-
公开(公告)号：WO2015056944A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/KR2014/009606
申请日：2014-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/5813 , C07F11/005 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 본 발명은 몰리브데넘 화합물 또는 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 몰리브데넘 칼코게나이드 또는 텅스텐 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及钼化合物或钨化合物。 该化合物是热稳定的和高挥发性的，因此可以通过使用该化合物获得包含硫族化钼或硫属钨的高质量薄膜。
-
2.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
-
公开(公告)号：KR101505126B1
公开(公告)日：2015-03-24
申请号：KR1020130121987
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 텅스텐 화합물에 관한 것으로, 상기 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 높아 이를 이용하여 텅스텐 칼코게나이드를 포함하는 양질의 박막을 얻을 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有热稳定性和挥发性高的钨化合物，用于制造具有钨硫钨酸盐的优质薄膜。 在本发明中，提供了具有良好的热稳定性和高挥发性的钨化合物，并且用于在制造薄膜时不添加硫属元素的情况下容易地加工薄膜，并且用于制造具有钨硫属钨的薄膜。 为此，提供了由化学式1表示的钨化合物。
-
公开(公告)号：KR101485522B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046352
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及可以形成在钼前体是热稳定的和波动是高的，并且使用的由式（I）表示的钼前体的优点，这种品质硫化钼薄膜或（II） 。
-
公开(公告)号：KR101485521B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046351
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140127686A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046351
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 몰리브데넘 전구체에 관한 것으로, 상기 몰리브데넘 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화몰리브데넘 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钼前体，其中允许包含硫的钼前体改善热稳定性和挥发性，并且在制造薄膜时不需要加入额外的硫，因此用于制造钼的质量 硫化物薄膜。 在化学式1中，R1是C1-C4的直链或支链烷基，R2和R3独立地是C1-C10的直链或支链烷基，R4和R5独立地是C1-C10的直链或支链烷基或 C1-C10的直链或支链氟代烷基和n选自1至3的整数。
-
公开(公告)号：KR101485520B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由式1或2的方法，其中所述钨前体是热稳定的并且具有高的挥发性的优点可通过使用此形成硫化钨的高品质的薄膜，所表示的钨前体。
-
公开(公告)号：KR1020140127678A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046342
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/005 , C23C16/305
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的钨前体。钨前体是含硫的前体，改善热稳定性和挥发性，并且在薄膜制造期间不需要添加额外的硫，从而能够形成高质量的钨 硫化物薄膜。 （式中，R_1为C1-C4的直链或支链烷基，R_2和R_3分别为C1-C10的直链或支链烷基，R_4和R_5分别为C1- C10或C1-C10的直链或支链氟烷基，n为1-3的整数。
-
公开(公告)号：KR101306813B1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020120049235
申请日：2012-05-09
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoamide azide compound is thermally stable and highly volatile, so that the novel tungsten aminoamide azide compound can be used in producing a thin film including quality tungsten. CONSTITUTION: A novel tungsten aminoamide azide compound is indicated as the chemical formula 1. A preparation method of the novel tungsten aminoamide azide compound indicated as the chemical formula 1 comprises a step of generating the reaction of a compound represented by the chemical formula 2 and a compound represented by the chemical formula 3. A method for growing a thin film containing tungsten by using the novel tungsten aminoamide azide compound is provided. The film growth process is performed by the chemical vapor deposition (CVD) method or the atomic layer deposition (ALD) method.
Abstract translation: 目的：新型钨氨基酰胺叠氮化合物具有热稳定性和高挥发性，因此新型钨氨基酰胺叠氮化合物可用于生产包含优质钨的薄膜。 构成：化学式1表示新的钨氨基酰胺叠氮化合物。作为化学式1表示的新型氨基酰胺叠氮化合物的制备方法，包括产生由化学式2表示的化合物与 化学式3表示的化合物。提供了使用新的氨基酰胺叠氮化合物生长含钨的薄膜的方法。 通过化学气相沉积（CVD）方法或原子层沉积（ALD）方法进行膜生长过程。
-
公开(公告)号：KR101485519B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046342
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.019 seconds)
