传感器的集成电路和一种用于制造集成电路的方法，用于防止基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的单位元件的劣化 用于通过低温过程在同一电路中检测具有多功能单元元件的气体和生化材料的多个紧凑型传感器。 集成电路（20）包括半导体衬底（200），用于检测气体和生化材料的传感器（250），加热器（210）和信号处理单元（220）。 用于检测气体和生化材料的传感器包括设置在半导体衬底上的第一区域内的一对电极（252）和设置在电极表面上的金属氧化物纳米结构层（254）。 加热器设置在与半导体衬底上的传感器相邻的第二区域上。 信号处理单元由设置在半导体基板上的第三区域中的MOSFET元件制成，以处理通过经由传感器的电极流动的电流的变化而获得的预定信号。 一种用于制造集成电路的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个MOSFET元件; 并形成用于检测MOSFET元件上的气体和生化材料的传感器; 其中用于形成传感器的步骤包括： 在所述MOSFET元件上形成钝化膜（240）; 在钝化膜上形成至少一对电极; 并在常温至400℃的电极表面上形成金属氧化物纳米结构层。
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17.发明授权티올계 정착기를 가지는 분자 전자 소자용 화합물 및 그제조 방법과, 그 화합물로부터 얻어지는 분자 활성층을가지는 분자 전자 소자 有权티올계정착기를가지는분자전자소자용화합물및그제조방법과，그화합물로부터얻어지는분자활성층을가지는분자전자소자
公开(公告)号：KR100651750B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050089516
申请日：2005-09-26
IPC: H01L29/02 , C07D417/12
Abstract: A compound for a molecular electronic device with a thiol-based anchoring group is provided to embody a molecular electronic device having a switch characteristic and a memory characteristic by forming a self-assembled molecular active layer between upper and lower electrodes. A dinitrothiophene group is prepared. An aminobenzene group is prepared into which a thiol derivative is introduced. An azo compound having an azo group is connected between the dinitrothiophene group and the aminobenzene group. The aminobenzene group into which the thiol derivative is introduced includes a disulfide group that supplies a ring structure.
Abstract translation: 提供具有硫醇基锚定基团的分子电子器件用化合物，以通过在上下电极之间形成自组装分子活性层来实现具有开关特性和存储特性的分子电子器件。 制备二硝基噻吩基团。 制备其中引入了硫醇衍生物的氨基苯基团。 在二硝基噻吩基团和氨基苯基团之间连接具有偶氮基团的偶氮化合物。 引入硫醇衍生物的氨基苯基包括提供环结构的二硫化物基团。
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公开(公告)号：KR1020060067806A
公开(公告)日：2006-06-20
申请号：KR1020050075659
申请日：2005-08-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/04
Abstract: 금속 산화막의 전류 스위칭을 이용한 정보 저장 장치를 제시한다. 본 발명에 따르면, 기판 형성된 하부 전극막, 금속 산화막을 포함하고, 하부 전극막에 대향되게 도입되어 나노미터(nanometer) 수준의 크기의 국부 영역 단위로 금속 산화막 상을 스캔(scan)하고, 금속 산화막의 국부 영역 별로 쓰기 전압을 인가하여 국부 영역의 저항값을 급격히 변화시켜 국부 영역의 저항값을 제1상태에서 제2상태로 스위칭(switching)시키거나, 저항값의 제1상태 또는 제2상태에 따라 다른 값으로 국부 영역을 통과하여 흐르는 전류값을 측정하여 저장된 정보를 읽는 뾰족한 팁(tip)을 가지는 탐침, 탐침의 금속 산화막에 대한 위치를 국부 영역 단위로 이동시키는 구동부, 및 제어부를 포함하는 정보 저장 장치를 제시한다.
AFM, 피에조 스캐너, 금속 산화막, 전류 스위칭 효과, 탐침-
公开(公告)号：KR100585462B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020030097070
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B11/08
Abstract: 본 발명은 균일한 크기로 정렬된 나노점을 갖는 나노 소자에 정보를 저장하거나 저장된 정보를 독출하기 위한 정보 저장 및 독출 장치에 관한 것으로, 나노 소자의 정렬된 각 나노점 상에 위치 가능하도록 캔티레버에 의해 이동되는 탐침과, 상기 탐침이 선택된 나노점 상에 위치된 상태에서 상기 탐침과 상기 나노 소자 사이에 저장 바이어스 전압 또는 독출 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전원공급부와, 상기 탐침의 위치를 검출하기 위한 빔을 제공하는 빔 발생수단과, 상기 탐침으로부터 반사되는 빔을 검출하는 위치검출수단과, 상기 위치검출수단으로부터 출력되는 신호를 증폭하는 증폭기와, 상기 증폭기로부터 출력되는 신호를 이용하여 상기 나노점에 저장된 정보를 판독하는 검출회로를 포함한다.
정보 저장, 원자력 현미경, 탐침, 나노점, 전하 주입-
公开(公告)号：KR100496266B1
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020030011016
申请日：2003-02-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 박종혁
IPC: H01L21/203 , H01L29/06 , H01L29/15 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 방식으로 실리콘(Si)을 기반으로 하는 매트릭스(Matrix) 박막을 증착하는 동시에 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착된 매트릭스 박막에 어븀(Er)과 같이 발광특성을 갖는 물질을 도핑함으로써 손상을 입지않으며 도핑 농도가 균일한 실리콘 나노점 박막을 얻는다. 본 발명에 따라 얻어진 실리콘 나노점 박막은 가시광 영역 뿐 아니라 장거리 통신 주파수 영역에서도 향상된 발광 특성을 가지며, 본 발명의 실리콘 나노점 박막 제조 방법은 현재의 반도체 공정 기술과 상호 연동이 가능하므로 현재의 반도체 공정으로 실리콘을 전광재료로 이용하는 나노 전광 소자의 제작을 가능하게 한다.
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