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    Lichtemittierendes Bauteil
    12.
    发明专利
    Lichtemittierendes Bauteil 未知

    公开(公告)号：DE102016106896A1

    公开(公告)日：2017-10-19

    申请号：DE102016106896

    申请日：2016-04-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  ENZMANN ROLAND ,  WOJCIK ANDREAS

    IPC: H01S5/02 ,  G01S17/42 ,  G01S17/88

    Abstract: Es wird ein lichtemittierendes Bauteil mit einem kantenemittierenden Halbleiterlaser vorgeschlagen, wobei der Halbleiterlaser in einem Gehäuse angeordnet ist, wobei der Halbleiterlaser Licht in einem Abstrahlwinkelbereich abstrahlt, wobei das Gehäuse eine Austrittsöffnung für das Aussenden von Licht aufweist, wobei der Halbleiterlaser in einer ersten Schicht aus einem ersten Material angeordnet ist, wobei auf der ersten Schicht eine zweite Schicht mit einem zweiten Material angeordnet ist, wobei die erste Schicht und die zweite Schicht durchlässig für das vom Halbleiterlaser emittierte Licht sind, und wobei die zweite Schicht zwischen der ersten Schicht und der Austrittsöffnung angeordnet ist.

    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
    13.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015116092A1

    公开(公告)日：2017-03-23

    申请号：DE102015116092

    申请日：2015-09-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WALTER CHRISTOPH ,  ENZMANN ROLAND ,  HORN MARKUS ,  SEIDENFADEN JAN

    IPC: H01S5/022 ,  H01L33/62

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite, zum Anlegen eines gegenüber einem Montagebereich der Oberseite vertieften Bereichs an der Oberseite des Trägers, wobei zwischen dem Montagebereich und dem vertieften Bereich eine Stufe ausgebildet wird, zum Anordnen einer sich über den Montagebereich und den vertieften Bereich erstreckenden Metallisierung an der Oberseite des Trägers, zum Anlegen einer Trennspur in der Metallisierung, wobei die Metallisierung in dem Montagebereich zumindest abschnittsweise vollständig durchtrennt wird und in dem vertieften Bereich zumindest nicht vollständig durchtrennt wird, und zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips über dem Montagebereich der Oberseite, wobei der optoelektronische Halbleiterchip an der Trennspur ausgerichtet wird.

    Licht emittierende Vorrichtung
    14.
    发明专利
    Licht emittierende Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102014118351A1

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：DE102014118351

    申请日：2014-12-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN ROLAND

    IPC: H01S5/02

    Abstract: Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung angegeben, die eine Laserlichtquelle (1), die im Betrieb Laserlicht (2) in einem ersten Wellenlängenbereich abstrahlt, und ein Wellenlängenkonversionselement (3) aufweist, das im Strahlengang des Laserlichts (2) angeordnet ist und das zumindest einen Teil des Laserlichts (2) in Licht in einem zweiten, vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich konvertiert, wobei das Wellenlängenkonversionselement (3) einen Quantenpunkt-Konversionsstoff (5) aufweist.

    Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement
    15.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen und Halbleiter-Laserelement 未知

    公开(公告)号：DE102012112531A1

    公开(公告)日：2014-06-18

    申请号：DE102012112531

    申请日：2012-12-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENZMANN ROLAND ,  HORN MARKUS ,  GRAUL MARKUS ,  VEIT THOMAS ,  DACHS JÜRGEN ,  LISTL STEFAN ,  ARZBERGER MARKUS

    IPC: H01S5/02

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.

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