公开(公告)号：WO2016034540A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/EP2015/069861

申请日：2015-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHUMANN, Michael ,  GEBUHR, Tobias ,  RACZ, David ,  SPERL, Matthias

IPC: H05K1/18 ,  F21S4/00 ,  F21Y101/02 ,  H05K1/02 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H05K1/18 ,  H05K3/284 ,  H05K3/32 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil, umfassend: - eine Leiterplatte, - eine auf einer Oberfläche der Leiterplatte angeordnete Lichtquelle, - die zumindest eine von zumindest einer lichtemittierenden Diode gebildete Leuchtfläche aufweist, wobei - die lichtemittierende Diode mit der Leiterplatte elektrisch verbunden ist, wobei - die lichtemittierende Diode mittels einer Vergussmasse zumindest teilweise eingemoldet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件，包括： - 具有至少一个发光从至少一个发光二极管，其特征在于，形成面 - - 发射与印刷电路板二极管的光被电连接，其特征在于，印刷电路板， - 设置在电路板的光源的表面上的装置 - 发光二极管是由封装化合物的手段eingemoldet至少部分。 本发明还涉及一种用于制造光电子器件的方法。

公开(公告)号：WO2015162236A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：PCT/EP2015/058874

申请日：2015-04-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/60 ,  F21V8/00 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/486 ,  G02B6/0073 ,  H01L27/0248 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (10), eine erste Kontaktfläche (31) und eine zur ersten Kontaktfläche lateral versetzte und von dieser elektrisch isolierte zweite Kontaktfläche (32), und ein Gehäuseelement (40). Die die erste Kontaktfläche (31) ist elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht (21) und die zweite Kontaktfläche (32) ist elektrisch leitend mit der zweiten Halbleiterschicht (22) des optoelektronischen Halbleiterchips verbunden. Die erste Kontaktfläche (31) und die zweite Kontaktfläche (32) überragen den optoelektronischen Halbleiterchip jeweils seitlich. Das Gehäuseelement (40) ist in Bereichen, in welchen die erste Kontaktfläche (31) und die zweite Kontaktfläche (32) den optoelektronischen Halbleiterchip jeweils seitlich überragen, an der ersten Kontaktfläche (31) und der zweiten Kontaktfläche (32) befestigt. Das Gehäuseelement umgibt den optoelektronischen Halbleiterchip zumindest teilweise. Eine dem optoelektronischen Halbleiterchip zugewandte Oberfläche des Gehäuseelements ist zumindest in Teilbereichen reflektierend ausgebildet ist. Eine Wand des Gehäuseelements weist eine Aussparung (61) auf.

Abstract translation: 光电子器件（100）包括的光电子半导体芯片（10），第一接触表面（31）和一个横向和从该电绝缘的第二接触表面（32）偏移到所述第一接触面和壳体构件（40）。 第一接触表面（31）导电地连接到第一半导体层（21）和所述第二接触表面（32）导电地连接到连接在所述光电子半导体芯片的所述第二半导体层（22）。 第一接触表面（31）和所述第二接触表面（32）突出超过所述光电子半导体芯片侧面。 其中，所述第一接触表面（31）和每个项目横向光电子半导体芯片的所述第二接触表面（32），在所述第一接触表面（31）和所述第二接触表面（32）被附接的区域中的壳体构件（40）。 所述壳部件至少部分地围绕所述光电子半导体芯片。 面对所述壳体件的光电子半导体芯片表面的表面是反射性的，至少在某些领域。 壳体部件的壁具有凹槽（61）。

公开(公告)号：WO2018065534A1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：PCT/EP2017/075386

申请日：2017-10-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BECKER, Dirk ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L31/0232 ,  H01L25/16 ,  H01L31/167 ,  H01L31/0203

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/167 ,  H01L31/1876 ,  H01L33/62 ,  Y02P70/521

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Sensoren. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Trägerplatte und ein Anordnen von Halbleiterchips auf der Trägerplatte. Die auf der Trägerplatte angeordneten Halbleiterchips umfassen wenigstens strahlungsdetektierende Halbleiterchips. Weiter vorgesehen ist ein Bereitstellen von strahlungsdurchlässigen optischen Elementen auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte. In diesem Schritt werden mehrere strahlungsdurchlässige optische Elemente gemeinsam auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte bereitgestellt. Ferner erfolgt ein Vereinzeln der mit den Halbleiterchips und den strahlungsdurchlässigen optischen Elementen versehenen Trägerplatte, so dass separate Sensoren gebildet werden, welche jeweils einen Abschnitt der Trägerplatte, wenigstens einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip und wenigstens ein strahlungsdurchlässiges optisches Element aufweisen.

Abstract translation: 制造传感器的方法技术领域本发明涉及一种制造传感器的方法。 该方法包括提供背板并将半导体芯片放置在背板上。 布置在载体板上的半导体芯片至少包括辐射检测半导体芯片。 还提供了在设置有半导体芯片的承载板上提供辐射透射光学元件。 在该步骤中，在设置有半导体芯片的背板上共同提供多个辐射透射性光学元件。 提供拉尔光学元件Tr的BEAR;此外，半导体芯片和strahlungsdurchl＆AUML的分离发生承载板，使得单独的传感器形成，每一个都具有Tr的AUML的一部分;支承板，所述至少一个辐射检测的半导体芯片以及至少一个strahlungsdurchl BEAR具有流光学元件。

公开(公告)号：WO2017093262A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：PCT/EP2016/079152

申请日：2016-11-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL, Markus ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelement umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers, zum Befestigen eines ein wellenlängenkonvertierendes Material aufweisenden Bogens an einer Oberseite des Trägers, zum Anordnen einer Gitterstruktur an einer Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips in einer Öffnung der Gitterstruktur an der Oberseite des Bogens, zum Anordnen eines Vergussmaterials an der Oberseite des Bogens, wobei die Gitterstruktur und der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise in das Vergussmaterial eingebettet werden, wobei ein das Vergussmaterial, den Bogen, die Gitterstruktur und den optoelektronischen Halbleiterchip umfassender Verbundkörper gebildet wird, und zum Ablösen des Verbundkörpers von dem Träger.

Abstract translation:

制造光电子器件的方法包括提供Tr的AUML的工序;对于上的顶部布置一个格栅结构蒙古包;热尔，在Tr的＆AUML的顶部上的具有波长BEAR ngenkonvertierendes材料电弧附着 片用于在＆Ouml排列的光电子半导体芯片;在片材的顶侧上的网格结构的开口，用于放置灌封材料在片材，其特征在于，所述光栅结构和所述光电子半导体芯片被至少部分地嵌入在模制材料的上侧，其中灌封材料， 形成包括复合体的片材，晶格结构和光电子半导体芯片，并且用于从载体上释放复合体

公开(公告)号：WO2016165977A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/EP2016/057408

申请日：2016-04-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPERL, Matthias ,  SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2933/0075

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterchip (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben, wobei - der Halbleiterchip eine Vorderseite (201) und eine der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite (202) aufweist; - das Halbleiterbauelement einen Formkörper (4) aufweist, der zumindest stellenweise an den Halbleiterchip angeformt ist; - das Halbleiterbauelement an einer der Vorderseite des Halbleiterchips gegenüberliegenden Rückseite (12) des Halbleiterbauelements einen thermischen Anschluss aufweist, der sich bis zur Rückseite des Halbleiterchips erstreckt; und - der Halbleiterchip an der Vorderseite zumindest eine elektrische Anschlussfläche (25) aufweist, die über eine auf dem Formkörper verlaufende Kontaktbahn (55) mit einer elektrischen Kontaktfläche (5) des Halbleiterbauelements elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen angegeben.

Abstract translation: 它是一种包含半导体芯片的光电子半导体器件（1）（2），具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），提供了一种半导体层序列（200），其中 - 所述半导体芯片具有前（201）和一个前部的 相对的后表面（202）; - 该半导体器件包括一成形的主体（4），其至少局部地形成在半导体芯片上; - 在所述半导体元件的与半导体芯片相对后侧（12）的前侧的一个半导体器件具有延伸到半导体芯片的背面侧的热连接; 具有关于所述模体接触幅材（55）上延伸的轴的前侧的至少一个电连接垫（25）的半导体芯片电传导地连接到所述半导体器件（5）的电接触表面 - 和。 此外，提供了一种用于制造多个半导体器件的方法。

公开(公告)号：WO2016071307A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/EP2015/075517

申请日：2015-11-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  HOXHOLD, Björn ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/46 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L21/565 ,  H01L23/291 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

Abstract: Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Ein optoelektronisches Bauelement (10) weist einen Verbundkörper (100) auf, der einen Formkörper (200) und einen in den Formkörper (200) eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip (300) umfasst. Ein elektrisch leitender Durchkontakt (400) erstreckt sich von einer Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) zu einer Unterseite (102) des Verbundkörpers (100) durch den Formkörper (200). Eine Oberseite (301) des optoelektronischen Halbleiterchips (300) ist zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (200) bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip (300) weist an seiner Oberseite (301) einen ersten elektrischen Kontakt (310) auf. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist eine erste Oberseitenmetallisierung (110) angeordnet, die den ersten elektrischen Kontakt (310) elektrisch leitend mit dem Durchkontakt (400) verbindet. Das optoelektronische Bauelement (10) weist eine obere Isolationsschicht (160) auf, die sich über die erste Oberseitenmetallisierung (110) erstreckt. Das optoelektronische Bauelement (10) weist außerdem eine zweite Oberseitenmetallisierung (120) auf, die über der oberen Isolationsschicht (160) angeordnet und durch die obere Isolationsschicht (160) elektrisch gegen die erste Oberseitenmetallisierung (110) isoliert ist.

Abstract translation: 其制备一种光电子器件（10），光电子器件和方法包括复合体（100）包括模制体（200）并进入模体（200）嵌入的光电子半导体芯片（300）。 一个通过由模制体（200）从所述复合体（100）的顶表面（101）延伸到所述复合材料主体（100）的下侧（102）（400）导电。 光电子半导体芯片（300）的上表面（301）由所述模体（200）至少部分覆盖。 光电子半导体芯片（300）具有在其上侧（301）的第一电接触（310）。 在复合体（100）的顶部（101）是第一顶部金属化（110）被布置成，它连接所述第一电接触（310）电连接到所述通孔（400）。 光电子器件（10）具有延伸穿过所述第一顶部金属化（110）的上绝缘层（160）。 光电子器件（10）还包括第二顶部金属化（120）设置在上绝缘层（160）上，并通过上绝缘层（160）电到第一顶部金属化（110）是分离的。

公开(公告)号：WO2016071097A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/EP2015/074043

申请日：2015-10-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOXHOLD, Björn ,  KISSLING, Matthias ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Aufbringen eines ersten Materials (5) auf einer Oberfläche (1) in einer Mehrzahl von voneinander getrennten Beschichtungsbereichen (2) angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen der Oberfläche (1) mit den Beschichtungsbereichen (2), B) Herstellen einer ersten Maskenschicht (3) auf der Oberfläche (1) mittels eines fotolithografischen Verfahrens, wobei die erste Maskenschicht (3) eine Mehrzahl von ersten Öffnungen (31) aufweist, die über den Beschichtungsbereichen (2) angeordnet sind, C) Bereitstellen einer selbsttragenden zweiten Maskenschicht (4) und anschließendes Aufbringen der zweiten Maskenschicht (4) auf der ersten Maskenschicht (3), wobei die zweite Maskenschicht (4) eine Mehrzahl von zweiten Öffnungen (41) aufweist, die über den ersten Öffnungen (31) angeordnet sind und die eine Größe aufweisen, die kleiner oder gleich einer Größe der ersten Öffnungen (31) ist, D) Aufbringen des ersten Materials (5) auf der Oberfläche (1) in den Beschichtungsbereichen (2) durch die ersten und zweiten Öffnungen (31, 41) der ersten und zweiten Maskenschicht (3, 4) hindurch.

Abstract translation: 有间隔开的多个的表面（1）上施加第一材料（5）的方法涂敷区域（2）设置有如下步骤：a）提供所述表面（1）与所述涂层区域（2），B） 通过光刻法形成的表面（1）上的第一掩模层（3），所述第一掩模层（3）包括多个第一开口（31），其被布置在所述涂层的区域（2），C以上）提供一种自支撑 第二掩模层（4），然后将所述第二掩模层（4）在第一掩模层（3）上，所述具有多个第二开口（41）的第二掩模层（4）设置成穿过所述第一开口（31）和 具有尺寸小于或等于一个尺寸的第一开口（31）中，d）在Beschi表面（1）上施加第一材料（5）的 chtungsbereichen（2）通过所述第一和第二掩模层（3，4）通过其中的第一和第二开口（31,41）。

公开(公告)号：WO2016020365A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/EP2015/067911

申请日：2015-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAIBERGER, Luca ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L21/568 ,  H01L24/96 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0033

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements umfasst das Ausbilden einer Opferstruktur (470) auf einer Oberseite eines Trägers (2) mittels eines fotolithografischen Prozesses und das Umformen der auf der Oberseite des Trägers (2) angeordneten Opferstruktur (470) und eines elektronischen Halbleiterchips (430) mit einem Formkörper (481) derart, dass eine Oberfläche (435) des elektronischen Halbleiterchips (430) zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (481) bedeckt wird. Als weitere Schritte umfasst das Verfahren das Ablösen des Formkörpers (481) von dem Träger (2) und ein Entfernen der Opferstruktur (470), wobei durch das Entfernen der Opferstruktur (470) eine Aussparung in dem Formkörper (481) ausgebildet wird.

Abstract translation: 一种制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺来形成在载体（2）的顶部上的牺牲图案（470）和对所述载体的顶部上的形成（2），其设置牺牲图案（470）和电子的半导体芯片（430 ）与模具主体（481），使得电子的半导体芯片（430）部分地（通过模具本体481）的表面（435）至少覆盖。 该方法的进一步的步骤包括载体（2）的模制体（481）的脱离和除去牺牲图案（470），其特征在于，通过去除牺牲图案（470）形成在模制体（481）的凹部。

公开(公告)号：WO2020127480A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/EP2019/085946

申请日：2019-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPERL, Matthias ,  HALBRITTER, Hubert ,  BRICK, Peter ,  SCHLOSSER, Philipp ,  SPRENGER, Dennis

IPC: H01S5/183

Abstract: Eine Laservorrichtung (10) umfasst einen Träger (11), ein auf dem Träger (11) angeordnetes optoelektronisches Bauelement (12), das dazu ausgebildet ist, Laserstrahlung zu emittieren, und ein optisches Element (14), das dazu ausgebildet ist, die von dem optoelektronischen Bauelement (12) emittierte Laserstrahlung zu formen,wobei das optische Element (14) eine erste, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (15) mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (16) mit einem zweiten Brechungsindex aufweist,wobei die erste Schicht (15) auf das optoelektronische Bauelement (12) aufgebracht ist und eine Oberfläche (24) mit einer eingeprägten Struktur aufweist, und wobei die zweite Schicht (16) auf die Oberfläche (24) mit der eingeprägten Struktur der ersten Schicht (15) aufgebracht ist.

公开(公告)号：WO2018065537A1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：PCT/EP2017/075395

申请日：2017-10-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BECKER, Dirk ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L31/02002 ,  H01L25/167 ,  H01L31/16 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Sensor. Der Sensor weist eine Leiterplatte und wenigstens einen auf der Leiterplatte angeordneten Halbleiterchip auf. Der Halbleiterchip weist einen Vorderseitenkontakt auf. Auch ist der Halbleiterchip ein strahlungsdetektierender Halbleiterchip. Der Sensor weist des Weitereneine auf der Leiterplatte angeordnete Einbettungsschicht auf, welche seitlich an den wenigstens einen Halbleiterchip angrenzt. Der Sensorweist fernereine Kontaktschicht auf, welche mit dem Vorderseitenkontakt des wenigstens einen Halbleiterchips verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiterenein Verfahren zum Herstellen von Sensoren.

Abstract translation: 传感器技术领域本发明涉及一种传感器。 传感器具有印刷电路板和布置在印刷电路板上的至少一个半导体芯片。 半导体芯片具有前侧接触。 半导体芯片也是辐射检测半导体芯片。 传感器还具有设置在印刷电路板上的嵌入层，该嵌入层横向邻接至少一个半导体芯片。 该传感器还包括连接至至少一个半导体芯片的正面触点的接触层。 本发明还涉及一种制造传感器的方法