Dünnschicht-Kompositmembrane mit funktionalisierten Stern-Polymeren sowie Verfahren zu deren Herstellung

    公开(公告)号:DE112015002787B4

    公开(公告)日:2019-11-14

    申请号:DE112015002787

    申请日:2015-07-13

    Applicant: IBM

    Abstract: Dünnschicht-Kompositmembran (TFC), die eine aktive Schicht auf einer Oberfläche einer Trägermembran aufweist, wobei die Trägermembran ein erstes Oberflächenpotential aufweist, wobei die aktive Schicht einen mehrschichtigen Stapel aus Barrierenschichten aufweist, wobei jede der Barrierenschichten selbstorganisierende Stern-Polymere aufweist, wobei der mehrschichtige Stapel zwei oder mehr aufeinander gebildete Schichtpaare aufweist, wobei jedes Schichtpaar aufweist:a) eine erste geladene Barrierenschicht, wobei die erste geladene Barrierenschicht ein erstes Stern-Polymer mit einem zweiten Oberflächenpotential aufweist, das entgegengesetzt zu dem ersten Oberflächenpotential ist; undb) eine auf der ersten geladenen Barrierenschicht gebildete zweite geladene Barrierenschicht, wobei die zweite geladene Barrierenschicht ein zweites Stern-Polymer mit einem dritten Oberflächenpotential aufweist, das entgegengesetzt zu dem zweiten Oberflächenpotential ist,wobei die erste geladene Barrierenschicht eines ersten Schichtpaars der zwei oder mehr Schichtpaare auf der Oberfläche gebildet ist, wobei die erste geladene Barrierenschicht jedes auf ein gegebenes Schichtpaar nachfolgenden Schichtpaars der zwei oder mehr Schichtpaare auf der zweiten geladenen Barrierenschicht des gegebenen Schichtpaars gebildet ist.

    Methods of directed self-assembly with 193 - nm immersion lithography and layered structures formed therefrom

    公开(公告)号:GB2488250A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:GB201203583

    申请日:2010-11-26

    Applicant: IBM

    Abstract: A method of forming a layered structure comprising a domain pattern of a self-assembled material comprises: disposing on a substrate a photoresist layer comprising a non-crosslinking photoresist; optionally baking the photoresist layer; pattern- wise exposing the photoresist layer to first radiation; optionally baking the exposed photoresist layer; and developing the exposed photoresist layer with a non-alkaline developer to form a negative-tone patterned photoresist layer comprising non-crosslinked developed photoresist; wherein the developed photoresist is not soluble in a given organic solvent suitable for casting a given material capable of self-assembly, and the developed photoresist is soluble in an aqueous alkaline developer and/or a second organic solvent. A solution comprising the given material capable of self-assembly dissolved in the given organic solvent is casted on the patterned photoresist layer, and the given organic solvent is removed. The casted given material is allowed to self-assemble while optionally heating and/or annealing the casted given material, thereby forming the layered structure comprising the domain pattern of the self-assembled given material.

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