DIRECTED SELF-ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS USING SEGMENTED PREPATTERNS
    1.
    发明申请
    DIRECTED SELF-ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS USING SEGMENTED PREPATTERNS 审中-公开
    使用SEGMENTED PREPATTERNS的嵌段共聚物的方向自组装

    公开(公告)号:WO2010133422A3

    公开(公告)日:2011-05-12

    申请号:PCT/EP2010055412

    申请日:2010-04-23

    Abstract: An opening in a substrate is formed, e.g., using optical lithography, with the opening having sidewalls whose cross section is given by segments that are contoured and convex. The cross section of the opening may be given by overlapping circular regions, for example. The sidewalls adjoin at various points, where they define protrusions. A layer of polymer including a block copolymer is applied over the opening and the substrate, and allowed to self-assemble. Discrete, segregated domains form in the opening, which are removed to form holes, which can be transferred into the underlying substrate. The positions of these domains and their corresponding holes are directed to predetermined positions by the sidewalls and their associated protrusions. The distances separating these holes may be greater or less than what they would be if the block copolymer (and any additives) were to self-assemble in the absence of any sidewalls.

    Abstract translation: 例如使用光刻法形成衬底中的开口,其中开口具有侧壁,其横截面由轮廓和凸形的部分给出。 例如,开口的横截面可以由重叠的圆形区域给出。 侧壁在各个点处相邻,在那里它们限定突起。 将包含嵌段共聚物的聚合物层施加在开口和基底上,并允许自组装。 在开口中形成离散的分离的区域,其被去除以形成孔,其可以被转移到下面的基底中。 这些区域及其对应的孔的位置通过侧壁及其相关联的突起被引导到预定位置。 分离这些孔的距离可以大于或小于如果嵌段共聚物(和任何添加剂)在没有任何侧壁的情况下自组装就会发生。

    Verfahren zur gezielten Selbstorganisation mit Immersionslithographie bei 193 NM und daraus gebildete Schichtstrukturen

    公开(公告)号:DE112010004848T5

    公开(公告)日:2012-09-27

    申请号:DE112010004848

    申请日:2010-11-26

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Schichtstruktur, die eine Struktur von Bereichen eines selbstorganisierten Materials umfasst, umfasst folgende Schritte: Aufbringen einer Fotolackschicht, die einen nicht vernetzenden Fotolack umfasst, auf ein Substrat; wahlweise Aushärten der Fotolackschicht; Belichten einzelner Strukturbereiche der Fotolackschicht mit einer ersten Strahlung; wahlweise Aushärten der belichteten Fotolackschicht; und Entwickeln der belichteten Fotolackschicht mit einem nicht alkalischen Entwickler, um eine strukturierte Negativ-Fotolackschicht zu bilden, die unvernetzten entwickelten Fotolack umfasst; wobei der entwickelte Fotolack in einem bestimmten organischen Lösemittel unlöslich ist, das zum Gießen eines bestimmten Materials geeignet ist, welches zur Selbstorganisation in der Lage ist, und wobei der entwickelte Fotolack in einem wässrigen alkalischen Entwickler und/oder in einem zweiten organischen Lösemittel löslich ist. Eine Lösung, die das bestimmte Material umfasst, welches zur Selbstorganisation in der Lage und in dem bestimmten organischen Lösemittel gelöst ist, wird auf die strukturierte Fotolackschicht gegossen und das bestimmte organische Lösemittel wird entfernt. Dem gegossenen bestimmten Material wird die Möglichkeit zur Selbstorganisation gegeben, während das gegossene bestimmte Material wahlweise erwärmt und/oder getempert wird, wodurch die Schichereichen des selbstorganisierten bestimmten Materials umfasst.

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