公开(公告)号：AU2002362136A1

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：AU2002362136

申请日：2002-12-10

Applicant: IBM

Inventor： DEERING ANDREW ,  KASZUBA PHILIP V ,  MOSZKOWICZ LEON ,  ROBERT JAMES ,  SLINKMAN JAMES A ,  BANKE G WILLIAM JR

IPC: A61M1/00 ,  G01M99/00 ,  G01N1/32 ,  G01Q30/04 ,  G01Q30/20 ,  G01Q60/00 ,  G01R31/28 ,  G06F19/00 ,  H01L21/66

Abstract: A method for measuring an integrated circuit (IC) structure by measuring an imprint of the structure, a method for preparing a test site for the above measuring, and IC so formed. The method for preparing the test site includes incrementally removing the structure from the substrate so as to reveal an imprint of the removed bottom surface of the structure in a top surface of the substrate. The imprint can then be imaged using an atomic force microscope (AFM). The image can be used to measure the bottom surface of the structure.

公开(公告)号：DE112010004612B4

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE112010004612

申请日：2010-09-30

Applicant: IBM

Inventor： ELLIS-MONAGHAN JOHN J ,  LEVY MAX G ,  PHELPS RICHARD A ,  BOTULA ALAN B ,  JOSEPH ALVIN J ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: H01L27/12 ,  G06F17/50 ,  H01L21/265 ,  H01L21/84

Abstract: Halbleiterstruktur (100), aufweisend: ein Halbleitersubstrat (110) eines bestimmten Leitungstyps mit einer ersten Fläche (114) und einer zweiten Fläche (115) oberhalb der ersten Fläche (114), wobei das Halbleitersubstrat (110) Folgendes aufweist: einen der ersten Fläche (114) benachbarten ersten Teil (101), der einen Dotanden (111) des bestimmten Leitungstyps in einer ersten Konzentration aufweist; und einen zweiten Teil (102), der sich von dem ersten Teil (101) bis zu der zweiten Fläche (115) erstreckt und Folgendes aufweist: eine Vielzahl Mikrokavitäten (122); und in einer zweiten Konzentration, die größer als die erste Konzentration ist, irgendeines des Folgenden: einen gleichen Dotanden (111) wie in dem ersten Teil (101), einen von dem ersten Teil (101) verschiedenen Dotanden (112), wobei der verschiedene Dotand (112) den bestimmten Leitungstyp aufweist, und eine Kombination des gleichen Dotanden (111) und des verschiedenen Dotanden (112); und eine der zweiten Fläche (115) benachbarte Isolatorschicht (120).

公开(公告)号：GB2495464A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：GB201302640

申请日：2011-07-28

Applicant: IBM

Inventor： BOTULA ALAN B ,  JOSEPH ALVIN ,  SLINKMAN JAMES A ,  WOLF RANDY LEE

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12

Abstract: A method, integrated circuit and design structure includes a silicon substrate layer (102) having trench structures (106) and an ion impurity implant (108). An insulator layer (110) is positioned on and contacts the silicon substrate layer. The insulator layer (110) fills the trench structures (106). A circuitry layer is positioned on and contacts the buried insulator layer (110). The circuitry layer comprises groups of active circuits (112) separated by passive structures (114). The trench structures (106) are positioned between the groups of active circuits (112) when the integrated circuit structure is viewed from the top view. Thus, the trench structures (106) are below the passive structures (114) and are not below the groups of circuits when the integrated circuit structure is viewed from the top view.

公开(公告)号：GB2487860B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：GB201206521

申请日：2010-09-30

Applicant: IBM

Inventor： BOTULA ALAN B ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JOSEPH ALVIN ,  LEVY MAX G ,  PHELPS RICHARD A ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: H01L27/12

Abstract: Disclosed is semiconductor structure with an insulator layer on a semiconductor substrate and a device layer is on the insulator layer. The substrate is doped with a relatively low dose of a dopant having a given conductivity type such that it has a relatively high resistivity. Additionally, a portion of the semiconductor substrate immediately adjacent to the insulator layer can be doped with a slightly higher dose of the same dopant, a different dopant having the same conductivity type or a combination thereof. Optionally, micro-cavities are created within this same portion so as to balance out any increase in conductivity with a corresponding increase in resistivity. Increasing the dopant concentration at the semiconductor substrate-insulator layer interface raises the threshold voltage (Vt) of any resulting parasitic capacitors and, thereby reduces harmonic behavior. Also disclosed herein are embodiments of a method and a design structure for such a semiconductor structure.

公开(公告)号：AU2002362136A8

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：AU2002362136

申请日：2002-12-10

Applicant: IBM

Inventor： BANKE G WILLIAM JR ,  DEERING ANDREW ,  KASZUBA PHILIP V ,  ROBERT JAMES ,  MOSZKOWICZ LEON ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: A61M1/00 ,  G01M99/00 ,  G01N1/32 ,  G01Q30/04 ,  G01Q30/20 ,  G01Q60/00 ,  G01R31/28 ,  G06F19/00 ,  H01L21/66 ,  G01M19/00 ,  H01L23/58

Abstract: A method for measuring an integrated circuit (IC) structure by measuring an imprint of the structure, a method for preparing a test site for the above measuring, and IC so formed. The method for preparing the test site includes incrementally removing the structure from the substrate so as to reveal an imprint of the removed bottom surface of the structure in a top surface of the substrate. The imprint can then be imaged using an atomic force microscope (AFM). The image can be used to measure the bottom surface of the structure.

公开(公告)号：BRPI0906029A2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：BRPI0906029

申请日：2009-02-18

Applicant: IBM

Inventor： BUMM LLOYD ,  DAHAYANAKA DAMINDA ,  KASZUBA PHILIP A ,  MOSZKOWICZ LEON ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: G01N21/86

公开(公告)号：GB2495464B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：GB201302640

申请日：2011-07-28

Applicant: IBM

Inventor： BOTULA ALAN B ,  JOSEPH ALVIN ,  SLINKMAN JAMES A ,  WOLF RANDY LEE

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/02 ,  H01L27/12

公开(公告)号：DE112010004612T5

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：DE112010004612

申请日：2010-09-30

Applicant: IBM

Inventor： ELLIS-MONAGHAN JOHN J ,  LEVY MAX G ,  PHELPS RICHARD A ,  BOTULA ALAN B ,  JOSEPH ALVIN J ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: H01L27/12

Abstract: Es wird eine Halbleiterstruktur (100) mit einer Isolatorschicht (120) auf einem Halbleitersubstrat (110) und einer Nutzschicht (130) auf der Isolatorschicht beschrieben. Das Substrat (110) ist mit einer relativ geringen Dosis eines Dotanden (111) eines bestimmten Leitungstyps dotiert, sodass es einen relativ hohen spezifischen Widerstand aufweist. Außerdem kann ein der Isolatorschicht unmittelbar benachbarter Teil (102) des Halbleitersubstrats mit einer geringfügig höheren Dosis desselben Dotanden (111), eines verschiedenen Dotanden (112) desselben Leitungstyps oder deren Kombination (111 und 112) dotiert werden. Wahlweise werden innerhalb desselben Teils (102) Mikrokavitäten (122, 123) erzeugt, um eine Erhöhung der Leitfähigkeit durch eine entsprechende Erhöhung des spezifischen Widerstands zu kompensieren. Durch die Erhöhung der Dotandenkonzentration an der Grenzfläche Halbleitersubstrat/Isolatorschicht steigt die Schwellenspannung (Vt) von entstehenden parasitären Kapazitäten an, wodurch das Oberschwingungsverhalten verringert wird. Ferner werden hierin auch Ausführungsformen eines Verfahrens und einer Entwurfsstruktur für eine solche Halbleiterstruktur beschrieben.

公开(公告)号：GB2487860A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：GB201206521

申请日：2010-09-30

Applicant: IBM

Inventor： BOTULA ALAN B ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JOSEPH ALVIN ,  LEVY MAX G ,  PHELPS RICHARD A ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: H01L27/12

Abstract: Disclosed is semiconductor structure (100) with an insulator layer (120) on a semiconductor substrate (110) and a device layer (130) is on the insulator layer. The substrate (110) is doped with a relatively low dose of a dopant (111) having a given conductivity type such that it has a relatively high resistivity. Additionally, a portion (102) of the semiconductor substrate immediately adjacent to the insulator layer can be doped with a slightly higher dose of the same dopant (111), a different dopant (112) having the same conductivity type or a combination thereof (111 and 112). Optionally, micro-cavities (122, 123) are created within this same portion (102) so as to balance out any increase in conductivity with a corresponding increase in resistivity. Increasing the dopant concentration at the semiconductor substrate-insulator layer interface raises the threshold voltage (Vt) of any resulting parasitic capacitors and, thereby reduces harmonic behavior. Also disclosed herein are embodiments of a method and a design structure for such a semiconductor structure.

公开(公告)号：CA2780263A1

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：CA2780263

申请日：2010-09-30

Applicant: IBM

Inventor： BOTULA ALAN B ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN J ,  JOSEPH ALVIN J ,  LEVY MAX G ,  PHELPS RICHARD A ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: H01L27/12

Abstract: Disclosed is semiconductor structure (100) with an insulator layer (120) on a semiconductor substrate (110) and a device layer (130) is on the insulator layer. The substrate (110) is doped with a relatively low dose of a dopant (111) having a given conductivity type such that it has a relatively high resistivity. Additionally, a portion (102) of the semiconductor substrate immediately adjacent to the insulator layer can be doped with a slightly higher dose of the same dopant (111), a different dopant (112) having the same conductivity type or a combination thereof (111 and 112). Optionally, micro-cavities (122, 123) are created within this same portion (102) so as to balance out any increase in conductivity with a corresponding increase in resistivity. Increasing the dopant concentration at the semiconductor substrate-insulator layer interface raises the threshold voltage (Vt) of any resulting parasitic capacitors and, thereby reduces harmonic behavior. Also disclosed herein are embodiments of a method and a design structure for such a semiconductor structure.