公开(公告)号：DE112012004718T5

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE112012004718

申请日：2012-11-02

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  HUANG WU-SONG ,  HOLMES STEVEN J ,  BREYTA GREGORY ,  LIU SEN

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine hybride Photoresistzusammensetzung für eine verbesserte Auflösung sowie auf ein musterbildendes Verfahren unter Verwendung der Photoresistzusammensetzung. Die Photoresistzusammensetzung beinhaltet einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator, ein quervernetzendes Agens sowie ein Polymer mit einer hydrophoben Monomer-Einheit und einer hydrophilen Monomer-Einheit, die eine Hydroxyl-Gruppe enthält. Wenigstens einige der Hydroxyl-Gruppen sind mit einer säurelabilen funktionellen Gruppe mit einer niedrigen Aktivierungsenergie geschützt. Das Photoresist ist in der Lage, eine hybride Reaktion auf eine einzelne Belichtung zu erzeugen. Das musterbildende Verfahren verwendet die hybride Reaktion, um eine Struktur mit Muster in der Photoresistschicht zu bilden. Die Photoresistzusammensetzung und das musterbildende Verfahren der vorliegenden Erfindung sind nützlich, um kleine Elemente mit einer präzisen Abbildungssteuerung zu drucken, im Besonderen Zwischenräume mit geringen Abmessungen.

公开(公告)号：DE69322946D1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：DE69322946

申请日：1993-10-15

Applicant: IBM

Inventor： BREYTA GREGORY ,  KNORS CHRISTOPHER JOHN ,  ITO HIROSHI ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  C08F8/12

Abstract: The present invention relates to an improved chemically amplified photoresist composition comprising (i) a photosensitive acid generator and (ii) a polymer comprising the reaction product of hydroxystyrene with acrylate, methacrylate or a mixture of acrylate and methacrylate.

公开(公告)号：MX2023006495A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：MX2023006495

申请日：2021-12-02

Applicant: IBM

Inventor： BREYTA GREGORY ,  ALLEN ROBERT DAVID ,  PAREKH NITIN SHASHIKANT

IPC: C08J11/08 ,  B29B17/02 ,  C08J11/04 ,  C08J11/20 ,  C08J11/24

Abstract: Se prepara un material de poliéster residual para reciclaje disolviendo el material en una solución que comprende alcohol hexafluoroisopropílico (HFIPA) y un hidrocarburo clorado, como diclorometano (DCM) y/o un hidrocarburo aromático, como tolueno o xileno, para formar una muestra de poliéster disuelto. El poliéster disuelto puede prepararse para reciclaje por evaporación, secado por rocío y/o precipitación, lo cual produce un producto de poliéster sólido purificado. La solución de disolución, la cual se separa del producto de poliéster sólido purificado, también se recicla a través de destilación con purificación.

公开(公告)号：DE112020001130T5

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE112020001130

申请日：2020-03-02

Applicant: IBM

Inventor： KIM JANGWOO ,  NA YOUNG-HYE ,  BREYTA GREGORY

IPC: H01M10/056 ,  H01M4/06 ,  H01M6/14 ,  H01M10/054

Abstract: Eine Batterie, aufweisend: eine Anode; einen Elektrolyt, aufweisend: ein oxidierendes Gas; ein aktives Kathodenmaterial, aufweisend ein Metallhalogenid; und ein Lösungsmittel, das eine heterocyclische Verbindung enthält; und einen Stromabnehmer in Kontakt mit dem aktiven Kathodenmaterial.

公开(公告)号：DE69324439D1

公开(公告)日：1999-05-20

申请号：DE69324439

申请日：1993-10-29

Applicant: IBM

Inventor： BREYTA GREGORY ,  CLECAK NICHOLAS JEFFRIES ,  HINSBERG III WILLIAM DINAN ,  HOFER DONALD CLIFFORD ,  ITO HIROSHI ,  MACDONALD SCOTT ARTHUR ,  SOORIJAKUMARAN RATMAN

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/16 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/47

Abstract: A lithographic imaging process is provided for use in the manufacture of integrated circuits. A substrate is coated with a polymeric film comprising a vinyl polymer, a photosensitive acid generator, and acid labile groups. It is then heated to typically just above the glass transition temperature of the polymer, but below the cleavage temperature of the acid labile groups. The film is then expose imagewise to radiation to generate free acid, and the film is once more heated, again to typically just above the glass transition temperature of the polymer, but below the cleavage temperature of the acid labile groups. Finally the image is developed. The process provides protection to the photoresist film from airborne chemical contaminants.