公开(公告)号：DE102015116092A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：DE102015116092

申请日：2015-09-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER CHRISTOPH ,  ENZMANN ROLAND ,  HORN MARKUS ,  SEIDENFADEN JAN

IPC: H01S5/022 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite, zum Anlegen eines gegenüber einem Montagebereich der Oberseite vertieften Bereichs an der Oberseite des Trägers, wobei zwischen dem Montagebereich und dem vertieften Bereich eine Stufe ausgebildet wird, zum Anordnen einer sich über den Montagebereich und den vertieften Bereich erstreckenden Metallisierung an der Oberseite des Trägers, zum Anlegen einer Trennspur in der Metallisierung, wobei die Metallisierung in dem Montagebereich zumindest abschnittsweise vollständig durchtrennt wird und in dem vertieften Bereich zumindest nicht vollständig durchtrennt wird, und zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips über dem Montagebereich der Oberseite, wobei der optoelektronische Halbleiterchip an der Trennspur ausgerichtet wird.

公开(公告)号：DE102012107409A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102012107409

申请日：2012-08-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND ,  ARZBERGER MARKUS ,  FEHSE ROBIN ,  GRAUL MARKUS ,  HORN MARKUS ,  HANEDER STEPHAN ,  WALTER CHRISTOPH ,  SWIETLIK TOMASZ ,  KOENIG HARALD ,  KAEMPF MATHIAS

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/40

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte: A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.

公开(公告)号：DE102021113856A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE102021113856

申请日：2021-05-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  GERHARD SVEN ,  JENTZSCH BRUNO ,  RÜGHEIMER TILMAN ,  WALTER CHRISTOPH

IPC: H01S5/185 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0225 ,  H01S5/30 ,  H01S5/42

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1):- einen Träger (2),- eine Halbleiterschichtenfolge (3) an dem Träger (2) mit mindestens einer aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Strahlung (R),- eine optisch hochbrechende Schicht (4) an einer Auskoppelfacette (34) der Halbleiterschichtenfolge (3) zur Strahlungsauskopplung, und- eine optisch niedrigbrechende Beschichtung (5) direkt an einer Außenseite (45) der hochbrechenden Schicht (4) zur Totalreflexion der Strahlung (R),wobei- die Halbleiterschichtenfolge (3) dazu eingerichtet ist, die Strahlung (R) in der aktiven Zone (33) senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (3) zu führen, und- die hochbrechenden Schicht (4) dazu eingerichtet ist, die Strahlung (R) an der Außenseite (45) parallel zur Wachstumsrichtung (G) umzulenken.

公开(公告)号：DE102016106734A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102016106734

申请日：2016-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER CHRISTOPH ,  ENZMANN ROLAND ,  HORN MARKUS ,  SEIDENFADEN JAN

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/58 ,  H01L23/34 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Träger für ein optoelektronisches Bauelement, umfassend: – einen Grundkörper, – wobei der Grundkörper eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst, – wobei auf einer ersten Seite des Grundkörpers eine erste Lötschicht zum Löten eines optoelektronischen Bauelements an den Grundkörper angeordnet ist, – wobei die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht thermisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft des Weiteren einen Wafer und ein Lötverfahren.

公开(公告)号：DE102015109788A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102015109788

申请日：2015-06-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LÖFFLER ANDREAS ,  HAGER THOMAS ,  WALTER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/62 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterbauelement und einer Wärmesenke, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement auf der Wärmesenke angeordnet ist, wobei die Wärmesenke ausgebildet ist, Wärme aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement abzuführen. Die Wärmesenke weist einen Werkstoff auf, wobei der Werkstoff der Wärmesenke elektrisch leitend und thermisch leitend ist. Der Werkstoff der Wärmesenke weist Aluminium und Silizium auf.

公开(公告)号：DE112016005718A5

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：DE112016005718

申请日：2016-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER CHRISTOPH ,  ENZMANN ROLAND ,  HORN MARKUS ,  SEIDENFADEN JAN

IPC: H01L23/492 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102014108905A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102014108905

申请日：2014-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER CHRISTOPH ,  AUEN KARSTEN

IPC: G03B21/14

Abstract: Es wird eine Projektionsvorrichtung (1) zur Erzeugung eines Projektionslaserstrahls (2), der eine sichtbare Laserstrahlung umfasst (211, 212, 213), angegeben, mit – einer Lichtquelle (10), die die sichtbare Laserstrahlung (211, 212, 213) emittiert, – einer abbildenden Vorrichtung (14), die dazu eingerichtet ist, mittels einer Änderung der Ausbreitungsrichtung (α1, α2) des Projektionslaserstrahls (2) ein Projektionsbild (32) auf einer Projektionsfläche (3) zu erzeugen, – zumindest einer Fotodiode (12), die dazu eingerichtet ist, unterschiedliche Reflexionsstrahlen (4), die einen Teil des an der Projektionsfläche (3) zu unterschiedlichen Projektionszeiten (t1, t2) und/oder in unterschiedlichen Reflexionsbereichen (411, 412) des Projektionsbildes (32) reflektierten Projektionsstrahl (4) umfassen, zu detektieren und entsprechende Fotodiodensignale (121) zu erzeugen, und – eine elektronische Kontrolleinheit (13), die dazu eingerichtet ist, die abbildende Vorrichtung (4) und/oder die Lichtquelle in Abhängigkeit von den Fotodiodensignalen (121) mittels Steuersignalen (133) anzusteuern.

公开(公告)号：DE102021113016A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102021113016

申请日：2021-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  JENTZSCH BRUNO ,  RUEGHEIMER TILMAN ,  WALTER CHRISTOPH

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18 ,  H01S5/185 ,  H01S5/187

Abstract: Ein Halbleiterlaser (10) umfasst eine Halbleiterschichtanordnung (112), die eine aktive Zone (115) zur Strahlungserzeugung aufweist, einen ersten Resonatorspiegel (125), einen zweiten Resonatorspiegel (130) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (125, 130) angeordneten optischen Resonator (105), der sich in einer Richtung parallel zu einer Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) erstreckt. Seitliche Begrenzungsflächen (103) der Halbleiterschichtanordnung (112) verlaufen schräg, so dass eine Reflexion von erzeugter elektromagnetischer Strahlung (15) in Richtung der ersten Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) erfolgt. Der erste und der zweite Resonatorspiegel (125, 130) sind über der ersten Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) angeordnet. Der Halbleiterlaser (10) weist ferner ein Konverterelement (135, 225) über einer von der Halbleiterschichtanordnung (112) abgewandten Seite des ersten Resonatorspiegels (125) auf.

公开(公告)号：DE102021109640A1

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102021109640

申请日：2021-04-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  RÜGHEIMER TILMAN ,  WALTER CHRISTOPH

IPC: G03B21/00 ,  F21V9/30 ,  G03B21/14 ,  G03B21/20 ,  H01L33/50

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Projektor (1)- einen ersten optoelektronischen Halbleiterchip (21) zur Erzeugung einer ersten Strahlung (R1) mit einer ersten Farbe,- einen zweiten optoelektronischen Halbleiterchip (22) zur Erzeugung einer zweiten Strahlung (R2) mit einer zweiten Farbe, und- ein Wellenlängenkonversionselement (3), das dazu eingerichtet ist, eine dritte Strahlung (R3) mit einer dritten Farbe aus einem ersten Anteil (P1) der ersten Strahlung (R1) zu erzeugen.

公开(公告)号：DE102015116092B4

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：DE102015116092

申请日：2015-09-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER CHRISTOPH ,  ENZMANN ROLAND ,  HORN MARKUS ,  SEIDENFADEN JAN

IPC: H01S5/022 ,  H01L33/62

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Trägers (200) mit einer Oberseite (201) ;- Anlegen eines gegenüber einem Montagebereich (210) der Oberseite (201) vertieften Bereichs (220) an der Oberseite (201) des Trägers (200), wobei zwischen dem Montagebereich (210) und dem vertieften Bereich (220) eine Stufe (230) ausgebildet wird;- Anordnen einer sich über den Montagebereich (210) und den vertieften Bereich (220) erstreckenden Metallisierung (250) an der Oberseite (201) des Trägers (200);- Anlegen einer Trennspur (270) in der Metallisierung (250), wobei die Metallisierung (250) in dem Montagebereich (210) zumindest abschnittsweise vollständig durchtrennt wird und in dem vertieften Bereich (220) zumindest nicht vollständig durchtrennt wird;- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (110) über dem Montagebereich (210) der Oberseite (201), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (110) an der Trennspur (270) ausgerichtet wird.