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    11.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008001263A1

    公开(公告)日：2008-12-04

    申请号：DE102008001263

    申请日：2008-04-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD ,  TEMPEL GEORG

    IPC: G11C13/02

    Abstract: A discrete trap memory, comprising a silicon substrate layer, a bottom oxide layer on the silicon substrate layer, a Fullerene layer on the bottom oxide layer, a top oxide layer on the Fullerene layer, and a gate layer on the top oxide layer; wherein the Fullerene layer comprises spherical, elliptical or endohedral Fullerenes that act as charge traps.

    12.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10204426A1

    公开(公告)日：2003-08-21

    申请号：DE10204426

    申请日：2002-02-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD

    IPC: G01R31/3185 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

    Abstract: Method for fault analysis in wafer fabrication has the following steps: (a) at least one wafer with a multiplicity of chips is provided (b) the chips are examined with respect to their properties (c) the results of the examination are transformed to a standard wafer with a predefined number of standard chips and (d) the transformed results are evaluated.

    Spin-Bauelement
    16.
    发明专利
    Spin-Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102010000904B4

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：DE102010000904

    申请日：2010-01-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD ,  ROBL WERNER ,  TIMME HANS-JOERG

    IPC: H01L29/82 ,  B82Y25/00 ,  G11C15/02 ,  H01F10/32

    Abstract: Spin-Bauelement (100; 100'; 100''), das folgende Merkmale aufweist: eine Zwischenhalbleiterregion (120), die zwischen einem ersten Anschluss (130) und einem zweiten Anschluss (140) angeordnet ist, wobei der erste Anschluss angepasst ist, um einen Strom mit einem ersten Grad einer Spin-Polarisation an die Zwischenhalbleiterregion zu liefern, wobei der zweite Anschluss angepasst ist, um den Strom nach Durchlaufen der Zwischenhalbleiterregion mit einem zweiten Grad einer Spin-Polarisation auszugeben; eine spinselektive Streustruktur (170), die an die Zwischenhalbleiterregion (120) angrenzt, wobei die spinselektive Streustruktur derart angepasst ist, dass der erste Grad einer Spin-Polarisation zu dem zweiten Grad einer Spin-Polarisation verändert wird; und eine Steuerelektrode (190), die elektrisch von der Zwischenhalbleiterregion (120) isoliert und angepasst ist, um ein elektrisches Feld an die Zwischenhalbleiterregion (120) anzulegen, um einen Betrag des Stroms zu steuern, wobei das elektrische Feld eine Hauptfeldkomponente senkrecht zu einer Richtung des Stroms durch die Zwischenhalbleiterregion aufweist; wobei die spinselektive Streustruktur (170) eine ferromagnetische Schicht und eine isolierende Schicht aufweist, wobei die ferromagnetische Schicht auf der isolierenden Schicht gebildet ist, wobei die isolierende Schicht an die Zwischenhalbleiterregion (120) angrenzend gebildet ist; wobei die isolierende Schicht eine keilförmige Dicke aufweist.

    Verfahren und Vorrichtung zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement und Vorrichtung zum Prüfen eines Halbleiterbauelements mit Hochspannung
    17.
    发明专利
    Verfahren und Vorrichtung zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement und Vorrichtung zum Prüfen eines Halbleiterbauelements mit Hochspannung 未知

    公开(公告)号：DE102008048879B4

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：DE102008048879

    申请日：2008-09-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOLMER RAINER DR ,  POEPPEL GERHARD

    IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28

    Abstract: Verfahren (100) zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement (205), aufweisend: • Erzeugen einer Niederspannung an einer von einem Halbleiterbauelement (205), an das eine Hochspannung anzulegen ist, räumlich entfernten Position (101), wobei die Niederspannung so gewählt ist, dass in einem mit ihr beaufschlagten Vorrichtungsteil unter Normalbedingungen keine Spannungsüberschläge zu erwarten sind; • Zuleiten der Niederspannung zu einer dem Halbleiterbauelement räumlich benachbarten Position (102); • Erzeugen einer Hochspannung aus der zugeleiteten Niederspannung an der dem Halbleiterbauelement räumlich benachbarten Position (103), wobei die Hochspannung größer als die Niederspannung ist, und wobei die Hochspannung größer als 300 Volt ist; und • Anlegen der Hochspannung an das Halbleiterbauelement (104).

    Halbleiter-Bauelement
    20.
    发明专利
    Halbleiter-Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102009044486A1

    公开(公告)日：2010-07-29

    申请号：DE102009044486

    申请日：2009-11-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： POEPPEL GERHARD ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD

    IPC: H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L25/16

    Abstract: Ein Halbleiter-Package enthält einen Halbleiterchip mit einer integrierten Schaltung, einem elektrisch mit der integrierten Schaltung gekoppelten Funktionselement und einem Array aus Kontaktelementen, mit der integrierten Schaltung und dem Funktionselement verbunden. Das Funktionselement ist konfiguriert, die integrierte Schaltung vor einer Stoßspannung zu schützen.

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