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公开(公告)号：DE102014107472A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：DE102014107472
申请日：2014-05-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUER ADAM , MÖNCH WOLFGANG , RACZ DAVID , WITTMANN MICHAEL , SCHULTEN DOMINIK , LÖFFLER ANDREAS
Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einem zur Erzeugung einer Primärstrahlung mit einer ersten Peakwellenlänge vorgesehenen Halbleiterchip (2) und einem Strahlungskonversionselement (3), das auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, angegeben. Das Strahlungskonversionselement weist eine Quantenstruktur (30), die die Primärstrahlung zumindest teilweise in Sekundärstrahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge umwandelt, und ein für die Primärstrahlung durchlässiges Substrat (35) auf. Weiterhin wird eine Beleuchtungsvorrichtung (11) angegeben.
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公开(公告)号：DE102013104132A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：DE102013104132
申请日：2013-04-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUER ADAM
IPC: H01L33/38 , H01L23/482 , H01L25/075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/50
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit – einer nicht rechteckigen, parallelogrammförmigen Deckfläche (1) und – einer aktiven Zone (21), die beabstandet zur Deckfläche (1) ist und zumindest stellenweise parallel zur Deckfläche (1) verläuft, wobei – die Deckfläche (1) eine Strahlungsaustrittsfläche (11) umfasst, durch die im Betrieb in der aktiven Zone (21) erzeugte elektromagnetische Strahlung austritt, – die Strahlungsaustrittsfläche (11) wenigstens vier Ecken (12) aufweist und – die Deckfläche (1) zumindest eine dreieckige Anschlussfläche (13a, 13b) umfasst, über die die aktive Zone elektrisch anschließbar ist.
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3.发明专利
公开(公告)号：DE112014001948A5
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：DE112014001948
申请日：2014-03-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MEYER TOBIAS , LEIRER CHRISTIAN , ZINI LORENZO , OFF JÜRGEN , LÖFFLER ANDREAS , BAUER ADAM
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公开(公告)号：DE102014105192A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：DE102014105192
申请日：2014-04-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HIRMER MARIKA , HERTKORN JOACHIM , FREY ALEXANDER , WEIMAR ANDREAS , LAUX HARALD , BAUER ADAM , WALTER ALEXANDER
IPC: H01L21/461 , H01L21/477 , H01L33/00 , H01S5/02
Abstract: Es wird ein Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschichtenfolge (2) von einem Substrat (1) angegeben, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf dem Substrat bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Trennschicht (4) und zwischen dem Substrat und der Trennschicht eine Wärmeisolationsschicht (3) aufweist und wobei die Wärmeisolationsschicht eine geringere Wärmeleitfähigkeit aufweist als ein auf einer dem Substrat zugewandten Seite angrenzendes Material. Die Trennschicht wird mit kohärenter Strahlung bestrahlt, wobei die Wärmeisolationsschicht für die Strahlung durchlässig ist und Material der Trennschicht durch die in der Trennschicht absorbierte Strahlung zumindest bereichsweise zersetzt wird.
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公开(公告)号：DE102013103602A1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：DE102013103602
申请日：2013-04-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LÖFFLER ANDREAS , MEYER TOBIAS , BAUER ADAM , LEIRER CHRISTIAN
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufwachsen einer ersten Schicht, zum Durchführen eines Ätzprozesses, um V-Defekte anzulegen, zum Aufwachsen einer zweiten Schicht, und zum Aufwachsen einer Quantenfilmstruktur.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016101442B4
公开(公告)日：2025-03-13
申请号：DE102016101442
申请日：2016-01-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LÖFFLER ANDREAS , BAUER ADAM , PETER MATTHIAS , BINDER MICHAEL
IPC: H10H20/851 , H10H20/82
Abstract: Konversionselement (1) mit- einem aktiven Bereich (13), der mit einem Halbleitermaterial gebildet ist und eine Vielzahl von Barrieren (131) und Quantentrögen (132) umfasst,- einer Vielzahl erster Strukturelemente (14), die an einer Oberseite (1a) des Konversionselements (1) angeordnet sind, und- einer Vielzahl zweiter Strukturelemente (15) und/oder dritter Strukturelemente (16), die an einer der Vielzahl erster Strukturelemente (14) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (13) angeordnet sind, wobei- die Vielzahl erster Strukturelemente (14) im aktiven Bereich (13) ausgebildet ist,- das Konversionselement (1) frei von elektrischen Anschlüssen ist, und- ein Durchmesser der ersten Strukturelemente (14) kleiner ist als ein Durchmesser der zweiten (15) und/oder dritten (16) Strukturelemente.
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公开(公告)号：DE102015120896A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：DE102015120896
申请日：2015-12-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUER ADAM , WALTER ALEXANDER , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO , AHL JAN-PHILIPP
Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil angegeben, umfassend – eine erste Halbleiterschicht (11), – eine zweite Halbleiterschicht (12) und – eine aktive Zone (13) mit einer Quantentopfstruktur aufweisend eine Vielzahl von Quantentopfschichten (131), wobei – die aktive Zone (13) zusammenhängend zwischen der ersten Halbleiterschicht (11) und der zweiten Halbleiterschicht (12) ausgebildet ist, – die aktive Zone (13) zumindest eine Unterbrechung (2) aufweist, die sich in einer vertikalen Richtung (z) durch zumindest eine der Quantentopfschichten (131) hindurch erstreckt, – die zumindest eine Unterbrechung (2) mit einem Halbleitermaterial gebildet ist oder daraus besteht, und – die zumindest eine Unterbrechung (2) eine andere Materialzusammensetzung als die an die Unterbrechung (2) angrenzende Quantentopfschicht (131) aufweist.
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公开(公告)号：DE102013104272A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：DE102013104272
申请日：2013-04-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LÖFFLER ANDREAS , MEYER TOBIAS , BAUER ADAM , LEIRER CHRISTIAN
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Halbleiter-Schichtstruktur, die eine Quantenfilmstruktur und eine p-dotierte Schicht aufweist, die oberhalb der Quantenfilmstruktur angeordnet ist. Die p-dotierte Schicht umfasst mindestens eine erste Teilschicht und eine zweite Teilschicht. Die zweite Teilschicht weist einen höheren Dotiergrad auf als die erste Teilschicht.
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公开(公告)号：DE102016123972A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102016123972
申请日：2016-12-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PUST PHILIPP , RACZ DAVID , AHL JAN-PHILIPP , BAUER ADAM , PETERSEN KIRSTIN
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfassteinen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren,ein Konversionselement umfassend Konverterpartikel, die dazu eingerichtet sind, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren, wobei die Konverterpartikel eine Quantenstruktur mit Barriereschichten und Quantenschichten aufweisen und die Quantenschichten und die Barriereschichten alternierend angeordnet sind.
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10.发明专利
公开(公告)号：DE102016101442A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：DE102016101442
申请日：2016-01-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LÖFFLER ANDREAS , BAUER ADAM , PETER MATTHIAS , BINDER MICHAEL
Abstract: Es wird ein Konversionselement (1) angegeben, mit – einem aktiven Bereich (13), der mit einem Halbleitermaterial gebildet ist und eine Vielzahl von Barrieren (131) und Quantentrögen (132) umfasst, – einer Vielzahl erster Strukturelemente (14), die an einer Oberseite (1a) des Konversionselements (1) angeordnet sind, und – einer Vielzahl zweiter Strukturelemente (15) und/oder dritter Strukturelemente (16), die an einer der Vielzahl erster Strukturelemente (14) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (13) angeordnet sind. Ferner wird ein Verfahren zu Herstellung eines solchen Konversionselements angegeben.
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