公开(公告)号：DE102018129191A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102018129191

申请日：2018-11-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL PETER ,  REINGRUBER KLAUS

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement, wobei das Bauelement auf einem Träger angeordnet ist, wobei auf den Träger eine erste Schicht aufgebracht wird, wobei die erste Schicht wenigstens seitlich in Form eines umlaufenden Rahmens das Bauelement umgibt, wobei anschließend auf die erste Schicht seitlich neben dem Rahmen eine zweite Schicht aufgebracht wird, wobei die zweite Schicht eine größere Härte als die erste Schicht aufweist.

公开(公告)号：DE102017127597A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102017127597

申请日：2017-11-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL PETER

IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Träger mit einer Montagefläche auf. Über der Montagefläche ist zumindest ein zur Emission elektromagnetischer Strahlung ausgebildeter optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Ein Formmaterial ist über der Montagefläche angeordnet, wobei die optoelektronischen Halbleiterchips in das Formmaterial eingebettet sind. Im Formmaterial ist ein Hohlraum ausgebildet. Strahlungsemissionsflächen der optoelektronischen Halbleiterchips sind nicht von dem Formmaterial bedeckt. Der Hohlraum ist durch eine Öffnung im Formmaterial zugänglich. Eine Öffnungsfläche der Öffnung ist kleiner als eine Summe aller Strahlungsemissionsflächen der optoelektronischen Halbleiterchips.

公开(公告)号：DE102017124155A1

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102017124155

申请日：2017-10-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL PETER ,  GRUBER STEFAN

IPC: H01L33/58 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Bauelement (100) angegeben, das zumindest einen Licht emittierenden Halbleiterchip (1), mit einer Lichtauskoppelfläche (10), ein Wellenlängenkonversionselement (2) auf der Lichtauskoppelfläche und ein erstes reflektierendes Material (3) aufweist, das das Wellenlängenkonversionselement und den Halbleiterchip jeweils lateral umgibt, wobei das erste reflektierende Material lateral unmittelbar an den Halbleiterchip angrenzt und in einer dem Halbleiterchip abgewandten Oberseite (30) ein Grabensystem (4) mit zumindest einem geradlinig verlaufenden Graben (40) aufweist, der entlang einer Seitenfläche des Wellenlängenkonversionselements verläuft.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102017114005A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017114005

申请日：2017-06-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL PETER ,  SANTANA ANNIBALE EDER ,  REINGRUBER KLAUS ,  HUBER RAINER ,  KREUTINGER LEOPOLD

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L33/38

Abstract: Eine Trägerplatte (100) für ein elektronisches Bauteil (200) umfasst eine Oberseite (50) zum elektrischen Anschließen und Montieren eines elektronischen Bauteils. Ferner umfasst die Trägerplatte eine Unterseite (10) zum elektrischen Anschließen der Trägerplatte an eine Leiterplatte (300). Die Trägerplatte umfasst zwei oder mehr voneinander elektrisch isolierte Kontaktstrukturen (1), die zur Stromführung von der Unterseite zur Oberseite oder in umgekehrte Richtung eingerichtet sind. Die Kontaktstrukturen bilden dabei an der Unterseite jeweils elektrisch leitfähige Kontaktflächen (2). Eine Kontaktfläche ist im Bereich einer Ecke (11) der Unterseite angeordnet. Die im Bereich der Ecke angeordnete Kontaktfläche weist in Draufsicht auf die Unterseite betrachtet eine gekrümmte Kante (20) auf. Die gekrümmte Kante ist der Ecke zugewandt, sodass der am nächsten zu der Ecke liegende Punkt der Kontaktfläche auf der gekrümmten Kante liegt. Die der Ecke nächstliegende Kontaktfläche hat ferner einen Abstand zu der Ecke von zumindest 2,5 % und höchstens 10 % des Umfangs der Unterseite.

公开(公告)号：DE102014100772A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102014100772

申请日：2014-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  PLÖSSL ANDREAS ,  RODE PATRICK ,  NAGEL PETER ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/52 ,  H01L31/12 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist; c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips auf dem Hilfsträger, wobei die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper vom Trägerkörper aus gesehen dem Hilfsträger zugewandt sind; d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern benachbarter Halbleiterchips; e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20); f) Entfernen des Hilfsträgers (2); und g) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100).