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公开(公告)号：EP1851589A4
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：EP06735757
申请日：2006-02-22
Applicant: IBM
Inventor： ALLEN ROBERT DAVID , BROCK PHILLIP JOE , GIL DARIO , HINSBERG WILLIAM DINAN , LARSON CARL ERIC , SUNDBERG LINDA KARIN , WALLRAFF GREGORY MICHAEL
IPC: G03C1/00
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: A topcoat material for applying on top of a photoresist material is disclosed. The topcoat material comprises at least one solvent and a polymer which has a dissolution rate of at least 3000 A/second in aqueous alkaline developer. The polymer contains a hexafluoroalcohol monomer unit comprising one of the following two structures: (I) wherein n is an integer. The topcoat material may be used in lithography processes, wherein the topcoat material is applied on a photoresist layer. The topcoat material is 10 preferably insoluble in water, and is therefore particularly useful in immersion lithography techniques using water as the imaging medium.
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2.发明申请LOW-K INTERLEVEL DIELECTRIC MATERIALS AND METHOD OF FORMING LOW-K INTERLEVEL DIELECTRIC LAYERS AND STRUCTURES 审中-公开低K层间介电材料和形成低K层间介电层和结构的方法
公开(公告)号：WO2007014882A2
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：PCT/EP2006064640
申请日：2006-07-25
Applicant: IBM , IBM UK , HEDRICK JAMES LUPTON , MAGBITANG TEDDIE PEREGRINO , SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM , VOLKSEN WILLI , KIM HO-CHEOL , LEE VICTOR YEE-WAY , MILLER ROBERT DENNIS , SUNDBERG LINDA KARIN , DUBOIS GERAUD JEAN-MICHEL
Inventor： HEDRICK JAMES LUPTON , MAGBITANG TEDDIE PEREGRINO , SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM , VOLKSEN WILLI , KIM HO-CHEOL , LEE VICTOR YEE-WAY , MILLER ROBERT DENNIS , SUNDBERG LINDA KARIN , DUBOIS GERAUD JEAN-MICHEL
CPC classification number: C08L101/12 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: A composition of matter and a structure fabricated using the composition. The composition comprising; a resin; polymeric nano-particles dispersed in the resin, each of the polymeric nano-particle comprising a multi-arm core polymer and pendent polymers attached to the multi-arm core polymer, the multi-arm core polymer immiscible with the resin and the pendent polymers miscible with the resin; and a solvent, the solvent volatile at a first temperature, the resin cross-linkable at a second temperature, the polymeric nano-particle decomposable at a third temperature, the third temperature higher than the second temperature, the second temperature higher than the first temperature, wherein a thickness of a layer of the composition shrinks by less than about 3.5% between heating the layer from the second temperature to the third temperature.
Abstract translation: 使用该组合物制造的物质组成和结构。 该组合物包含： 树脂; 分散在树脂中的聚合物纳米颗粒，每种聚合物纳米颗粒包含多臂芯聚合物和连接到多臂芯聚合物上的侧链聚合物，与树脂不混溶的多臂芯聚合物和可混溶的侧链聚合物 与树脂; 和溶剂，所述溶剂在第一温度下是挥发性的，所述树脂在第二温度下可交联，所述聚合物纳米颗粒可在第三温度下分解，所述第三温度高于所述第二温度，所述第二温度高于所述第一温度 其中在将所述层从所述第二温度加热到所述第三温度之间，所述组合物层的厚度收缩小于约3.5％。
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公开(公告)号：JP2011028270A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：JP2010163887
申请日：2010-07-21
Applicant: Internatl Business Mach Corp
, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation Inventor： ITO HIROSHI , SUNDBERG LINDA KARIN , BOZANO LUISA DOMINICA
IPC: G03F7/039 , C07C39/17 , C07C69/712 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive type photoresist with improved robustness. SOLUTION: Photoresist composition includes a blend of at least one fully protected calix [4]resorcinarene and at least one unprotected calix [4]resorcinarene, wherein the fully protected calix [4]resorcinarene has a phenol group protected with an acid labile protective group, a photoacid generator, and a solvent. The blend and the photoacid generator are soluble in the solvent. Also disclosed are processes for generating a resist image on a substrate using the photoresist composition. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有改进的鲁棒性的正型光致抗蚀剂。 光致抗蚀剂组合物包括至少一种完全保护的杯[4]间苯二酚和至少一种未保护的杯[4]间苯二酚的共混物，其中完全保护的杯[4]间苯二酚具有用酸不稳定保护的苯酚基团 保护基，光致酸发生剂和溶剂。 共混物和光致酸发生剂可溶于溶剂。 还公开了使用光致抗蚀剂组合物在衬底上产生抗蚀剂图像的方法。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2006251794A
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：JP2006048025
申请日：2006-02-24
Applicant: Internatl Business Mach Corp
, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation Inventor： RATONAMU SOORIYAKUMARAN , SUNDBERG LINDA KARIN , ALLEN ROBERT DAVID
IPC: G03F7/11 , C08G77/38 , C09D183/04 , C09D183/05 , C09D183/08 , C09D183/10 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/04 , C08G77/045 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist topcoat extremely suitable for photolithography and a liquid immersion photolithographic system. SOLUTION: The topcoat consists of a composition including functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane derivatives of formulae T m R3 , wherein m is equal to 8, 10 or 12 and Q n M n R1, R2, R3 , (wherein n is equal to 8, 10, 12). The functional groups preferably include aqueous base soluble moieties. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
Abstract translation: 要解决的问题：提供非常适合于光刻的光致抗蚀剂外涂层和液浸光刻系统。 解决方案：面漆由包含官能化的式T的三面体低聚倍半硅氧烷衍生物（其中m等于8,10或12和Q < SB> n R1，R2，R3 （其中n等于8,10,12）。 官能团优选包括碱水溶性部分。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI
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公开(公告)号：WO2006091648A2
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/US2006006225
申请日：2006-02-22
Applicant: IBM , ALLEN ROBERT DAVID , BROCK PHILLIP JOE , GIL DARIO , HINSBERG WILLIAM DINAN , LARSON CARL ERIC , SUNDBERG LINDA KARIN , WALLRAFF GREGORY MICHAEL
Inventor： ALLEN ROBERT DAVID , BROCK PHILLIP JOE , GIL DARIO , HINSBERG WILLIAM DINAN , LARSON CARL ERIC , SUNDBERG LINDA KARIN , WALLRAFF GREGORY MICHAEL
IPC: G03C1/76
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: A topcoat material for applying on top of a photoresist material is disclosed. The topcoat material comprises at least one solvent and a polymer which has a dissolution rate of at least 3000 A/second in aqueous alkaline developer. The polymer contains a hexafluoroalcohol monomer unit comprising one of the following two structures: (I) wherein n is an integer. The topcoat material may be used in lithography processes, wherein the topcoat material is applied on a photoresist layer. The topcoat material is 10 preferably insoluble in water, and is therefore particularly useful in immersion lithography techniques using water as the imaging medium.
Abstract translation: 公开了一种用于施加在光致抗蚀剂材料上的面漆材料。 面漆材料包含至少一种溶剂和在含水碱性显影剂中具有至少3000A /秒的溶解速率的聚合物。 聚合物含有包含以下两种结构之一的六氟醇单体单元：（I）其中n是整数。 面漆材料可以用于光刻工艺中，其中将顶涂层材料施加在光致抗蚀剂层上。 面漆材料10优选不溶于水，因此特别适用于使用水作为成像介质的浸没式光刻技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：GB2488250A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：GB201203583
申请日：2010-11-26
Applicant: IBM
Inventor： CHENG JOY , HINSBERG WILLIAM , WALLRAFF GREGORY MICHAEL , TRUONG HOA , SUNDBERG LINDA KARIN , ITO HIROSHI , SANDERS DANIEL PAUL , KIM HO-CHEOL , NA YOUNG-HYE
Abstract: A method of forming a layered structure comprising a domain pattern of a self-assembled material comprises: disposing on a substrate a photoresist layer comprising a non-crosslinking photoresist; optionally baking the photoresist layer; pattern- wise exposing the photoresist layer to first radiation; optionally baking the exposed photoresist layer; and developing the exposed photoresist layer with a non-alkaline developer to form a negative-tone patterned photoresist layer comprising non-crosslinked developed photoresist; wherein the developed photoresist is not soluble in a given organic solvent suitable for casting a given material capable of self-assembly, and the developed photoresist is soluble in an aqueous alkaline developer and/or a second organic solvent. A solution comprising the given material capable of self-assembly dissolved in the given organic solvent is casted on the patterned photoresist layer, and the given organic solvent is removed. The casted given material is allowed to self-assemble while optionally heating and/or annealing the casted given material, thereby forming the layered structure comprising the domain pattern of the self-assembled given material.
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公开(公告)号：DE602006015428D1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：DE602006015428
申请日：2006-02-22
Applicant: IBM
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公开(公告)号：DE112015003339T5
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：DE112015003339
申请日：2015-07-24
Applicant: IBM , SHIN-ETSU CHEMICAL CO LTD
Inventor： SOORIYAKUMARAN RATNAM , SANDERS DANIEL PAUL , MASUNAGA KEIICHI , KAWAI YOSHIO , SUNDBERG LINDA KARIN , SANCHEZ MARTHA INEZ , BOZANO LUISA DOMINICA , WATANABE SATOSHI , DOMON DAISUKE
Abstract: Es wird eine Negativresistzusammensetzung bereitgestellt, welche einen freien Photosäuregenerator und ein multifunktionelles Polymer enthält, welches kovalent an eine Photosäure-Erzeugungseinheit gebunden ist, wobei die Zusammensetzung im Wesentlichen frei von Vernetzungsmitteln ist. Es werden auch multifunktionelle Polymere bereitgestellt, welche in Verbindung mit der Resistzusammensetzung von Nutzen sind, sowie ein Verfahren zum Erzeugen eines Resistbildes auf einem Substrat unter Verwendung der Zusammensetzungen und Polymere der vorliegenden Erfindung.
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公开(公告)号：DE112013000700T5
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：DE112013000700
申请日：2013-02-12
Applicant: IBM
Inventor： SUNDBERG LINDA KARIN , WALLRAFF GREGORY MICHAEL , SONG QING , BASS JOHN DAVID , KIM HO-CHEOL , MILLER ROBERT DENNIS
Abstract: Es werden Zusammensetzungen nach der Formel (3) offenbart: [C']k[Ta(O2)x(L')y](3),wobei x eine Ganzzahl von 1 bis 4 ist, y eine Ganzzahl von 1 bis 4 ist, Ta(O2)x(L')y eine Ladung von 0 bis –3 aufweist, C ein Gegenion mit einer Ladung von +1 bis +3 ist, k eine Ganzzahl von 0 bis 3 ist, L' ein oxidativ stabiler organischer Ligand mit einer Ladung von 0 bis –4 ist, und L' eine elektronenabgebende Funktionsgruppe aufweist, die aus der Gruppe gewählt ist, die aus Carboxylaten, Alkoxiden, Aminen, Aminoxiden, Phosphinen, Phosphinoxiden, Arsinoxiden und Kombinationen daraus besteht. Die Zusammensetzungen finden als hoch auflösende Fotolacke Anwendung.
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公开(公告)号：DE112010004848T5
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：DE112010004848
申请日：2010-11-26
Applicant: IBM
Inventor： CHENG JOY , HINSBERG WILLIAM , WALLRAFF GREGORY MICHAEL , SUNDBERG LINDA KARIN , SANDERS DANIEL PAUL , KIM HO-CHEOL , NA YOUNG-HYE , TRUONG HOA , ITO HIROSHI
Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Schichtstruktur, die eine Struktur von Bereichen eines selbstorganisierten Materials umfasst, umfasst folgende Schritte: Aufbringen einer Fotolackschicht, die einen nicht vernetzenden Fotolack umfasst, auf ein Substrat; wahlweise Aushärten der Fotolackschicht; Belichten einzelner Strukturbereiche der Fotolackschicht mit einer ersten Strahlung; wahlweise Aushärten der belichteten Fotolackschicht; und Entwickeln der belichteten Fotolackschicht mit einem nicht alkalischen Entwickler, um eine strukturierte Negativ-Fotolackschicht zu bilden, die unvernetzten entwickelten Fotolack umfasst; wobei der entwickelte Fotolack in einem bestimmten organischen Lösemittel unlöslich ist, das zum Gießen eines bestimmten Materials geeignet ist, welches zur Selbstorganisation in der Lage ist, und wobei der entwickelte Fotolack in einem wässrigen alkalischen Entwickler und/oder in einem zweiten organischen Lösemittel löslich ist. Eine Lösung, die das bestimmte Material umfasst, welches zur Selbstorganisation in der Lage und in dem bestimmten organischen Lösemittel gelöst ist, wird auf die strukturierte Fotolackschicht gegossen und das bestimmte organische Lösemittel wird entfernt. Dem gegossenen bestimmten Material wird die Möglichkeit zur Selbstorganisation gegeben, während das gegossene bestimmte Material wahlweise erwärmt und/oder getempert wird, wodurch die Schichereichen des selbstorganisierten bestimmten Materials umfasst.
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