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    SUBSTRAT UND HALBLEITERLASER
    11.
    发明申请
    SUBSTRAT UND HALBLEITERLASER 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021170562A1

    公开(公告)日：2021-09-02

    申请号：PCT/EP2021/054406

    申请日：2021-02-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DIETZE, Daniel ,  BECKER, Dirk

    IPC: H05K1/02 ,  H05K3/46 ,  H05K1/11 ,  H05K3/42 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/042

    Abstract: In einer Ausführungsform ist das Substrat (1) für eine Halbleiterlaserdiode (61) eingerichtet und umfasst eine Vielzahl von Substratlagen (4). Die Substratlagen (4) umfassen Isolierlagen (41..43) und Trägerlagen (44..50), die dicker sind. Mehrere elektrische Kontaktflächen (33), die für die Halbleiterlaserdiode (61), einen Laserkondensator (62) und einen Ansteuerchip (63) eingerichtet sind, befinden sich an einer Bestückungsseite (3) einer ersten, obersten Substratlage (4), die eine Isolierlage (41) ist. Elektrische Leiterbahnen (51), die die Kontaktflächen (33) elektrisch miteinander verschalten, befinden sich einerseits zwischen der ersten Isolierlage (41) und einer zweiten Isolierlage (42), und andererseits zwischen der zweiten Isolierlage (42) und einer dritten Substratlage (4), die bevorzugt eine Isolierlage (43) ist.

    ELEKTRONISCHES BAUELEMENT SOWIE ELEKTRISCHER KONTAKT
    14.
    发明申请
    ELEKTRONISCHES BAUELEMENT SOWIE ELEKTRISCHER KONTAKT 审中-公开
    电子元件和电接触

    公开(公告)号：WO2011012461A1

    公开(公告)日：2011-02-03

    申请号：PCT/EP2010/060250

    申请日：2010-07-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  REUSCH, Thilo ,  LANG, Erwin

    Inventor： BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  REUSCH, Thilo ,  LANG, Erwin

    IPC: H01L51/52

    CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L2251/558

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement (100), das ein Substrat (1), wenigstens eine auf dem Substrat (1) angeordnete, erste Elektrode (3) und auf der dem Substrat (1) zugewandten Seite der Elektrode (3) eine Aufwachsschicht (7), aufweist, wobei die auf der Aufwachsschicht (7) angeordnete Elektrode (3) eine Metallschicht (9) mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30nm aufweist und die Aufwachsschicht (7) eine Dicke besitzt, die kleiner oder gleich 10 nm ist. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner einen elektrischen Kontakt.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括一个基片（1），基板上的至少一个（1）排列的第一电极（3）的电子部件（100）和所述衬底（1）的面向电极侧（3）是一种生长层 （7），所述（7），其布置电极在生长层上操作（3）的金属层（9），其厚度小于或等于30nm，并且所述生长层（7）具有一个厚度，该厚度小于或等于10nm ， 本发明还涉及一种电接触。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDE ANORDNUNG
    15.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDE ANORDNUNG 审中-公开
    辐射安排

    公开(公告)号：WO2009106067A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：PCT/DE2009/000279

    申请日：2009-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LANG, Erwin ,  KLEIN, Markus ,  wittmann, Martin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  JAEGER, Arndt ,  DIEKMANN, Karsten

    Inventor： LANG, Erwin ,  KLEIN, Markus ,  wittmann, Martin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  JAEGER, Arndt ,  DIEKMANN, Karsten

    IPC: G09F9/33

    CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L51/5262 ,  Y02E10/549

    Abstract: Eine strahlungsemittierende Anordnung umfasst insbesondere - ein Trägerelement (1) mit einer zumindest teilweise nichttransparenten Hauptoberfläche (10) und - auf dem Trägerelement (1) angeordnet ein organisches strahlungsemittierendes Bauelement (2) mit einer organischen Schichtenfolge (23) mit einem aktiven Bereich zwischen einer zumindest teilweise transparenten ersten Elektrode (21) und einer zumindest teilweise transparenten zweiten Elektrode (22), wobei - der aktive Bereich (29) geeignet ist, in einem eingeschalteten Betriebszustand elektromagnetische Strahlung (91, 93) zu erzeugen, - die strahlungsemittierende Anordnung auf der vom Trägerelement (1) abgewandten Seite des organischen strahlungsemittierenden Bauelements (2) eine Strahlungsaustrittsfläche (3) zur Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung (92, 93) aufweist und - die zumindest teilweise nicht-transparente Hauptoberfläche (10) des Trägerelements (1) in einem ausgeschalteten Betriebszustand des organischen strahlungsemittierenden Bauelements (2) von einem externen Beobachter durch die Strahlungsaustrittsfläche (3) hindurch wahrnehmbar ist.

    Abstract translation: 发射辐射的装置包括特别是： - （1），其具有至少部分不透明的主表面（10）和支撑构件 - （1）与有机层序列（23）与活性区域布置在至少之间的有机发射辐射的器件（2）在支撑元件上 有源区（29），其适于在电磁辐射的接通操作状态（91，93），以生成 - - 部分透明的第一电极（21）和至少部分透明的第二电极（22），其中，所述辐射发射在装配 其中有机发射辐射的器件的侧（2）（1）的面向从辐射出射表面（3），用于发射电磁辐射（92，93）的距离在承载元件和 - 载体元件（1）的在关断的操作状态的至少部分不透明的主表面（10）， 所述有机硫 通过辐射出射表面trahlungsemittierenden组分（2）由外部观察者（3）穿过其中是可察觉的。

    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    17.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023036975A1

    公开(公告)日：2023-03-16

    申请号：PCT/EP2022/075259

    申请日：2022-09-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BECKER, Dirk ,  ZITZLSPERGER, Michael

    IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung umfassend einen Leadframe mit einem ersten metallischen Bereich und einem davon beabstandeten wenigstens einen zweiten metallischen Bereich, wobei der erste und der wenigstens eine zweite metallische Bereich auf einer ersten Seite des Leadframes eine erste Kavität ausbilden. Die optoelektronische Vorrichtung umfasst ferner wenigstens eine elektrische Komponente, die in der ersten Kavität angeordnet und mit einer Vergussmasse vergossen ist, und die den ersten metallischen Bereich und den wenigstens einen zweiten metallischen Bereich elektrisch miteinander verbindet, sowie wenigstens eine optoelektronische Komponente, die den ersten metallischen Bereich und den zweiten metallischen Bereich auf einer der ersten Kavität abgewandten zweiten Seite des Leadframes elektrisch verbindet, oder wenigstens eine optoelektronische Komponente, die den ersten metallischen Bereich und einen dritten metallischen Bereich auf einer der ersten Kavität abgewandten zweiten Seite des Leadframes elektrisch verbindet.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    19.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    用于生产光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2016188867A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：PCT/EP2016/061317

    申请日：2016-05-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BECKER, Dirk ,  BARCHMANN, Bernd ,  HOXHOLD, Björn ,  SCHLOSSER, Philipp ,  WALDSCHIK, Andreas

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/005 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 μm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen zumindest eines Strahlung emittierenden Halbleiterchips (5) auf die Trägeroberseite (22) und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips (5) mit den Kontaktschichten (91, 92).

    Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产光电半导体部件（1）的方法被布置并包括以下步骤：至少（以载波顶部22 A）提供一个支撑件（2），其特征在于，所述载体（2），金属芯材（24）和 ）形成在所述芯材（24）的金属层（25）和随后的介电反射镜（26）被施加，B）形成（至少两个孔（3）通过形成陶瓷层的载体（2）穿过其中，C）4） 的至少一个支撑底座（21）和在孔100微米的最大厚度（3），其中，在至少部分所述陶瓷层（4）包括作为部件，所述芯材（24），D）将金属接触层（91，92） 在孔上的支撑底座（21）的陶瓷层（4）和（3），以便通过孔（3）载体上侧（22）电连接至所述支撑基部（21）连接，以及e） 施加至少一个发射辐射的半导体芯片（5）在载体上顶端（22）和半导体芯片（5）与所述接触层（91，92）电连接。

    ORGANISCHE LEUCHTDIODE, KONTAKTANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ORGANISCHEN LEUCHTDIODE
    20.
    发明申请
    ORGANISCHE LEUCHTDIODE, KONTAKTANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ORGANISCHEN LEUCHTDIODE 审中-公开
    有机发光二极管，接触装置和方法用于制备有机发光二极管

    公开(公告)号：WO2009106040A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：PCT/DE2009/000217

    申请日：2009-02-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LANG, Erwin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  KLEIN, Markus

    Inventor： LANG, Erwin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  KLEIN, Markus

    IPC: H01L51/52

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/486 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5234 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine organische Leuchtdiode (1), umfassend einen Schichtstapel (2) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (6). Auf einer ersten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige erste Anschlussschicht (4) angeordnet und auf einer zweiten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige und für eine charakteristische Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung (6) zumindest überwiegend durchlässige zweite Anschlussschicht (5) angeordnet. Die organische Leuchtdiode ist gekennzeichnet durch eine auf der dem Schichtstapel gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht (4) angeordnete leitfähige Kontaktstruktur (7), die mit der zweiten Anschlussschicht (5) im Bereich einer Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) elektrisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Kontaktanordnung (15) für ein flächiges, optisch aktives Element sowie ein Verfahren zur Herstellung organischer Leuchtdioden (1).

    Abstract translation: 本发明涉及一种有机发光二极管（1），包括层堆叠（2）的电磁辐射的发射（6）。 上的层堆叠的第一面（2）是（4）布置在所述叠层的第二表面的导电的第一连接层（2）是导电的，并且为可发射电磁辐射（6）至少主要可渗透第二连接层的特征波长 （5）。 的有机发光二极管的特征在于上相反于第一连接层的层堆叠面侧（4）第一连接层的设置导电接触结构（7）连接到所述第二连接层（5）中的区域中的多个凹部（12）（4）电 连接。 本发明还涉及一种接触装置（15），用于使一个扁平的，光学活性元素以及用于制造有机发光二极管（1）的方法。

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