公开(公告)号：DE102014003068A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102014003068

申请日：2014-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BODINI EMANUELE BRUNO ,  BRAUN FELIX ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MEINHOLD DIRK ,  OFFENBERG DIRK ,  PRUEGL KLEMENS ,  UHLIG INES

IPC: H01L21/339 ,  H01L27/146

Abstract: Ein Herstellungsverfahren für einen Bildgeber umfasst Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht, um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur und eine zweite Steuerelektrodenstruktur zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur zu erlangen; – Abscheiden einer zweiten Schicht und wenigstens einer Spacerschicht und Entfernen der zweiten Schicht in der Transistorregion, während die zweite Schicht wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die zweite Schicht wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht unterscheidet; und – Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur zu bilden, wobei die zweite Schicht wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102013018789A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013018789

申请日：2013-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEVER THOMAS ,  FEICK HENNING ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK ,  MELZNER HANNO ,  OFFENBERG DIRK ,  PARASCANDOLA STEFANO ,  UHLIG INES

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/10

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung umfasst die folgende Schritte auf: Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils, so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets erzeugt wird, und Erzeugen einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist.