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    DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE A DIODES PHOTO-SENSIBLES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF.
    11.
    发明专利
    DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE A DIODES PHOTO-SENSIBLES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF. 未知

    公开(公告)号：FR2880990A1

    公开(公告)日：2006-07-21

    申请号：FR0500408

    申请日：2005-01-14

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L31/02 ,  H01L21/60 ,  H01L27/14

    Abstract: Dispositif semi-conducteur optique et procédé de fabrication d'un tel dispositif, comprenant, dans une zone (5), une structure de diodes photo-sensibles comprenant une matrice (6) d'électrodes inférieures (7), une couche intermédiaire (9) en un matériau photosensible formée sur ladite matrice d'électrodes inférieures et au moins une électrode supérieure (10a) formée sur ladite couche intermédiaire, dans lesquels des moyens de liaison électrique (3a) comprenant au moins un plot de contact électrique (7a) et au moins un plot de liaison électrique (16a) sont réalisés en dessous de ladite couche intermédiaire, au moins un via de connexion électrique (14) est réalisé au travers de ladite couche intermédiaire et relie ladite électrode supérieure audit plot de contact électrique et au moins un puits (15a) est formé à l'extérieur de ladite zone (5) et traverse au moins ladite couche intermédiaire (9) pour découvrir ledit plot de liaison électrique (16a).

    Device and method for controlling a photosensitive cell of an image sensor, comprises generation of charge-transfer control signal with part slopes
    12.
    发明专利
    Device and method for controlling a photosensitive cell of an image sensor, comprises generation of charge-transfer control signal with part slopes 未知

    公开(公告)号：FR2846147A1

    公开(公告)日：2004-04-23

    申请号：FR0212851

    申请日：2002-10-16

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： CAZAUX YVON ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H04N5/363 ,  H04N5/374 ,  H04N3/15

    Abstract: The device is designed for controlling a photosensitive cell comprising a photodiode which can be discharged into the read mode (S) by the intermediary of a MOS transfer transistor. The device provides a signal (T) for controlling the gate of the transfer transistor so that at the low signal level the transfer transistor is nonconducting and at the high signal level the transfer transistor is conducting. The device also provides a signal for controlling the transition between two levels of a determined average slope. The device which is the last stage of a control circuit providing the charge-transfer control signal (T) in response to a control signal (C) comprises two complementary MOS transistors connected in series with one constant current source (I) in the first embodiment, or two constant current sources (I,I') in the second embodiment. The gates of the two transistors are connected together and receive the binary control signal (C). The control signal (T) has a finite slope between two levels, and a plateau intermediate between two levels. The duration (Td) of the transition can be adjusted by the intensity of the current provided by the constant current source and is greater than 50 ns; the maximum value is about 0.5 microsecond. The control signal (T) is output simultaneously to the gates of the transfer transistors of several photosensitive cells. The method (claimed) for controlling a photosensitive cell comprising a photodiode is implemented by the device (claimed).

    13.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2833408A1

    公开(公告)日：2003-06-13

    申请号：FR0116047

    申请日：2001-12-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335 ,  H01L27/144

    Abstract: The invention concerns a photodiode comprising an upper junction PN (D1) formed on a top layer and an intermediate layer supported by a portion of a semiconductor substrate. A lower junction is formed between the intermediate layer and the substrate portion. The voltage activating direct conduction of the upper junction (D1) is lower than the voltage activating direct conduction of the lower junction (D2). The method consists in allowing storage of loads in the photodiode until activation of direct conduction of the upper junction so as to promote (F1) the recombination of carriers derived from the intermediate layer with carriers of the top layer.

    14.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2820883B1

    公开(公告)日：2003-06-13

    申请号：FR0101883

    申请日：2001-02-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0352

    Abstract: A monolithic photodetector including a photodiode, a precharge MOS transistor, a control MOS transistor, a read MOS transistor, and a transfer MOS transistor, the photodiode and the transfer transistor being formed in a same substrate of a first conductivity type, the photodiode including a first region of the second conductivity type formed under a second region of the first conductivity type more heavily doped than the first region, and above a third region of the first conductivity type more heavily doped than the substrate, the first region being the source of the second conductivity type of the transfer transistor, the second and third regions being connected to the substrate and being at a fixed voltage.

    CAPTEUR D'IMAGE
    16.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGE 未知

    公开(公告)号：FR3000606A1

    公开(公告)日：2014-07-04

    申请号：FR1350008

    申请日：2013-01-02

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： ROY FRANCOIS ,  CAZAUX YVON

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'image formé dans et sur un substrat semiconducteur (201), ayant une pluralité de pixels (200) comportant chacun : une zone photosensible (205), une zone de lecture, et une zone de stockage (207) s'étendant entre la zone photosensible (205) et la zone de lecture ; au moins une première électrode verticale isolée (203) s'étendant dans le substrat entre la zone photosensible (205) et la zone de stockage (207) ; et au moins une deuxième électrode verticale isolée (209) s'étendant dans le substrat entre la zone de stockage (207) et la zone de lecture (211).

    DISPOSITIF DE SAISIE D'IMAGES COMPRENANT DES MOYENS DE RASSEMBLEMENT DE PIXELS.
    20.
    发明专利
    DISPOSITIF DE SAISIE D'IMAGES COMPRENANT DES MOYENS DE RASSEMBLEMENT DE PIXELS. 未知

    公开(公告)号：FR2941327A1

    公开(公告)日：2010-07-23

    申请号：FR0950376

    申请日：2009-01-22

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MINGAM HERVE ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: L'invention concerne un dispositif de saisie d'images comprenant n (n étant un nombre entier) capteurs d'image agencés pour saisir des images respectivement d'une même scène selon au moins trois couleurs différentes, chacun des capteurs comprenant une matrice de pixels, chaque pixel étant associé à un transistor MOS de transfert (TR1-TR4), les transistors de transfert de n pixels voisins étant associés à une même sortie ; et un circuit de lecture (RST, SF, RD) associé à des moyens de commande pour lire : - la sortie de chaque transistor de transfert séparément, ou - les sorties de deux à n transistors de transfert voisins cumulativement.

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