Abstract:
PURPOSE: A power semiconductor device is provided to reduce manufacturing costs by not executing an ion implantation process and a diffusion process and simplifying process. CONSTITUTION: An epitaxial layer(110) of an n-type is formed on the upper side of a semiconductor substrate(100) of the n-type. An epitaxial pattern(120) of a p-type is formed on the upper side of the epitaxial layer of the n-type. An insulating layer(130) is formed at the upper side of the exposed epitaxial pattern of the p-type and the exposed epitaxial layer of the n-type. A metal material(140) is formed at the upper side of the epitaxial layer of the n-type, the epitaxial pattern of the p-type, and the insulating layer. An ohmic contact layer(160) is formed at the lower side of the semiconductor substrate by evaporating the metal material.
Abstract:
PURPOSE: A power generating device for a vehicle tire is provided to obtain the excellent durability by using a diaphragm including a piezoelectric. CONSTITUTION: A power generating device for a vehicle tire comprises a housing, a fixed wafer(20), and a diaphragm(30). The housing has an internal space. The fixed wafer is arranged in the housing. The diaphragm is contacted with the fixed wafer to generate electrical energy by the external vibration, pressure and sound energy. The diaphragm is arranged at an upper side of the fixed wafer at regular intervals and is formed in a square and circular shape. The diaphragm includes a silicon wafer(31). The silicon wafer is directly contacted with the fixed wafer to adjust the resonant frequency.
Abstract:
A comb engine oil deterioration detection sensor using a photosensitive polymer and a manufacturing method thereof are provided to improve heat resistance and chemical resistance characteristic by forming a sensor detection film with a photosensitive polymer. A manufacturing method of a comb engine oil deterioration detection sensor using a photosensitive polymer comprises: a step of coating a photoresist layer in a chrome layer on a glass substrates(11); a step of exposing the photoresist layer to an ultraviolet ray; a step of developing the photoresist layer exposed to the ultraviolet ray and forming electrodes(12) by etching the chrome layer; a step of completing the electrodes by removing the photoresist layer; a step of coating a synthesized material(13) of photosensitive polymer and carbon nanotube in the electrode; a step of exposing the synthesized material to the ultraviolet ray; and a step of developing the synthesized material of the carbon nanotube and the photosensitive polymer exposed to the ultraviolet ray and rinsing the synthesized material.
Abstract:
A method for preparing a sensor sensing for the automobile exhaust gas is provided to improve the selective sensitivity of the exhaust gas of a diesel car and to enhance the reaction velocity and gas sensitivity of SnO2. A method for preparing a sensor sensing for the automobile exhaust gas comprises the steps of dissolving tin chloride hydrate (SnCl2À2H2O) in water at a room temperature and adding an amine hydrate (N2H4À2H2O) aqueous solution to it; adding 5-100 ppm of PtCl4 as a nucleating agent when the mixture solution is cooled to 20 deg.C and stirring it; adding 50% NaOH aqueous solution to it after stirring; and heat treating it at 600 deg.C for 1 hour to oxide it into SnO2.
Abstract:
본 발명은 교차 접합된 SOI 웨이퍼를 이용한 실리콘 부양구조물의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 통상적인 SOI 웨이퍼가 가지는 실리콘 산화물의 두께를 사용하면서도 상부 진동구조물의 식각을 회피하고 하부 핸들링 웨이퍼만을 식각하여, 실리콘 구조물과 하부 핸들링 웨이퍼 간의 갭을 50 미크론 이상 확보할 수 있도록 한 교차 접합된 SOI 웨이퍼를 이용한 실리콘 부양구조물의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 상기 프로세스 웨이퍼 및 핸들링 웨이퍼에 각각 산화막을 성장시키는 1단계; 상기 프로세스 웨이퍼 및 핸들링 웨이퍼를 접합하는 2단계; 상기 프로세스 웨이퍼를 제작하고자 하는 실리콘 구조물의 두께에 맞도록 조절하는 3단계; 상기 프로세스 웨이퍼의 상면에 마스크를 증착하는 4단계; 포토리소그래피 공정을 수행하여 패턴을 일반화하는 5단계; PR 패턴을 이용하여 마스크를 패터닝하는 6단계; 상기 패터닝된 마스크에 의해 프로세스 웨이퍼를 식각하여 실리콘 구조물을 한정하는 7단계; 상기 실리콘 구조물의 측벽면을 보호하기 위해 산화막을 성장시키는 8단계; 상기 실리콘 구조물의 식각으로 드러난 실리콘 산화막을 식각하여 제거하는 9단계; 상기 핸들링 웨이퍼을 식각하여 실리콘 구조물을 부양하는 10단계; 및 상기 실리콘 구조물을 둘러싸고 있는 산화막을 제거하는 11단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 교차 접합된 SOI 웨이퍼를 이용한 실리콘 부양구조물의 제조방법을 제공한다. SOI 웨이퍼, 실리콘 산화물, 포토리소그래피, 마스크, 프로세스 웨이퍼, 실리콘 구조물
Abstract:
본 발명은 SOI 기판에서 실리콘 부양구조물의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 통상적인 SOI 웨이퍼가 가지는 실리콘 산화물의 두께를 사용하면서도 상부 진동구조물의 식각을 회피하고 하부 핸들링 웨이퍼만을 식각하여, 실리콘 구조물과 하부 핸들링 웨이퍼 간의 갭을 50 미크론 이상 확보할 수 있도록 한 SOI 기판에서 실리콘 부양구조물의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 공정에 사용될 SOI 웨이퍼를 준비하는 1단계; 포토리소그래피 공정을 수행하여 패턴을 일반화하는 2단계; PR 패턴을 이용하여 마스크를 패터닝하는 3단계; 상기 패터닝된 마스크에 의해 프로세스 웨이퍼를 식각하여 실리콘 구조물을 한정하는 4단계; 상기 실리콘 구조물의 측벽면을 보호하기 위해 산화막을 형성하는 5단계; 상기 실리콘 구조물의 식각으로 드러난 실리콘 산화막을 식각하여 제거하는 6단계; 상기 실리콘 구조물의 형상과 동일하게 핸들링 웨이퍼에 투영된 부분을 제거하는 7단계; 및 상기 실리콘 구조물을 둘러싸고 있는 산화막을 제거하는 8단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOI 기판에서 실리콘 부양구조물의 제조방법을 제공한다. SOI 웨이퍼, 실리콘 산화물, 포토리소그래피, 마스크, 프로세스 웨이퍼, 실리콘 구조물
Abstract:
PURPOSE: A production method of connecting rod is provided to occur a sharp crack in a desired portion during biaxial molding by fracture partially without hot forging. CONSTITUTION: Resin is coated on a subsidiary metal mold exposed from a closed metal mold when casting in the closed metal mold by compression. Compression is performed with input of powder into the metal mold after the subsidiary metal mold descends into the metal mold. The subsidiary mold is hidden into a lower metal mold faster than the compressing speed of an upper mold. After continuous compression, a product is separated from the mold. The procedure is repeated to easily form partial fraction.
Abstract:
본 발명은 비휘발성 전해질 및 이를 이용한 염료감응 태양전지 제조 방법에 대한 것이다. 보다 상세하게 태양전지 모듈의 내구 시험 중 안정성을 유지하고 기존 액체 전해질처럼 모듈 실링 파괴 문제가 발생하지 않으면서 동시에 이온 이동성 개선되어 효율이 향상된 전해질에 관한 것이다.