公开(公告)号：WO2014056762A3

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/EP2013070449

申请日：2013-10-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method which comprises in at least one embodiment of the method the following steps: A) producing radiation-active islands (4) having a semiconductor layer sequence (3) on a growth substrate (2), wherein the islands (4) each have at least one active zone (33) of the semiconductor layer sequence (3) and an average diameter of the islands (4), as viewed in a top view of the growth substrate, is in a range from 50 nm to 10 μm inclusive, B) producing a separating layer (5) on a side of the islands (4) facing the growth substrate (2), wherein the separating layer (5) surrounds the islands (4) all around, as viewed in a top view of the growth substrate (2), C) attaching a carrier substrate (6) to a side of the islands (4) facing away from the growth substrate (2), and D) detaching the growth substrate (2) from the islands (4), wherein at least a part of the separating layer (5) is destroyed and/or at least temporarily softened during the detachment.

Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例中，它包括以下步骤：A）制备辐射有源岛（4）具有生长衬底（2），其中，所述岛（4）每一个具有在半导体层序列中的至少一个有源区（33）上的半导体层序列（3）， （3）具有和岛屿（4）所示，在生长衬底上俯视的平均直径为50纳米至10微米，B）形成释放层（5）之间在岛屿的面对（一个（所述生长衬底2）侧 第4页），其特征在于，包围所述岛（4）圆形（在可见C中的生长衬底2）的俯视图）附接（6）的面向远离一个岛（4）的支撑基板（生长基板2）剥离层（5）， 和D）从分离的岛屿（4），其中，在所述剥离至少破坏分离层的一个部分（5）和/或至少部分软化的生长衬底（2）。

公开(公告)号：WO2014029852A3

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：PCT/EP2013067479

申请日：2013-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ SIMEON ,  SPECHT HOLGER ,  LINKOV ALEXANDER ,  KÖLPER CHRISTOPHER

IPC: G01J1/04 ,  G01J1/42

CPC classification number: G01J1/0425 ,  G01J1/0474 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4252 ,  G01M11/30

Abstract: The invention relates to a method for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210). In the method, an end (121) of an optical fiber (120), which optical fiber is connected to a measuring apparatus (130), is irradiated with the light radiation (300) emitted by the light-emitting diode (210) through an optical apparatus (140), such that part of the light radiation (300) is coupled into the optical fiber (120) and conducted to the measuring apparatus (130). The optical apparatus (140) causes the light radiation (300) passing through the optical apparatus (140) to be emitted in diffuse form in the direction of the end (121) of the optical fiber (130). The invention further relates to a device (100) for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。 在该方法中的光纤（120），这是通过光学装置连接到测量设备（130）的端部（121）（140）穿过其中与发射的发光二极管（210）的光辐射（300）的被照射，使 的光辐射（300）到所述光纤（120）和测量装置（130）的耦合部分中被引导。 导致的是，在所述光纤（130）的端部（121）的方向上扩散器形式的光学装置（140）是通过使光的辐射（300）分配的光学设备（140）。 本发明还涉及一种设备（100），用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。