公开(公告)号：AT450892T

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：AT04822326

申请日：2004-12-15

Applicant: IBM

Inventor： CHAN VICTOR ,  FISCHETTI MASSIMO ,  HERGENROTHER JOHN ,  LEONG MEIKEI ,  RENGARAJAN RAJESH ,  REZNICEK ALEXANDER ,  SOLOMON PAUL ,  SUNG CHUN-YUNG ,  YANG MIN

IPC: H01L29/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L31/109

Abstract: The present invention provides a semiconductor material that has enhanced electron and hole mobilities that comprises a Si-containing layer having a crystal orientation and a biaxial compressive strain. The term “biaxial compressive stress” is used herein to describe the net stress caused by longitudinal compressive stress and lateral stress that is induced upon the Si-containing layer during the manufacturing of the semiconductor material. Other aspect of the present invention relates to a method of forming the semiconductor material of the present invention. The method of the present invention includes the steps of providing a silicon-containing layer; and creating a biaxial strain in the silicon-containing layer.

公开(公告)号：DE102013210162B4

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102013210162

申请日：2013-05-31

Applicant: IBM

Inventor： AVOURIS PHAEDON ,  GARCIA ALBERTO VALDES ,  SUNG CHUN-YUNG ,  XIA FENGNIAN ,  YAN HUGEN

IPC: H05K9/00 ,  C01B32/20 ,  C09D5/32 ,  C09D5/33

Abstract: Struktur zum Abschirmen elektromagnetischer Störungen, um elektromagnetische Strahlung abzuschirmen, die bei Frequenzen von einer Quelle emittiert wird, die höher als ein Megahertz sind, wobei diese aufweist:eine oder mehrere dünne Lagen aus Graphen, wobei wenigstens eine der dünnen Lagen aus Graphen mit einem Dotierstoff dotiert ist, der eine Dotierstoffkonzentration in einer Menge aufweist, die dahingehend wirksam ist, dass elektromagnetische Strahlung bei Frequenzen absorbiert wird, die höher als 1 Megahertz sind, wobei die Dotierstoffkonzentration (n) zwischen den Grenzen 10cm> n > 10cmoder 10cm> n > 0 cmliegt.

公开(公告)号：DE102004060891A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：DE102004060891

申请日：2004-12-17

Applicant: IBM ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RADENS CARL ,  DYER THOMAS W ,  SUNG CHUN-YUNG ,  DIVAKARUNI RAMACHANDRA ,  RAMACHANDRAN RAVIKUMAR

IPC: H01L21/8242 ,  H01L29/94 ,  H01L27/108