公开(公告)号：CN108136415A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580083523.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 陈建华 ,  D·A·莫雷 ,  M·G·格罗

IPC: B05B1/02 ,  B05B1/14 ,  B05B15/00 ,  B41J2/14 ,  B01L99/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B01L3/0268 ,  B41J2/155 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1637 ,  B41J2202/19 ,  B41J2202/20 ,  B41J2202/21 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0154

Abstract: 示例包括一种设备，其包括模制到模制面板中的集成电路管芯。模制面板具有在其中形成的三维特征，其中三维特征与集成电路管芯相关联。为了形成三维特征，沉积特征形成材料、形成模制面板以及去除特征形成材料。

公开(公告)号：CN106276772A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610465132.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： A·甘德尔曼 ,  A·皮恩

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198 ,  G04B13/02 ,  G04B13/026 ,  G04B13/027 ,  G04D99/00 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0074 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。

公开(公告)号：CN103262227A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180056766.6

申请日：2011-11-18

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 ,  栗田昌昭 ,  西森尚 ,  兼平幸男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2101/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及转印用基板，该转印用基板由基板、形成于所述基板上的至少一种金属布线材料、和形成于所述基板与所述金属布线材料之间的衬底金属膜构成，用于将所述金属布线材料转印至被转印物，其中，所述金属布线材料为将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的金粉等烧结而成的成形体，所述衬底金属膜由金等金属或合金形成。该转印用基板即使将被转印物的加热温度设为80～300℃也可以将金属布线材料转印至被转印物。

公开(公告)号：CN107836036A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680040930.7

申请日：2016-07-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·毛 ,  H·阮 ,  L·阮 ,  A·波达尔

IPC: H01L21/52

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0136 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511

Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。

公开(公告)号：CN105612119B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201480055529.1

申请日：2014-11-25

Applicant: 雷声公司

Inventor： R·古奇 ,  T·A·科齐安 ,  B·迪普 ,  A·M·肯尼迪 ,  S·H·布莱克

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L31/18 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种用于在具有多个腔室(11)的基底的表面的选定部分上形成材料的涂层的方法，包括：提供在其上具有脱模剂(18)的结构(16)；使晶片(10)的顶表面(17)与脱模剂接触以使脱模剂的一部分转移到晶片的顶表面，同时腔室的底部部分与脱模剂保持隔开，以产生中间结构(24)，脱模剂设置在晶片的顶表面上并且腔室的底部部分没有脱模剂；使中间结构暴露到材料(27)，以将所述材料毯式涂覆在脱模剂和腔室的底部部分两者上；选择地去除脱模剂以及涂层材料同时在腔室的底部部分上留下涂层材料。

公开(公告)号：CN105712285A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510971269.9

申请日：2015-12-22

Applicant: 德尔福芒斯公司

Inventor： 雷诺·罗宾 ,  尼古拉斯·洛尔弗兰 ,  卡里姆·赛格尼

IPC: B81B7/02 ,  H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0188 ,  H01H49/00 ,  H01H2059/0027 ,  H01H2059/0036 ,  H01H2227/004 ,  B81B7/02 ,  H01H59/00

Abstract: 本发明涉及制造尤其是MEMS开关的MEMS设备的方法，其包括在基板上方形成柱与传导(传输)线以及在柱与传导线上方形成隔膜的步骤，形成隔膜步骤包括形成第一隔膜层和在柱中的一个上方的区域和/或传导线上方的区域中在第一隔膜层上方形成第二隔膜层使得第一隔膜层具有第二隔膜层未形成在其中的区域，该区域邻近第二隔膜层形成于其中的区域。此外，提供了尤其是MEMS开关的MEMS设备，其包括形成在基板上方的柱与传导(传输)线以及在柱与传导线上方的隔膜。隔膜包括第一隔膜层与在柱中的一个上方的区域和/或传导线上方的区域中形成在第一隔膜层上方的第二隔膜层，使得第一隔膜层具有第二隔膜层未形成在其中的区域，该区域邻近第二隔膜层形成于其中的区域。

公开(公告)号：CN105612119A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055529.1

申请日：2014-11-25

Applicant: 雷声公司

Inventor： R·古奇 ,  T·A·科齐安 ,  B·迪普 ,  A·M·肯尼迪 ,  S·H·布莱克

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L31/18 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  H01L31/02327

Abstract: 一种用于在具有多个腔室(11)的基底的表面的选定部分上形成材料的涂层的方法，包括：提供在其上具有脱模剂(18)的结构(16)；使晶片(10)的顶表面(17)与脱模剂接触以使脱模剂的一部分转移到晶片的顶表面，同时腔室的底部部分与脱模剂保持隔开，以产生中间结构(24)，脱模剂设置在晶片的顶表面上并且腔室的底部部分没有脱模剂；使中间结构暴露到材料(27)，以将所述材料毯式涂覆在脱模剂和腔室的底部部分两者上；选择地去除脱模剂以及涂层材料同时在腔室的底部部分上留下涂层材料。

公开(公告)号：CN103262227B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180056766.6

申请日：2011-11-18

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 ,  栗田昌昭 ,  西森尚 ,  兼平幸男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4885 ,  B22F7/08 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/322 ,  B23K2101/40 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0194 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05678 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及转印用基板，该转印用基板由基板、形成于所述基板上的至少一种金属布线材料、和形成于所述基板与所述金属布线材料之间的衬底金属膜构成，用于将所述金属布线材料转印至被转印物，其中，所述金属布线材料为将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的金粉等烧结而成的成形体，所述衬底金属膜由金等金属或合金形成。该转印用基板即使将被转印物的加热温度设为80～300℃也可以将金属布线材料转印至被转印物。

公开(公告)号：EP2586596B1

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：EP11797981.5

申请日：2011-06-07

Applicant: Japan Science and Technology Agency

Inventor： IKUTA Koji ,  IKEUCHI Masashi

IPC: B29C67/00 ,  B81C1/00 ,  A61M37/00

CPC classification number: B29C67/0081 ,  A61M2037/0023 ,  A61M2037/0053 ,  B29C64/135 ,  B29L2031/7544 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B81B2201/055 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0188 ,  Y10T428/2933 ,  Y10T428/31678

公开(公告)号：EP1634125B1

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：EP04739268.3

申请日：2004-05-19

Applicant: Singleton, Laurence

Inventor： SINGLETON, Laurence ,  SCHEURER, Jörg

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/42 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/405

Abstract: The invention relates to a lithographic method for producing microcomponents having a submillimeter structure, whereby the resist material can be dissolved in a simple manner. According to the invention, a structurable adhesive layer is applied to a metallic starting layer, a layer consisting of photostructurable epoxy resin is applied to the adhesive layer, and the epoxy resin is structured by means of selective illumination and dissolution of the unexposed regions in order to create supporting structures and free spaces between the supporting structures. Only the free spaces provided for the microcomponent and located between the epoxy resin supporting structures are then filled with metal according to a galvanic method, and the epoxy resin is removed, the remaining free spaces being filled with etching agents.