公开(公告)号：DE102021130633A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102021130633

申请日：2021-11-23

Applicant: IBM

Inventor： CHEN QIANWEN ,  NAH JAE-WOONG ,  DANG BING ,  PANCOAST LEANNA ,  KNICKERBOCKER JOHN

IPC: H01M50/119 ,  H01M50/159

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mikrobatterie bereitgestellt. Das Verfahren umfasst Bilden einer Mikrobatterieeinheit durch Bilden einer ersten Metallanodendurchkontaktierung und einer ersten Metallkathodendurchkontaktierung in einem ersten Substrat, Bilden einer ersten Metallschicht auf einer Unterseite des ersten Substrats, Bilden eines ersten Batterieelements auf einer Oberseite des Substrats, Bilden einer Verkapselungsschicht um das erste Batterieelement herum, Bilden von Gräben durch die Verkapselungsschicht und das erste Substrat auf verschiedenen Seiten des ersten Batterieelements und Bilden einer Metallversiegelungsschicht in den Gräben, um zumindest eine Mehrzahl von Seitenwandflächen des ersten Batterieelements zu bedecken. Die Metallversiegelungsschicht ist durch die erste Metallschicht und die erste Metallkathodendurchkontaktierung elektrisch mit dem Batterieelement verbunden.

公开(公告)号：DE112015004453B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE112015004453

申请日：2015-10-19

Applicant: IBM

Inventor： GELORME JEFFREY ,  HUNG LI-WEN ,  ANDRY PAUL ,  KANG-I TSANG CORNELIA ,  KNICKERBOCKER JOHN ,  ALLEN ROBERT DAVID

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, das aufweist:Verbinden eines Handhabungs-Wafers mit einer Vorderfläche eines Einheiten-Wafers mit einem phenoxyharzhaltigen Haftmittel, wobei das Phenoxyharz eine Viskosität in einem Bereich von 100 bis 10.000 Pa·s bei einer Temperatur in einem Bereich von 160 °C bis 210 °C und unter einem Druck von 1.000 mbar pro Fläche bei einer Wafer-Größe von 8 Zoll bei dem Einheiten-Wafer und/oder dem Handhabungs-Wafer aufweist;Vermindern der Dicke des Einheiten-Wafers von der Rückseite des Einheiten-Wafers aus, während der Einheiten-Wafer haftend an dem Handhabungs-Wafer anliegt; undEntfernen des phenoxyharzhaltigen Haftmittels durch Laser-Ablösen, wobei der Einheiten-Wafer von dem Handhabungs-Wafer getrennt wird.

公开(公告)号：DE112018005501T5

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE112018005501

申请日：2018-09-07

Applicant: IBM

Inventor： SIU VINCE ,  LU MINHUA ,  COLGAN EVAN ,  BUDD RUSSELL ,  KNICKERBOCKER JOHN

IPC: G01N21/00

Abstract: Es wird eine tauchfeste Sensoreinheit, die als kleines Pellet gestaltet ist, zum Prüfen von biologischen und anderen flüssigen Proben bereitgestellt. Bei einer Erscheinungsform weist die Sensoreinheit auf: ein Gehäuse; und einen oder mehrere Sensoren, die in dem Gehäuse enthalten sind, wobei das Gehäuse die Sensoren hermetisch abdichtet, so dass die Sensoreinheit völlig tauchfest in einem flüssigen Analyten ist. Ferner werden ein Verfahren und ein System zur Analyse einer flüssigen Probe unter Verwendung der vorliegenden Sensoreinheit bereitgestellt.

公开(公告)号：DE112016000381B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE112016000381

申请日：2016-02-15

Applicant: IBM

Inventor： COLGAN EVAN GEORGE ,  DENNEAU MONTY MONTAGUE ,  KNICKERBOCKER JOHN

IPC: H01L23/367 ,  G06F1/18 ,  G06F1/20 ,  H01L23/473 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterstruktur, aufweisend:mindestens einen Halbleiterprozessor-Wafer, der starr an einer von Einheiten freien Seite an einem flüssigkeitsgekühlten Substrat angebracht ist, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient dem des Halbleiterprozessor-Wafers gleich ist, wobei der Halbleiterprozessor-Wafer zwei oder mehr Chips enthält, die durch eine On-Chip-Verdrahtungsebene miteinander verbunden sind, wobei Substrate jedes Chips an einzelnen Chips auf einer Einheitenseite des Halbleiterprozessor-Wafers angebracht sind, wobei die Chip-Substrate eine kleinere Fläche einnehmen als die Chips auf dem Wafer, undeine oder mehrere an jedem Chip-Substrat angebrachte Karten, wobei eine Hauptfläche jeder Karte senkrecht zu einer Fläche des Halbleiterprozessor-Wafers steht.

公开(公告)号：DE112016000381T5

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE112016000381

申请日：2016-02-15

Applicant: IBM

Inventor： COLGAN EVAN GEORGE ,  DENNEAU MONTY MONTAGUE ,  KNICKERBOCKER JOHN

IPC: H01L21/70

Abstract: Eine Halbleiterstruktur enthält ein Substrat mit Kühlschichten, Kühlkanälen, Kühlmittelzuleitungen und -ableitungen in Fluidverbindung mit den Kühlkanälen, und eine Einheitenschicht auf den Kühlschichten mit einem oder mehreren Verbindungspunkten und eine Einheitenschichtfläche. Der Wärmeausdehnungskoeffizient der Einheitenschicht ist im Wesentlichen gleich dem der Kühlschichten. Eine Mehrzahl von Laminatsubstraten sind auf der Einheitenschicht angeordnet und elektrisch mit dieser verbunden. Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Laminatsubstrats ist von dem der Einheitenschicht verschieden, jedes Laminatsubstrat ist kleiner als ein Bereich der Einheitenschicht, auf dem es angebracht ist, und jedes Laminatsubstrat enthält Lücken zwischen Seiten benachbarter Laminatsubstrate. Die Laminatsubstrate sind über die Lücken zwischen ihnen hinweg nicht elektrisch oder mechanisch miteinander verbunden, und die Laminatsubstrate sind klein genug, um ein Aufwölben der Einheitenschichten, der Verbindungsschichten und der Kühlschichten aufgrund von Wärmeausdehnung zu verhindern.