公开(公告)号：CN103723675A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310484562.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.霍伊克 ,  C.舍林 ,  M.哈塔斯 ,  B.施密特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，所述制造方法具有下述步骤：在硅层（10）的现有的（110）-表面定向的情况下，通过在所述硅层（10）的正面（12）上至少实施与晶体定向相关的蚀刻步骤从至少一个单晶的硅层（10）至少部分地结构化出至少一个结构（42、46），其中在硅层（10）的现有的（110）-表面定向的情况下，在所述硅层（10）的正面（12）上额外地实施至少一个与晶体定向无关的蚀刻步骤以用于至少部分地结构化出至少一个结构（42、46）。此外，本发明还涉及一种微机械部件。

公开(公告)号：CN101500935B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780028894.3

申请日：2007-08-02

Applicant: 梅姆斯塔有限公司

Inventor： 安东尼·奥哈拉

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0133

Abstract: 描述了一种释放微结构的受控的方法，该微结构包括位于衬底层与将要从氧化硅层释放的层之间的氧化硅层。该方法包括步骤：在具有受控的温度和压力条件的处理室中，使氧化硅层暴露于氟化氢蒸气。此反应的副产物是水，水还作为蚀刻过程的催化剂。以受控的方式利用此内在的水源，导致只在氧化物层的暴露表面上形成冷凝的流体层，且因而只在氧化物层的暴露表面上进行蚀刻。因此，所述方法减弱了在蚀刻的微结构内的毛细作用导致的黏附效应和/或减弱了微结构内的腐蚀以及处理室本身的腐蚀。

公开(公告)号：CN100457887C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN01812275.2

申请日：2001-05-02

Applicant: 高振智

Inventor： 高振智

IPC: C12M1/34 ,  C12N11/00 ,  G01N27/00 ,  G01N31/00 ,  G01N33/00 ,  G01N33/48 ,  G01N33/53 ,  G01N33/543

CPC classification number: B01L3/5088 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00497 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00617 ,  B01J2219/00619 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/0063 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00702 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B81C2201/0133 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/68 ,  C12Q1/6876 ,  C12Q2600/156 ,  C40B40/06 ,  C40B40/10 ,  C40B60/14 ,  G01N27/3277

Abstract: 一基于微电子机械系统(MEMS)及集成电路(IC)的生物传感器可被用于感测或检测不同的离子及大分子(DNA、RNA或蛋白质)。基于微电子机械系统(MEMS)的生物传感器可以利用杂交、酶扩增方法及一电化学检测方法，以提高灵敏度及缩小系统体积。所述生物传感器整合于单一基质上。所述生物传感器系统包含至少两个电极。这些电极包括一工作电极，一参考电极和一反电极(辅助电极)。此生物传感器还提供了利用表面张力将试剂和/或溶液小规模限制在所述生物传感器上的装置和方法。该试剂限制系统利用可控制的表面特性及表面张力，使试剂和/或溶液可控制性地与传感器元件(例如电极)接触。该试剂限制系统也可以将生物传感器整合在便携式或手持式装置上，并且不怕振荡及翻转。本发明还提供了与集成电路技术整合的生物传感器。优选将整个传感器系统制造于单一IC基质或芯片上而无需外接元件及/或仪器以构成完整的系统。该系统优选利用IC方法制造在硅基质上。

公开(公告)号：CN1986386A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610169098.9

申请日：2006-12-20

Applicant: 施乐公司

Inventor： P·J·尼斯特伦 ,  N·贾 ,  K·刘

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B41J2/16 ,  B41J2/14

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1639 ,  B41J2002/043 ,  B81B2201/052 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014

Abstract: 一种用于制造微型机械装置的初始结构，所述结构在操作配置中具有多个层，每个层顺序相互层叠，所述层包括第一牺牲层、第二牺牲层和所需下面层，所述第一牺牲层具有与所需下面层类似的材料蚀刻性能，所述第二牺牲层具有与所述所需下面层完全不同的材料蚀刻性能，其中所述第二牺牲层大致经得起用来去除所述第一牺牲层的材料，并且其中所述第二牺牲层能够在所述第一牺牲层通过所述蚀刻去除时保护下面层。

公开(公告)号：CN1249499C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03110142.9

申请日：2003-04-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 上原伸一 ,  佐藤祐子 ,  住吉研 ,  金子节夫 ,  松嵨仁

IPC: G02F1/1335 ,  G02B3/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: G02B3/0056 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142 ,  C03C15/00 ,  C03C17/34 ,  C03C2204/08 ,  C03C2218/34 ,  G02B3/0012 ,  G02F1/133526 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/315

Abstract: 在用于在含有蚀刻控制成分的加工件中形成精细结构的制造方法中，使用各向同性刻蚀工艺，将具有孔口(36)的掩模加到加工件(30)上，且用蚀刻溶液蚀刻加工件，从而在加工件的表面内形成相应于孔口形状的凹槽(40)。由于在各向同性刻蚀工艺期间蚀刻控制成分从凹槽内的蚀刻溶液(38)中的加工件中洗提出来，所述加工件的蚀刻停止。

公开(公告)号：CN108117035A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710511666.7

申请日：2017-06-27

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： E·杜奇 ,  L·巴尔多 ,  D·朱斯蒂

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本申请涉及堆叠裸片间具有电触点的半导体集成器件及相应制造工艺。提供一种集成器件，其具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在该第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，这些电接触元件沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。

公开(公告)号：CN107064555A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710140855.8

申请日：2017-03-10

Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所

Inventor： 胡宗达 ,  李航 ,  于连忠 ,  杨燕

IPC: G01P15/08 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/08 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P2015/0862

Abstract: 本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种MEMS加速度计，上盖板、器件层以及下盖板；所述器件层包括：锚点、质量块、解耦梁以及加速度检测结构；所述解耦梁用于连接所述锚点以及所述质量块，所述加速度检测结构轴对称设置在所述质量块中，所述加速度检测结构包括：谐振梁以及驱动电极；所述谐振梁的两侧形成有梳齿；所述谐振梁一侧的梳齿与所述驱动电极相叠加；另一侧的梳齿与所述质量块上的梳齿相叠加；所述驱动电极向所述谐振梁施加电驱动信号，所述加速度检测结构通过检测谐振梁的谐振频率来检测加速度。

公开(公告)号：CN105174203B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410231976.X

申请日：2014-05-28

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡永刚 ,  周国平

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142

Abstract: 一种基于MEMS的传感器的制作方法，通过在正面形成浅槽时就同时形成支撑质量块的支撑梁，由于刻蚀浅槽相较于刻蚀深槽更容易控制、工艺精准度更高，使得形成的支撑梁相较于传统的在背面形成深槽时形成的支撑梁一致性和均匀性更好，同时也节约了工艺时间和刻蚀原料。

公开(公告)号：CN104955765A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380071919.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 韩国科学技术院

Inventor： 林声圭 ,  金暎洙 ,  金熙渊 ,  姜敏浩 ,  吴在燮 ,  李贵鲁

IPC: B81B1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0109 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明公开一种将非晶碳薄膜利用为牺牲层的MEMS器件制造方法。根据本发明的一实施例，包括如下步骤：形成下部结构物；作为牺牲层，在所述下部结构物上形成非晶碳薄膜；在所述非晶碳薄膜上形成包括传感器结构的上部结构物；消除所述非晶碳薄膜而使所述下部结构物与所述上部结构物相互隔离地布置。

公开(公告)号：CN102468153B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110333940.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 多屋淳志 ,  金森胜彦 ,  都外川真志

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0133 ,  C30B29/06 ,  C30B33/04 ,  C30B33/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30608

Abstract: 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。