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    Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode
    1.
    发明专利
    Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102014117995A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：DE102014117995

    申请日：2014-12-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STOLL ION ,  STRASSBURG MARTIN ,  HUCKENBECK BARBARA

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von Licht eingerichtet und umfasst Halbleitersäulen (2). Die Halbleitersäulen (2) weisen je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) befindet sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz. Auf die Halbleitersäulen (2) ist je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht, die die zugehörige Kernumhüllung (23) zumindest teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung mindestens teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt. Die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, füllen einen Zwischenraum zwischen den Halbleitersäulen (2) nur unvollständig aus.

    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2014056762A3

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/EP2013070449

    申请日：2013-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

    CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a method which comprises in at least one embodiment of the method the following steps: A) producing radiation-active islands (4) having a semiconductor layer sequence (3) on a growth substrate (2), wherein the islands (4) each have at least one active zone (33) of the semiconductor layer sequence (3) and an average diameter of the islands (4), as viewed in a top view of the growth substrate, is in a range from 50 nm to 10 μm inclusive, B) producing a separating layer (5) on a side of the islands (4) facing the growth substrate (2), wherein the separating layer (5) surrounds the islands (4) all around, as viewed in a top view of the growth substrate (2), C) attaching a carrier substrate (6) to a side of the islands (4) facing away from the growth substrate (2), and D) detaching the growth substrate (2) from the islands (4), wherein at least a part of the separating layer (5) is destroyed and/or at least temporarily softened during the detachment.

    Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例中，它包括以下步骤：A）制备辐射有源岛（4）具有生长衬底（2），其中，所述岛（4）每一个具有在半导体层序列中的至少一个有源区（33）上的半导体层序列（3）， （3）具有和岛屿（4）所示，在生长衬底上俯视的平均直径为50纳米至10微米，B）形成释放层（5）之间在岛屿的面对（一个（所述生长衬底2）侧 第4页），其特征在于，包围所述岛（4）圆形（在可见C中的生长衬底2）的俯视图）附接（6）的面向远离一个岛（4）的支撑基板（生长基板2）剥离层（5）， 和D）从分离的岛屿（4），其中，在所述剥离至少破坏分离层的一个部分（5）和/或至少部分软化的生长衬底（2）。

    Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode
    3.
    发明专利
    Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE112015005448B4

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：DE112015005448

    申请日：2015-12-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STOLL ION ,  STRASSBURG MARTIN ,  HUCKENBECK BARBARA

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24

    Abstract: Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von sichtbarem Licht mit einer Vielzahl von Halbleitersäulen (2), wobei- die Halbleitersäulen (2) je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweisen,- sich zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) eine aktive Zone (22) der Halbleitersäulen (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz befindet,- der Kern (21), die aktive Zone (22) und die Kernumhüllung (23) auf demselben Halbleitermaterial basieren,- auf die Halbleitersäulen (2) je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht ist, die die zugehörige Kernumhüllung (23) mindestens teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt,- die Konversionsumhüllung (4) direkt auf die Kernumhüllung (23) aufgebracht ist und die Kernumhüllung (23) eine konstante Schichtdicke aufweist,- die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, einen Zwischenraum zwischen diesen Halbleitersäulen (2) nur unvollständig ausfüllen, sodass zwischen benachbarten Halbleitersäulen keine durchgehende, geradlinige Verbindung nur allein über die Konversionsumhüllungen (4) hergestellt ist,- die Konversionsumhüllungen (4) je eine konstante Dicke aufweisen, mit einer Toleranz von höchstens 20 % einer mittleren Dicke der Konversionsumhüllungen (4), und- die Konversionsumhüllung (4) die einzige fotolumineszierende Komponente ist.

    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102014117803A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：DE102014117803

    申请日：2014-12-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN

    IPC: H01L33/50 ,  H01L21/326 ,  H01L33/52

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode (1) angegeben, wobei eine Leuchtdiodenstruktur (1a) mit einer Strahlungsaustrittsseite (1b) bereitgestellt wird, wobei die Leuchtdiodenstruktur (1a) eine Halbleiterschichtenfolge (3) und eine aktive Schicht (3a) umfasst, und wobei säulenartige Strukturelemente (4) an der Strahlungsaustrittsseite (1b) ausgebildet sind und die Strukturelemente (4) eine Haupterstreckungsrichtung in Richtung senkrecht auf die Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweisen, und ein Konvertermaterial (5) auf die Strahlungsaustrittsseite (1b) mit den Strukturelementen (4) aufgebracht wird, wobei das Konvertermaterial (5) in einer ersten Relativbewegung (A) relativ zur Leuchtdiodenstruktur (1a) und parallel zur Haupterstreckungsrichtung der Strukturelemente (4) bewegt wird, und das Konvertermaterial (5) in einer zweiten Relativbewegung (B) senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung der Strukturelemente (4) bewegt wird.

    Anordnung mit säulenartiger Struktur und einer aktiven Zone
    8.
    发明专利
    Anordnung mit säulenartiger Struktur und einer aktiven Zone 未知

    公开(公告)号：DE102013104273A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：DE102013104273

    申请日：2013-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RISTIC JELENA ,  STRASSBURG MARTIN ,  MANDL MARTIN ,  LELL ALFRED

    IPC: H01L33/24 ,  H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/36 ,  H01S5/34

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung, ein Array von Anordnungen und eine Anordnung (1) mit einer säulenartigen Struktur (5), die mit einem Ende auf einem Substrat (2) angeordnet ist, wobei die Struktur (5) mit einer Halbleiterschichtstruktur (6) mit einer aktiven Zone (7) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung bedeckt ist, wobei die aktive Zone (7) eine Bandlücke für eine strahlende Rekombination aufweist, wobei die aktive Zone (7) in der Weise ausgebildet ist, dass die Bandlücke in Richtung eines freien Endes (25) der Struktur (5) abnimmt, so dass eine Diffusion von Ladungsträgern in Richtung des freien Endes (25) der Struktur (5) und eine strahlende Rekombination von Ladungsträgerpaaren im Bereich des freien Endes (25) der Struktur (5) unterstützt wird.

    Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
    9.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays 未知

    公开(公告)号：DE102012106859A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：DE102012106859

    申请日：2012-07-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F ,  MANDL MARTIN

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays (10) angegeben, das eine LED-Leuchteinheit (4) mit einer mit Vielzahl von Pixeln (5) aufweist. Erste Subpixel (B), zweite Subpixel (G) und dritte Subpixel (R) enthalten jeweils einen LED-Chip (3) zur Emission von Strahlung einer ersten Farbe, wobei zumindest über den zweiten Subpixeln (G) eine erste Konversionsschicht (1) zur Konversion der Strahlung in eine zweite Farbe und über den dritten Subpixeln (R) eine zweite Konversionsschicht (2) zur Konversion der Strahlung in eine dritte Farbe angeordnet wird. Dabei wird jeweils mindestens ein Prozessschritt durchgeführt, bei dem die erste (1) oder zweite Konversionsschicht (2) in mindestens einem definierten Bereich über den Pixeln (5) aufgebracht oder entfernt wird, wobei ein Teil der LED-Chips (3) elektrisch betrieben wird, und wobei der Bereich durch die von den betriebenen LED-Chips (3) erzeugte Strahlung (6), eine erzeugte Wärme oder ein erzeugtes elektrisches Feld definiert wird.

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