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公开(公告)号:KR100991011B1
公开(公告)日:2010-10-29
申请号:KR1020080054358
申请日:2008-06-10
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자가 탄소와 탄소 사이의 공유결합을 파괴하지 않으면서 결합되어 있고, 전기전도도의 변화를 측정하여 목표 바이오 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서에 관한 것이고, 또한 탄소나노튜브 트랜지스터를 금속 이온이 녹아있는 용액에 넣고 금속을 환원시켜 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자를 점재시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서의 제조방법에 관한 것이며, 또한 상기 바이오 센서를 이용한 목표 바이오 분자의 검출방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브, 탄소나노튜브 트랜지스터, 금속 나노입자, 전기전도도, 바이오 센서, 바이오 분자-
公开(公告)号:KR1020100002842A
公开(公告)日:2010-01-07
申请号:KR1020080062886
申请日:2008-06-30
Applicant: 한국화학연구원 , 전북대학교산학협력단 , 단국대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/45 , H01L51/0048
Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof are provided to maintain the characteristics of an n-type semiconductor in air for long time by using a gadolinium as a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof, a source electrode(12) is formed on a substrate. A drain electrode(14) is formed on the substrate, and the carbon nanotube channel(18) interlinks the source electrode and the drain electrode. A part or greater of the drain electrode and source electrode is formed with a gadolinium metal. The carbon nanotube channel has the characteristics of n-type semiconductor chip.
Abstract translation: 目的:提供一种碳纳米管晶体管及其制造方法,其通过使用钆作为源电极和漏电极,将n型半导体的特性长时间地维持在空气中。 构成:在碳纳米管晶体管及其制造方法中,在基板上形成源电极(12)。 在基板上形成漏电极(14),碳纳米管通道(18)将源电极和漏电极互连。 漏电极和源电极的一部分或更多部分由钆金属形成。 碳纳米管通道具有n型半导体芯片的特性。
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公开(公告)号:KR1020080096126A
公开(公告)日:2008-10-30
申请号:KR1020070041154
申请日:2007-04-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: A carbon nanotube is provided to be used as the channel of the semiconductor device because of having only semiconductive by removing metallic properties from the grown and formed carbon nanotube. The sensitivity of sensor is improved by improving properties of the semiconductor device. A catalyst accelerating growth of the carbon nanotube is introduced to the location in which the carbon nanotube is formed. The carbon nanotube is formed on the substrate treated by the catalysis. A surface modification agent is processed in the carbon nanotube and a metallic property is removed from the carbon nanotube. The surface modification agent comprises the electron affinity molecule. The electron affinity molecule is selected from nitronium, diazonium, pyrillium and irium.
Abstract translation: 提供碳纳米管用作半导体器件的通道,因为通过从生长和形成的碳纳米管中除去金属性质而仅具有半导体性。 通过改善半导体器件的性能来提高传感器的灵敏度。 碳纳米管的促进生长的催化剂被引入形成碳纳米管的位置。 在通过催化处理的基板上形成碳纳米管。 在碳纳米管中处理表面改性剂,从碳纳米管除去金属性。 表面改性剂包括电子亲和分子。 电子亲和分子选自硝鎓,重氮,吡啶鎓和铱。
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公开(公告)号:KR100692916B1
公开(公告)日:2007-03-12
申请号:KR1020050057443
申请日:2005-06-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서,
상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다.
SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머-
公开(公告)号:KR100495866B1
公开(公告)日:2005-06-16
申请号:KR1020030057136
申请日:2003-08-19
Abstract: 본 발명은 분자자기조립(Molecular Self-Assembled)법이나 랭무어-블로짓 (Langmuir-Blodgett)법 등으로 형성한 단분자 박막(monolayer)을 전자 활성층(electroactive layer)으로 이용하는 분자 전자 소자(molecular electronics devices)에 관한 것으로, 금속-분자-금속이 수직 구조를 이루며 어레이(array) 형태로 구현이 가능한 분자 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 기존의 방법으로 제작하기 어려운 어레이 형태의 소자를 용이하게 제조할 수 있도록 하며, 랭무어-블로짓(LB) 박막과 자기조립 박막 모두에 적용이 가능하다. 상, 하부 전극 사이에 소정의 기능기를 갖는 단분자 박막이 삽입된 분자 전자 소자는 분자의 특성에 따라 분자 다이오드, 분자 스위치, 분자 트랜지스터 등으로 작동될 수 있으며, 고집적 메모리 소자 및 논리 소자에도 적용이 가능하다. 또한, 얇은 박막과 유기물의 특징을 이용하면 유연한 전자 회로 소자(flexible electronic device)에도 적용이 가능하다.
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公开(公告)号:KR101049798B1
公开(公告)日:2011-07-19
申请号:KR1020090086501
申请日:2009-09-14
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 나노 전자소자 및 화학센서, 바이오센서 기타에 응용될 수 있는 단일겹 탄소 나노튜브 트랜지스터의 대량생산 방법에 관한 것이다.
변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법은 SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 형성하여 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층 위에 형성된 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매와 반응한 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계; 및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 한다.
단일겹 탄소나노튜브, 열증착법, 탄소나노튜브트랜지스터, 퍼니스구조, 필오프, 선택적 탄소 나노튜브 성장Abstract translation: 本发明涉及碳纳米管晶体管的单层大量生产方法可以应用于纳米电子器件和化学传感器,生物传感器等。
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公开(公告)号:KR1020110028872A
公开(公告)日:2011-03-22
申请号:KR1020090086501
申请日:2009-09-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L29/72 , B82B3/00 , C01B32/158 , C01B2202/02
Abstract: PURPOSE: A mass production method of single layer carbon nanotube transistor is provided to mass produce the transistor of high performance which can be used as sensor with high sensitivity by enabling the selective growth of the carbon nano tube. CONSTITUTION: The polymethyl methacrylate layer is formed on a silicon substrate. The Fe/Mo catalyst is spread on the polymethyl methacrylate layer. The Fe/Mo catalyst formed on the polymethyl methacrylate layer is peeled off. The polymethyl methacrylate layer is removed by dipping the silicon substrate reacted with the Fe/Mo catalyst in the acetone solution.
Abstract translation: 目的:提供单层碳纳米管晶体管的批量生产方法,大量生产高性能晶体管,可以通过实现碳纳米管的选择性生长,将其用作具有高灵敏度的传感器。 构成:聚甲基丙烯酸甲酯层形成在硅基板上。 Fe / Mo催化剂铺展在聚甲基丙烯酸甲酯层上。 在聚甲基丙烯酸甲酯层上形成的Fe / Mo催化剂被剥离。 通过将与Fe / Mo催化剂反应的硅衬底浸入丙酮溶液中来除去聚甲基丙烯酸甲酯层。
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公开(公告)号:KR1020090128276A
公开(公告)日:2009-12-15
申请号:KR1020080054358
申请日:2008-06-10
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: PURPOSE: A bio sensor and a manufacturing method thereof are provided to fix metal nano-particle using a non-covalent binding mode without destroying covalent bond between carbons of the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A manufacturing method with a metal immobilized carbon nano-tube comprises following steps. A carbon nano-tube transistor including source electrode, drain electrode, and gate and carbon nano-tube(30) is manufactured. In the carbon nano-tube transistor, all electrodes except for the carbon nano-tube are insulated. The insulated carbon nano-tube transistor is put into solution with metallic ion and fixes the metal nano-particle on the surface of the carbon nano-tube.
Abstract translation: 目的:提供生物传感器及其制造方法,以使用非共价结合模式固定金属纳米颗粒,而不破坏碳纳米管的碳之间的共价键。 构成:具有金属固定碳纳米管的制造方法包括以下步骤。 制造包括源电极,漏电极和栅极和碳纳米管(30)的碳纳米管晶体管。 在碳纳米管晶体管中,除了碳纳米管之外的所有电极是绝缘的。 将绝缘碳纳米管晶体管放入金属离子溶液中,并将金属纳米颗粒固定在碳纳米管表面。
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公开(公告)号:KR1020090080653A
公开(公告)日:2009-07-27
申请号:KR1020080006535
申请日:2008-01-22
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0545 , H01L21/02606 , H01L29/0669
Abstract: A method for manufacturing a carbon nano tube transistor and a carbon nano tube transistor by the same are provided to improve a semiconductor property by removing a metallic property inside a carbon nano tube channel inside a carbon nano tube transistor. In a carbon nano tube transistor, a carbon nano tube channel(30) is formed between a source electrode and a drain electrode(20). A gate electrode is formed in one side of the carbon nano tube channel. The carbon nano tube channel is formed on a substrate(10). The source electrode and the drain electrode are electrically connected to both ends of the carbon nano tube channel. A metallic property inside the carbon nano tube channel is removed by applying a stress voltage between the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 提供一种碳纳米管晶体管和碳纳米管晶体管的制造方法,其通过除去碳纳米管晶体管内的碳纳米管通道内的金属特性来提高半导体性能。 在碳纳米管晶体管中,在源电极和漏电极(20)之间形成碳纳米管通道(30)。 栅电极形成在碳纳米管通道的一侧。 碳纳米管通道形成在基板(10)上。 源电极和漏极电连接到碳纳米管通道的两端。 通过在源电极和漏电极之间施加应力电压来去除碳纳米管通道内的金属性质。
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公开(公告)号:KR100907474B1
公开(公告)日:2009-07-13
申请号:KR1020070072051
申请日:2007-07-19
Applicant: 한국화학연구원 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 바이오 센서는 긴 단일 나노와이어 소자의 표면을 직렬로 구획하여 특정의 목표 바이오 분자와 결합할 수 있도록 기능화하여, 동일 또는 다중의 목표 바이오 분자를 동시에 검출한다.
이를 통해 다양한 바이오 물질을 정성적 및/또는 정량적으로 효과적으로 검출할 수 있다. 따라서, 제조공정의 비용을 줄일 수 있으며 여러 가지 바이오 분자에 대한 검출을 빠른 시간에 달성함과 동시에 정확한 분석을 가능하게 한다.
검지단위, 바이오 센서, 탄소나노튜브, 다중 검출
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