中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

16 records (took 0.027 seconds)

    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
    12.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015105693A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：DE102015105693

    申请日：2015-04-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAUER ADAM ,  LÖFFLER ANDREAS

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H05B44/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (100) mit einer zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge ausgebildeten ersten Halbleiterschichtenfolge (10), einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (20), einer ersten Elektrodenfläche (1) und einer zweiten Elektrodenfläche (2) beschrieben. Es ist vorgesehen, dass die zweite Halbleiterschichtenfolge (20) eine Quantentopfstruktur (21) mit einer Quantenschichtstruktur (22) und einer Barriereschichtstruktur (23) aufweist und zur Erzeugung von inkohärenter Strahlung einer zweiten Wellenlänge mittels Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge ausgebildet ist und durch die erste Elektrodenfläche (1) und die zweite Elektrodenfläche (2) ein elektrisches Feld in der zweiten Halbleiterschichtenfolge (20) erzeugbar ist.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    14.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102013103601A1

    公开(公告)日：2014-10-16

    申请号：DE102013103601

    申请日：2013-04-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MEYER TOBIAS ,  LEIRER CHRISTIAN ,  ZINI LORENZO ,  OFF JÜRGEN ,  LÖFFLER ANDREAS ,  BAUER ADAM

    IPC: H01L33/02 ,  H01L23/60

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: einen Träger (103), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (105) aufgebracht ist, die eine n-dotierte und eine p-dotierte Halbleiterschicht (107) umfasst, so dass ein p-n-Übergang (111) gebildet ist, der eine aktive Zone (113) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst, wobei zumindest eine der n-dotierten und der p-dotierten Halbleiterschicht einen dotierten Bereich mit einer ersten Dotierungskonzentration umfasst, die größer ist als eine zweite Dotierungskonzentration in einer Umgebung des Bereichs in der den Bereich umfassenden Halbleiterschicht. Die Erfindung betrifft ferner ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (101).

Patent Agency Ranking