公开(公告)号：CN101218658B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680004113.2

申请日：2006-02-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗素·J·罗 ,  郭登·C·安裘

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/30472

Abstract: 一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。

公开(公告)号：CN1130753C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98807852.X

申请日：1998-07-15

Applicant: 莱卡微系统石版印刷有限公司

Inventor： D·M·P·金 ,  B·J·胡赫斯

IPC: H01J37/317

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/30494 ,  H01J2237/31769

Abstract: 一种通过电子束在衬底(13)表面上写图形如在抗蚀剂涂敷的晶片上写电路的方法，包括以下步骤：将衬底表面暴露到电子束(12)，通过表面上束的聚焦点的步进移动，可控地逐渐绘制图形，在连续步进移动期间，例如通过将偏转板(17)偏转到消除元件(16)和从消除元件(16)上移回，选择性地调节束，从而改变束对表面的曝光，以减小表面上束点的预定位置中的电子剂量。

公开(公告)号：CN104885185A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380063410.4

申请日：2013-10-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 ,  威廉·T·维弗

IPC: H01J27/04 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3171

Abstract: 离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。

公开(公告)号：CN103094053A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210442536.X

申请日：2012-11-08

Applicant: FEI公司

Inventor： N.W.帕克 ,  W.休斯

IPC: H01J49/46 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/1534

Abstract: 多元件静电西肯能量滤波器，其中向双极元件添加静电四极和六极激励。按照本发明的具有能够产生孔口处的线焦点的双极、四极和六极元件的组合的带电粒子能量滤波器降低空间电荷效应和孔口损坏。一个优选实施例允许滤波器充当共轭消隐系统。能量滤波器能够使能量扩展变窄，以便产生较小射束。

公开(公告)号：CN101218658A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680004113.2

申请日：2006-02-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗素·J·罗 ,  郭登·C·安裘

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/30472

Abstract: 一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。

公开(公告)号：CN1708729A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102314.2

申请日：2003-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤英一 ,  佃雅彦

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/261 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G21K5/04 ,  G21K5/10 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/043

Abstract: 在以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法中，通过使在所述被曝光物上形成所述电子束照射点的电子光学系统的透过率发生变化，使所述被曝光物以多个电子束照射强度曝光。

公开(公告)号：CN106098519B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201610096405.9

申请日：2016-02-22

Applicant: 爱德万测试株式会社

Inventor： 山田章夫 ,  濑山雅裕 ,  那须野秀树

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/2025 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31766 ,  H01J2237/31774

Abstract: 本发明使用带电粒子束使平台的移动误差降低而形成复杂且微细的图案。本发明提供一种曝光装置及曝光方法，该曝光装置具备：射束产生部，产生带电粒子束；平台部，搭载样品，并使该样品相对于射束产生部相对性地移动；检测部，对平台部的位置进行检测；预测部，基于平台部的检测位置而生成预测平台部的驱动量所得的预测驱动量；及照射控制部，基于预测驱动量而进行向样品照射带电粒子束的照射控制。

公开(公告)号：CN103367087B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310104256.2

申请日：2013-03-28

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： T.米勒 ,  S.克罗格 ,  J.兹布拉内克

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/045 ,  H01J37/243 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31749

Abstract: 一种用于关闭和恢复离子束系统中的离子束的改进的方法和设备。优选实施例提供了一种用于改善对聚焦离子束源的功率控制的系统，其利用自动检测带电粒子射束系统何时空闲（即射束本身未在使用中），并且之后使射束电流自动降低至在离子柱中的任何孔径面处发生很少或不发生离子铣削的程度。优选实施例包括控制器，其可操作成在检测到带电粒子射束系统的离子源的空闲状态时修改施加到提取器电极的电压和/或降低施加到源电极的电压。

公开(公告)号：CN104885185B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380063410.4

申请日：2013-10-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 ,  威廉·T·维弗

IPC: H01J27/04 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3171

Abstract: 离子植入机及具有挡帘组件的离子源。离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。

公开(公告)号：CN104272425B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380022774.8

申请日：2013-04-25

Applicant: 阿卡姆股份有限公司

Inventor： M·斯文松 ,  U·勒君布拉德

IPC: H01J37/077 ,  B29C67/00

CPC classification number: H01J29/52 ,  B29C64/153 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  H01J37/077 ,  H01J37/305 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/3128 ,  H01J2237/31732

Abstract: 本发明涉及一种等离子体电子源装置(150)。所述装置包含阴极放电室(100)，在阴极放电室(100)中产生等离子体；提供在所述阴极放电室中的出口孔(120)，通过提供在所述阴极放电室(100)与阳极(104)之间的加速场从出口孔(120)并从所述等离子体(107)中提取电子；至少一个等离子体约束设备(例如，电磁线圈103)；以及切换机构(190)，其用于在允许从所述等离子体中提取电子的第一值与阻止从所述等离子体中提取电子的第二值之间切换所述至少一个等离子体约束设备。也提供了关联方法，特别是使用所述装置(150)的方法，所述装置(150)用于通过连续熔合提供在工作台上的粉床的至少一个层的部分而形成三维物品。