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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    12.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    方法制造光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2013131729A1

    公开(公告)日：2013-09-12

    申请号：PCT/EP2013/052995

    申请日：2013-02-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOEOETZ, Britta ,  MOOSBURGER, Juergen ,  PLOESSL, Andreas ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: C23C16/448 ,  C23C24/04 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/641 ,  C23C24/04 ,  C25D7/12 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/46 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben mit den Schritten: Aufwachsen einer optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1), Ausbilden einer elektrisch isolierenden Schicht (4) auf einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) durch Abscheidung von Partikeln eines elektrisch isolierenden Materials mittels eines Aerosolabscheideverfahrens, zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrats (1) nach dem Ausbilden der elektrisch isolierenden Schicht (4). Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

    Abstract translation: 它是用于制造设置有如下步骤的光电子半导体芯片的方法：在生长衬底（1）上生长的光电子半导体层序列（2）中，形成（4）面向远离光电子半导体层序列的生长衬底（1）侧离开的电绝缘层（2 ）（通过由Aerosolabscheideverfahrens的装置，至少部分地去除所述生长衬底（1的电绝缘材料的颗粒的沉积），形成在电绝缘层4）之后。 此外，光电子半导体芯片被指定。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT TUNNELÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN
    14.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT TUNNELÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
    与隧道过渡和方法光电子半导体本体，其制造方法

    公开(公告)号：WO2009106070A1

    公开(公告)日：2009-09-03

    申请号：PCT/DE2009/000282

    申请日：2009-02-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L29/88 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge angegeben, die einen Tunnelübergang (2) und eine zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (4) aufweist. Der Tunnelübergang weist eine Zwischenschicht (23) zwischen einer n-Typ-Tunnelübergangsschicht (21) und einer p-Typ-Tunnelübergangsschicht (22) auf. Bei einer Ausführungsform weist die Zwischenschicht eine der n-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte n-Barriereschicht (231), eine der p-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte p-Barriereschicht (233) und eine Mittelschicht (232) auf. Die Materialzusammensetzung der Mittelschicht unterscheidet sich von der Materialzusammensetzung der n-Barriereschicht und der p-Barriereschicht. Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Zwischenschicht (23) alternativ oder zusätzlich gezielt mit Störstellen (6) versehen. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.

    Abstract translation: 它与外延半导体层序列指定，具有隧道结的光电子半导体主体（2）和用于电磁辐射活性层的发射（4）。 隧道结包括一个n型隧道结层（21）和p型隧道结层（22）之间的中间层（23）。 在一个实施例中，中间层具有面对正势垒层（231），面向对 - 阻挡层（233）和中间层（232）在p型隧道结层中的一个的n型隧道结层中的一个。 中间层的材料组合物，是从n势垒层和p型势垒层的材料组成不同。 在另一个实施例中，中间层（23）被替代地或额外地提供有特定杂质（6）。 此外，提供了一种用于制造这样的光电子半导体本体的方法。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG
    15.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
    发射辐射的装置

    公开(公告)号：WO2009095007A1

    公开(公告)日：2009-08-06

    申请号：PCT/DE2009/000135

    申请日：2009-01-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (30) zur Emission einer Primärstrahlung, einer Strahlungsauskoppelfläche (10) auf einer Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) zur Auskopplung der Primärstrahlung, einer Spiegelschicht (50) auf einer von der Strahlungsauskoppelfläche (10) abgewandten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (20), und einer Wellenlängenkonversionsschicht (100) zwischen der aktiven Schicht (30) und der Spiegelschicht (50), wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest einen Leuchtstoff (70) zur Wellenlängenkonversion der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung aufweist, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest eine Öffnung aufweist, in der ein elektrisches Kontaktelement (90) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, angegeben.

    Abstract translation: 它是具有用于对上的耦合初级辐射，反射镜层（50）的外延半导体层序列（20）的表面上发射初级辐射，辐射输出（10）的有源层（30）的外延半导体层序列（20）发射辐射的装置 从半导体层序列（20）的表面背对所述辐射（10），以及在有源层（30）和镜面层（50）之间的波长转换层（100）的，所述用于初级辐射的波长转换的波长转换层（100）的至少一个磷光体（70） 包括成次级辐射，其中，所述波长转换层（100）具有至少一个开口，其中布置指定半导体层序列（20）电接触的电接触元件（90）。

    DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    16.
    发明申请
    DÜNNFILM-LED MIT EINER SPIEGELSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
    薄膜换镜层和方法及其LED

    公开(公告)号：WO2009039820A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001495

    申请日：2008-09-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  PLAINE, Glenn-Ives

    Inventor： HAHN, Berthold ,  WEIMAR, Andreas ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  PLAINE, Glenn-Ives

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/145 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Dünnfilm-LED, die eine Barriereschicht (3), eine der Barriereschicht (3) nachfolgende erste Spiegelschicht (2), einen der ersten Spiegelschicht (2) nachfolgenden Schichtstapel (5), und mindestens eine dem Schichtstapel (5) nachfolgende Kontaktstruktur (6) umfasst. Der Schichtstapel (5) weist mindestens eine aktive Schicht (5a) auf, die elektromagnetische Strahlung emittiert. Die Kontaktstruktur (6) ist auf einer Strahlungsaustrittsfläche (4) angeordnet und weist eine Kontaktfläche (7) auf. Die erste Spiegelschicht (2) weist in einem der Kontaktfläche der Kontaktstruktur (6) gegenüberliegenden Bereich eine Aussparung auf, die größer als die Kontaktfläche (7) der Kontaktstruktur (6) ist. Dadurch erhöht sich die Effizienz der Dünnfilm-LED.

    Abstract translation: 本发明涉及到一个薄膜LED，一个阻挡层（3），所述阻隔层（3）随后的第一反射镜层（2），所述第一反射层中的一个（2）随后的下列层堆（5），和所述层堆叠中的至少一个（5） 接触结构（6）。 层堆叠（5）具有至少发射电磁辐射的有源层（5a）中。 接触结构（6）被布置在辐射出射表面（4），并且具有接触表面（7）。 所述第一反光镜层（2）具有在所述接触结构（6）区的凹部相对的比所述接触表面较大的接触表面中的一个（7）的接触结构（6）。 薄膜的效率的LED增加。

    LEUCHTMODUL, LEUCHTMITTEL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMODULS
    17.
    发明申请
    LEUCHTMODUL, LEUCHTMITTEL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTMODULS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019137776A1

    公开(公告)日：2019-07-18

    申请号：PCT/EP2018/085967

    申请日：2018-12-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BÖSL, Florian ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Leuchtmodul (100) einen Träger (1) mit zwei einander gegenüberliegenden Hauptseiten (10) und einer die Hauptseiten (10) verbindenden Oberseite (11). Ferner umfasst das Leuchtmodul eine Mehrzahl von Halbleiterchips (2) auf der Oberseite des Trägers. Die Halbleiterchips sind dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren. Die Halbleiterchips sind auf der Oberseite entlang einer Linie aufgereiht. Der Träger ist durchlässig für sichtbares Licht. Der Träger ist selbsttragend und trägt die Halbleiterchips. Die Flächen der Hauptseiten sind jeweils größer als die Fläche der Oberseite.

    LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS
    18.
    发明申请
    LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开
    的光用于制造发光器件的发光器件和工艺

    公开(公告)号：WO2016146665A2

    公开(公告)日：2016-09-22

    申请号：PCT/EP2016/055651

    申请日：2016-03-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER, Christian ,  LINKOV, Alexander ,  SABATHIL, Matthias ,  KNOERR, Matthias

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Lichtemittierendes Bauelement (100), bestehend aus einem lichtemittierenden Chip (110), der Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, und mit mindestens einer Konversionsschicht (30), die Licht der ersten Wellenlänge in Licht mit mindestens einer zweiten Wellenlänge konvertiert, dadurch gekennzeichnet, dass ein Homogenisierungselement (150) zwischen dem lichtemittierenden Chip (110) und der Konversionsschicht (130) vorgesehen ist, wobei eine Oberfläche des Homogenisierungselements (50) an den lichtemittierenden Chip (110) angrenzt und mindestens eine weitere Oberfläche des Homogenisierungselements (150) an die Konversionsschicht (130) angrenzt. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements (100).

    Abstract translation: 一种发光器件（100），包括发射具有第一波长的光的发光芯片（110）的，和至少一个转换层（30），所述第一波长的光转换成光具有至少转换的第二波长，其特征在于 均匀化元件（150）的发光芯片（110）和所述转换层（130），所述Homogenisierungselements（50）的表面相邻的发光芯片（110）和至少一个其它表面的Homogenisierungselements（150）之间设置的转换层 （130）抵接。 一种用于制造发光器件（100）的过程。

    BELEUCHTUNGSMODUL
    19.
    发明申请
    BELEUCHTUNGSMODUL 审中-公开
    照明模块

    公开(公告)号：WO2016012232A1

    公开(公告)日：2016-01-28

    申请号：PCT/EP2015/065475

    申请日：2015-07-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  LAMFALUSI, Tamas ,  SCHULZ, Roland ,  SINGER, Frank ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: F21K99/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60 ,  H01L33/40 ,  F21Y103/00

    CPC classification number: H01L25/0753 ,  F21K9/64 ,  H01L33/405 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Montagekörper (3), der sich zwischen einer Rückseite (31) und einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite (30) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (2), die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind, angegeben, wobei - der Montagekörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, in denen die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, - der Montagekörper für die in den Halbleiterbauelementen erzeugte Strahlung durchlässig ist und die Strahlung an der Vorderseite des Montagekörpers austritt, - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Kontaktschicht (5) angeordnet ist, mit der die Halbleiterbauelemente über Verbindungsleitungen elektrisch leitend verbunden sind, und - auf der Rückseite des Montagekörpers eine Reflektorschicht (6) angeordnet ist, die zumindest die Ausnehmungen vollständig überdeckt.

    Abstract translation: 它是一种照明模块（1）包括：安装体（3），其后侧（31）和后侧的前侧（30）相对中的一个之间延伸，并且多个半导体元件（2）提供了一种用于产生辐射 所指出的，其特征在于， - 在所述背面的安装体具有多个凹部（35），其中半导体部件布置， - 所述安装体以在半导体器件的辐射是透明的产生，并且在前面的辐射的安装体出现， - 上 安装体的背面，接触层（5）被布置成，与该半导体元件被电经由连接线连接，以及 - 布置在所述安装体的背面具有反射器层（6），其至少完全覆盖凹部。

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