Abstract:
에너지 효율을 높일 수 있는 염료감응 태양전지를 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 서로 대향하고 있는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되어 있는 전해질층을 포함하되, 상기 제1 전극은 투명한 다공성 전도층 및 상기 다공성 전도층의 공극과 상기 다공성 전도층의 상기 제2 전극을 향한 표면에 형성되어 있는 나노입자 반도체 산화물 및 상기 나노입자 반도체 산화물층에 흡착되어 있는 염료분자를 포함한다. 염료감응 태양전지, 다공성 전도층, 공극, 나노입자 반도체 산화물, 염료분자
Abstract:
A conducting substrate structure with controlled nano-rod density and method of fabricating the same conducting substrate structure are provided to appropriately control the degree of integration of the nanorods. The conductive substrate is formed on the base substrate. The conductive substrate is processed with the organic molecule(S100). The seed is coated onto the constant area of the conductive substrate through the self-assembly characteristic of the organic molecule(S200). The nanorods in which close-packing is controlled is grown up from the seed(S300). The conductive substrate can be the FTO(F-doped SnO2) or the ITO(InSO2) of transparent substrate. The base substrate can be the glass or the metal substrate.
Abstract:
A dye-sensitized solar cells having an electron recombination protection layer and a method for manufacturing the same are provided to prevent the first conductive substrate from being contacted with the oxidation/deoxidization electrolyte. A dye-sensitized solar cells includes the first conductive substrate(110); an electron recombination barrier layer(112) which covers the first conductive substrate in order not to expose the surface of the first conductive substrate to an electrolyte layer; a porous metal oxide semiconductor layer(114) formed on the electron recombination barrier layer; a dye molecule layer(116) which is attached on the surface of the porous metal oxide semiconductor layer. The electron recombination barrier layer is made of metal or the metal oxide.
Abstract:
A formation method of ZnO nanowire network pattern is provided to form ZnO nanowire network pattern and device of a desired shape and size at a low temperature with a stable yield by using a lithographic process and a sol-gel method. A formation method of ZnO nanowire network pattern comprises steps of: forming a photoresist pattern exposing a part of a substrate on the substrate; molding the ZnO nanowire network on a photoresist pattern and an exposed part of the substrate by a sol-gel method; and removing the photoresist pattern and forming the ZnO nanowire network pattern on the substrate. The step for forming the photoresist pattern comprises steps of: coating a photoresist on the substrate; exposing the photoresist; and developing the exposed photoresist.
Abstract:
A method for preparing carbon nanotubes coated with titanium dioxide is provided to produce the carbon nanotubes which have characteristics of both carbon nanotubes and titanium dioxide nanowires and are usable as gas sensors, photocatalysts, etc. A method for preparing carbon nanotubes(16') coated with titanium dioxide includes the steps of: (a) functionalizing carbon nanotubes with hydrophilic groups; (b) mixing the hydrophilically functionalized carbon nanotubes with a solution containing a titanium dioxide precursor; (c) purifying carbon nanotubes coated with the titanium dioxide precursor from a mixed solution of the carbon nanotubes and titanium dioxide precursor; and (d) heat-treating the purified carbon nanotubes coated with the titanium dioxide precursor. Further, the carbon nanotubes are single-wall carbon nanotubes or multi-wall carbon nanotubes.
Abstract:
A method for manufacturing a sensor for detecting gases and biochemical materials, an integrated circuit including the sensor, and a method for manufacturing the integrated circuit are provided to prevent degradation of MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)-based unit elements by integrating a plurality of compact sensors for detecting gases and biochemical materials with multi-functioning unit elements in the same circuit by low temperature process. An integrated circuit(20) comprises a semiconductor substrate(200), a sensor for detecting gases and biochemical materials(250), a heater(210), and a signal processing unit(220). The sensor for detecting gases and biochemical materials comprises a pair of electrodes(252) provided within a first area on the semiconductor substrate, and a metal oxide nano-structure layer(254) provided on the surface of the electrodes. The heater is provided on a second area adjacent the sensor on the semiconductor substrate. The signal processing unit is made with MOSFET elements provided in a third area on the semiconductor substrate to process a predetermined signal obtained by changes of current flowing via the electrodes of the sensor. A method for manufacturing the integrated circuit comprises the steps of: forming a plurality of MOSFET elements on the semiconductor substrate; and forming the sensor for detecting gases and biochemical materials on the MOSFET elements; wherein the steps for forming the sensor comprises; forming a passivation film(240) on the MOSFET elements; forming at least a pair of electrodes on the passivation film; and forming a metal oxide nano-structure layer over the surface of the electrodes at the normal temperature to 400°C.
Abstract:
A compound for a molecular electronic device with a thiol-based anchoring group is provided to embody a molecular electronic device having a switch characteristic and a memory characteristic by forming a self-assembled molecular active layer between upper and lower electrodes. A dinitrothiophene group is prepared. An aminobenzene group is prepared into which a thiol derivative is introduced. An azo compound having an azo group is connected between the dinitrothiophene group and the aminobenzene group. The aminobenzene group into which the thiol derivative is introduced includes a disulfide group that supplies a ring structure.
Abstract:
금속 산화막의 전류 스위칭을 이용한 정보 저장 장치를 제시한다. 본 발명에 따르면, 기판 형성된 하부 전극막, 금속 산화막을 포함하고, 하부 전극막에 대향되게 도입되어 나노미터(nanometer) 수준의 크기의 국부 영역 단위로 금속 산화막 상을 스캔(scan)하고, 금속 산화막의 국부 영역 별로 쓰기 전압을 인가하여 국부 영역의 저항값을 급격히 변화시켜 국부 영역의 저항값을 제1상태에서 제2상태로 스위칭(switching)시키거나, 저항값의 제1상태 또는 제2상태에 따라 다른 값으로 국부 영역을 통과하여 흐르는 전류값을 측정하여 저장된 정보를 읽는 뾰족한 팁(tip)을 가지는 탐침, 탐침의 금속 산화막에 대한 위치를 국부 영역 단위로 이동시키는 구동부, 및 제어부를 포함하는 정보 저장 장치를 제시한다. AFM, 피에조 스캐너, 금속 산화막, 전류 스위칭 효과, 탐침
Abstract:
본 발명은 균일한 크기로 정렬된 나노점을 갖는 나노 소자에 정보를 저장하거나 저장된 정보를 독출하기 위한 정보 저장 및 독출 장치에 관한 것으로, 나노 소자의 정렬된 각 나노점 상에 위치 가능하도록 캔티레버에 의해 이동되는 탐침과, 상기 탐침이 선택된 나노점 상에 위치된 상태에서 상기 탐침과 상기 나노 소자 사이에 저장 바이어스 전압 또는 독출 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전원공급부와, 상기 탐침의 위치를 검출하기 위한 빔을 제공하는 빔 발생수단과, 상기 탐침으로부터 반사되는 빔을 검출하는 위치검출수단과, 상기 위치검출수단으로부터 출력되는 신호를 증폭하는 증폭기와, 상기 증폭기로부터 출력되는 신호를 이용하여 상기 나노점에 저장된 정보를 판독하는 검출회로를 포함한다. 정보 저장, 원자력 현미경, 탐침, 나노점, 전하 주입
Abstract:
본 발명은 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 방식으로 실리콘(Si)을 기반으로 하는 매트릭스(Matrix) 박막을 증착하는 동시에 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착된 매트릭스 박막에 어븀(Er)과 같이 발광특성을 갖는 물질을 도핑함으로써 손상을 입지않으며 도핑 농도가 균일한 실리콘 나노점 박막을 얻는다. 본 발명에 따라 얻어진 실리콘 나노점 박막은 가시광 영역 뿐 아니라 장거리 통신 주파수 영역에서도 향상된 발광 특성을 가지며, 본 발명의 실리콘 나노점 박막 제조 방법은 현재의 반도체 공정 기술과 상호 연동이 가능하므로 현재의 반도체 공정으로 실리콘을 전광재료로 이용하는 나노 전광 소자의 제작을 가능하게 한다.