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公开(公告)号：KR101306811B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049229
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoamide halogen compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby simply manufacturing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of making a compound of chemical formula 2 react with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.
Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基酰胺卤素化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而简单地制造含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。生长含钨的薄膜 通过使用钨化合物的化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。
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公开(公告)号：KR101306810B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049225
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoalkoxide compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby easily producing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of reacting a compound of chemical formula 2 with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.
Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基烷氧基化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而容易地生产含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。含有钨的薄膜通过 化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。
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公开(公告)号：KR101505125B1
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：KR1020130121985
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 몰리브데넘 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 몰리브데넘 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有热稳定性和高挥发性的钼化合物，由此用于制造包括硫属钼元素的优质薄膜。 在本发明中，提供了一种钼化合物，其用于在制造薄膜时不添加硫属元素的钼硫属化物制造薄膜。 为此，提供了由化学式1表示的钼化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101503031B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR1020140127687A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046352
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钼前体。钼前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钼薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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公开(公告)号：KR1020140127684A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1或2表示的钨前体。钨前体具有热稳定性和挥发性高的优点，并且可以通过使用它们形成高质量的硫化钨薄膜。 [化学式1]（式中，R 1为C 1〜C 4的直链或支链烷基，R 2和R 3各自为C 1〜C 10的独立的直链或支链烷基，R 4和R 5各自为直链或支链的 C1-C10的烷基或C1-C10的直链或支链氟代烷基，R6是C1-C10的直链或支链烷基，n选自1-3的整数。）[化学式2]（In 式中R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3分别是C1-C10独立的直链或支链烷基，R4和R5分别是C1-C10的独立的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟烷基，n选自1至3的整数，X为Cl，Br或I.）。
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公开(公告)号：KR1020140127679A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046343
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 납 전구체에 관한 것으로, 상기 납 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 쉽게 양질의 황화납 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由下式1表示的铅前体。所述前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，在制备薄膜期间不需要加入单独的硫，从而容易地制造高质量的铅 硫化物薄膜。 [式1]（式1中，R 1和R 2各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基，R2和R3各自独立地表示C1-C10的直链或支链烷基或C1的直链或支链的三氟烷基 -C10，N选自1〜3的整数。）。
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公开(公告)号：KR101306812B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049233
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F19/00 , C07F7/10 , C07F11/005 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten silylamide compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby easily manufacturing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of reacting a compound of chemical formula 2 and a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.
Abstract translation: 目的：提供新的钨甲硅烷基化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而容易地制造含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的工序。含有钨的薄膜通过 化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。
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