公开(公告)号：WO2020189912A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/KR2020/002774

申请日：2020-02-26

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정식 ,  정동민

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/033

Abstract: 극자외선 리소그래피용 마스크가 제공된다. 상기 극자외선 리소그래피용 마스크는 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer), 및 상기 복수의 단위막 사이 중 어느 하나에 배치되는 식각 정지막(etch stop layer)을 포함하고, 상기 식각 정지막을 노출시키는 트렌치(trench)를 갖는 반사 구조체, 및 상기 트렌치의 바닥면 상에 배치되는 흡수 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2018048005A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：PCT/KR2016/010478

申请日：2016-09-20

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정환 ,  홍성철

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

Abstract: 마스크 보호 모듈이 제공된다. 상기 마스크 보호 모듈은, 프레임(frame), 상기 프레임에 의해 지지되는 멤브레인(membrane)을 포함하되, 상기 멤브레인은, 광의 투과도, 열 전달율, 또는 강도 중에서 적어도 어느 하나가 다른 영역들을 포함할 수 있다.

Abstract translation:

提供掩码保护模块。 面罩保护模块可以包括框架，由框架支撑的膜，并且膜可以包括具有透光率，热传递率和强度中的至少一个的区域。

公开(公告)号：WO2017131358A1

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：PCT/KR2017/000263

申请日：2017-01-09

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  김정환 ,  김정식 ,  우동곤 ,  장용주

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층 및 열방출층이 교대로 적층된 중간막 구조체(intermediate layer structure), 상기 중간막 구조체의 상부면 상의 제1 박막, 및 상기 중간막 구조체의 하부면 상에 배치되고 상기 제1 박막보다 낮은 열복사율을 갖는 제2 박막을 포함하는 펠리클 멤브레인을 준비하는 단계, 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층이 노출된 가장자리 측면(sidewall) 상에 상기 펠리클 멤브레인으로부터 열을 흡수하는 냉각구조체를 배치하는 단계를 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.

Abstract translation: 的

多个EUV（极紫外）传送层和散热层的交替层叠层间膜结构（中间层结构），如权利要求1所述的中间膜，该结构的顶表面上的薄膜，并且层间膜结构 设置在所述下表面上的防护膜是在舞台上，所述防护膜（侧壁）的散热层的暴露边缘的表面，制成防护膜和具有比所述第一薄膜更低的热辐射速率的第二薄膜 一种制造EUV薄膜结构的方法，包括设置从基板吸收热量的冷却结构的步骤。

公开(公告)号：KR1020160143917A

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：KR1020150079159

申请日：2015-06-04

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 김정식 ,  안진호 ,  홍성철

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26

Abstract: 극자외선노광공정용마스크가제공된다. 상기극자외선노광공정용마스크느, 기판, 상기기판상에교대로그리고반복적으로적층된제1 물질막및 제2 물질막을포함하는반사막, 상기반사막상의캡핑막, 및상기캡핑막상에차례로적층된위상변조패턴및 흡수패턴을포함하되, 상기위상변조패턴및 상기흡수패턴의측벽들은, 상기캡핑막의상부면에대해서비스듬할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种用于极紫外（EUV）光刻工艺的掩模。 掩模包括基板，包括在基板上交替重复堆叠的第一材料层和第二材料层的反射层，反射层上的覆盖层，以及依次层叠在封盖层上的相移层和吸收层 。 相移层和吸收层的侧壁可以与覆盖层的顶表面倾斜。

公开(公告)号：KR101676514B1

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020120133967

申请日：2012-11-23

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  이재욱 ,  홍성철 ,  이승민

IPC: G03F1/26

Abstract: 단일층흡수체박막을이용한극자외선노광공정용위상반전마스크를제공한다. 상기위상반전마스크는기판; 상기기판상에위치하고극자외선을반사하는다층박막으로구성된반사층; 및상기반사층상에위치하고패턴화된단일층박막으로구성된흡수층을포함하며, 상기흡수층은극자외선에대하여 5 내지 10%의반사도를가지고, 상기흡수층에서반사되는극자외선은상기반사층에서반사되는극자외선과 180±15°의위상차를가진다. 이에따르면, 마스크제작공정을단순화하고, 고명암비의이미지를얻을수 있으며, 선폭이좁은미세패턴에대하여도높은임계치수균일성을확보하여공정상수율을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 公开了使用单层吸收体薄膜进行极紫外光刻的相移掩模。 掩模包括：基底; 位于基板上的反射层，包括反射极紫外线的多层薄膜; 以及位于反射层上并包含图案化单层薄膜的吸收层。 吸收层对极紫外线的反射率为5-10％。 从吸收层反射的极紫外线与反射层反射的极紫外线相差180±15°。 根据相移掩模，简化了掩模制造工艺，可以获得高对比度的图像，并且可以通过在狭窄的精细图案上确保高的临界尺寸均匀性来提高产量。

公开(公告)号：KR1020150139099A

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：KR1020140066930

申请日：2014-06-02

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최창환 ,  안진호 ,  김도형 ,  길영인

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 나노전극층생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는몰드(mold)를형성하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역에금속나노파티클(metal nano particle)을채우는단계; 전사대상이되는기판의표면중 상기몰드가임프린팅되는표면에에탄올또는다아이워터(DI water) 중적어도어느하나를이용하여스핀코팅(spin coating)을수행하는단계; 상기스핀코팅이수행된기판의표면에상기금속나노파티클이채워진상기몰드를임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기몰드를제거하여상기기판에상기금속나노파티클로형성된나노전극을생성하는단계를포함한다.

Abstract translation: 纳米电极层生成方法包括以下步骤：形成模具，其具有刻有刻蚀的预设图案的表面; 用金属非颗粒在表面上用预设的雕刻图案填充该区域; 使用乙醇和去离子水（DI）中的任一种或两者来旋涂用于作为转印靶的基材的表面以印模; 将填充有金属纳米颗粒的模具印刷到旋涂基材的表面上; 并通过去除模具在金属纳米颗粒的基板上形成纳米电极。

公开(公告)号：KR101462357B1

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：KR1020130146831

申请日：2013-11-29

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 고기영 ,  안진호 ,  김기강 ,  박철균

IPC: B82B3/00

CPC classification number: B82B3/0095 ,  B82Y40/00

Abstract: 나노스피어 어레이 제조 장치가 제공된다. 상기 나노스피어 어레이 제조 장치는, 지면에 대해서 기울어진 바닥면을 갖는 반응조, 나노스피어를 공급하는 주입 펌프, 및 상기 반응조의 상기 바닥면에 대해서 기울어지도록 상기 반응조의 제1 측벽 상에 배치되고, 상기 주입 펌프에서 공급되는 상기 나노스피어를 상기 반응조 내로 가이드(guide)하는 가이드 기판을 포함한다.

Abstract translation: 提供制造纳米球阵列的装置。 制造纳米球阵列的装置包括：具有相对于地表面倾斜的底表面的反应罐; 供应纳米球的注射泵; 以及布置在反应罐的第一侧壁上的引导板，以便相对于将从注射泵供给的纳米球引导到反应罐中的反应罐的底表面倾斜。

公开(公告)号：KR100722853B1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050054341

申请日：2005-06-23

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 박인성 ,  김경래 ,  고한경 ,  이태호 ,  안진호

IPC: H01L27/10

Abstract: 본 발명은 절연체 박막의 형성과 저온에서의 열처리를 복수회 반복하여 절연체 박막을 적층함으로써 포밍과정없이도 정상적인 스위칭 동작이 가능하면서도 낮은 동작전압을 가지는 저항 메모리 소자를 제공한다.
이를 위하여 본 발명에 의한 저항 메모리 소자의 제조방법은 먼저 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 하부전극을 증착하는 단계와, 상기 하부전극 상에 절연체 박막을 증착하는 단계와, 제 1 열처리 단계로서 상기 절연체 박막에서 상변화가 일어나지 않을 범위의 온도에서 열처리하는 단계와, 상기 절연체 박막을 증착하는 단계 및 제 1 열처리 단계를 순차적으로 복수회 반복하여 원하는 두께의 절연체 박막을 적층하는 단계와, 제 2 열처리 단계로서 상기 절연체 박막에 있어서 상변화가 일어나는 범위의 온도에서 열처리하는 단계와, 상기 절연체 박막 상에 상부전극을 증착하는 단계로 이루어진다.
RRAM, 저항메모리, 포밍

公开(公告)号：KR102256578B1

公开(公告)日：2021-05-26

申请号：KR1020190152462

申请日：2019-11-25

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  우동곤 ,  김영웅

IPC: G01N21/47 ,  G01N21/88 ,  G01N21/956 ,  G03F7/20

Abstract: 피검사체(object)에대한타이코그래피이미징장치및 방법이개시된다. 타이코그래피이미징방법은, 상기피검사체에대해검사광원(probe)을조사하여복수의회절패턴을획득하는단계; 상기복수의회절패턴에대한위상을산출하는단계; 상기산출된위상정보를타이코그래피반복이미징의초기위상정보로입력하는단계; 타이코그래피반복이미징을수행하는단계; 및상기타이코그래피반복이미징결과로최종업데이트된피검사체및 검사광원중 하나이상에대한정보를획득하는단계를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102217847B1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：KR1020170101993

申请日：2017-08-11

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 박인성 ,  안진호 ,  정용찬 ,  성세종 ,  이태훈 ,  이박 ,  김선용

IPC: H01L21/02

Abstract: 챔버내에기판을준비하는단계, 상기챔버내에실리콘(Si) 전구체를제공하는단계, 상기챔버내에수소를포함하는가스및 산소를포함하는가스를제공함으로써, 상기수소를포함하는가스및 상기산소를포함하는가스가서로반응하여상기챔버내에 H2O 산화제가생성되는단계, 및상기실리콘전구체와상기 H2O 산화제내의산소가반응하여실리콘및 산소를포함하는박막이형성되는단계를포함하는절연막의제조방법이제공될수 있다.