公开(公告)号：EP1583306A2

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：EP05101840.6

申请日：2005-03-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Alcouffe, Nicole

IPC: H04L25/02

CPC classification number: H04L25/022 ,  H04L25/0202 ,  H04L25/0224 ,  H04L27/2647

Abstract: L'invention concerne un démodulateur COFDM comprenant un circuit de transformée de Fourier rapide recevant un signal par un canal de transmission, le signal reçu correspondant à une suite de symboles véhiculant chacun plusieurs porteuses dont certaines sont des pilotes, chaque porteuse d'un symbole étant modulée en phase et/ou en amplitude par un coefficient complexe courant, ledit circuit de transformée de Fourier rapide fournissant pour chaque porteuse le coefficient complexe courant associé ; un circuit de détermination d'une estimation de la réponse fréquentielle du canal de transmission fournissant, pour chaque pilote, un coefficient complexe estimé à partir du coefficient complexe courant associé au pilote ; et un circuit (110) de quantification de la variation temporelle de la réponse fréquentielle du canal de transmission à partir des nombres complexes estimé et courant associés à au moins un pilote.

Abstract translation: 解调器具有在信息信道上接收信号的快速傅里叶变换电路。 频率响应确定电路（16）确定频道的频率响应的估计。 量化电路量化通道响应的时间变化。 量化电路具有确定表示固定或时变类型的信道的指标的确定电路。 对于编码正交频分复用（COFDM）型解调方法，还包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP1582963A1

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：EP05102502.1

申请日：2005-03-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： MARINET, Fabrice ,  BOTELLA, Camille

IPC: G06F1/00 ,  G07F7/10

CPC classification number: G06F21/77 ,  G06F21/75 ,  G06K19/073 ,  G06K19/07363 ,  H01L23/576 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un circuit de détection d'attaque par contact d'une puce de circuit intégré comprenant un moyen (1) d'application d'un signal aléatoire à une première borne (V) d'au moins un premier chemin conducteur (2) formé dans au moins un premier niveau de métallisation de la puce, un moyen (4) de comparaison du signal appliqué avec un signal présent sur une deuxième borne (W) du chemin, et un moyen (3) pour retarder l'instant de comparaison par rapport à l'instant d'application, d'une durée (T) supérieure ou égale au retard de propagation (τ) apporté par le premier chemin.

Abstract translation: 电路具有发生器（1），将随机信号施加到形成在芯片的金属化层中的导电路径（2）的端子（V）。 同步信号被施加到另一路径（3）的输入端。 相对于在终端（V）上施加随机信号的时间，延迟同步信号，持续时间（T）高于或等于路径（2）的传播延迟。 对于包括检测电路的集成电路芯片，还包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP1575098A1

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：EP05101839.8

申请日：2005-03-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Sautreuil, Bernard ,  Marty, Michel ,  Bonnouvrier, Jérôme ,  Carpentier, Jean-François

IPC: H01L29/93 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L29/92

Abstract: L'invention concerne un condensateur réalisé dans une partie supérieure d'un substrat semiconducteur (20), comprenant au moins une couche semiconductrice (24) faiblement dopée de type N dont la surface supérieure comporte une région fortement dopée de type P (35) délimitée par une zone d'isolement (34), un contact du condensateur étant constitué d'une couche métallique (44) enterrée immédiatement sous la couche semiconductrice de type N et d'au moins un contact métallique vertical traversant la couche semiconductrice jusqu'à la couche métallique, le contact atteignant la surface de la couche semiconductrice en dehors de la région de type P.

Abstract translation: 集成电容器，形成在半导体衬底（20）的上部，包括至少一个轻掺杂型N半导体层（24），其上表面具有由绝缘区限定的高掺杂型P区（35） （34）具有以N型半导体层正下方埋设的金属层（44）形式的一个触点，以及穿过该半导体层的至少一个垂直金属触点，直至该金属层并到达该表面 P型区域外的半导体层。 金属层和接触物是相同的金属，选自钨，硝酸钛，钛，铜及其合金。 冷凝器制造过程中还包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP1569273A3

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：EP05104911.2

申请日：2004-07-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Schoellkopf, Jean-Pierre ,  Cerutti, Robin ,  Coronel, Philippe ,  Skotnicki, Thomas

IPC: H01L21/765 ,  H01L21/762 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur dans lequel des zones actives entourent ou sont entourées par des évidements remplis d'isolant, et dans lequel une région conductrice est noyée dans l'isolant d'au moins un évidement, la région conductrice étant connectée à une tension de référence et étant connectée à au moins un élément voisin du circuit.

公开(公告)号：EP1524767A3

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：EP04105052.7

申请日：2004-10-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Menard, Samuel ,  Mauriac, Christophe

IPC: H01L29/04 ,  H03K17/04 ,  H01L29/74

CPC classification number: H03K17/0403 ,  H01L29/7412 ,  H03K17/722

Abstract: L'invention concerne un commutateur vertical de type SCR comprenant une zone de commande comprenant une première région de commande formant une première diode (D1) avec une première région ou couche voisine, et une seconde région de commande formant une seconde diode (D2) avec une seconde région ou couche voisine. Un contact est formé sur chacune des première et seconde régions de commande et sur chacune des première et seconde régions ou couches voisines. Les contacts sont connectés à des bornes (G1, G2) d'application d'une tension alternative de commande de sorte que, quand une tension alternative est appliquée, chacune des deux diodes soit alternativement conductrice.

Abstract translation: 本发明涉及包括控制区的SCR类型的垂直开关，该控制区包括形成具有第一区域或相邻层的第一二极管（D1）的第一控制区域和形成第二二极管（D2）的第二控制区域， 第二区域或相邻层。 接触形成在第一和第二控制区域中的每一个以及第一和第二区域或相邻层中的每一个上。 触点连接到用于施加控制交流电压的端子（G1，G2），使得当施加交流电压时，两个二极管中的每一个交替导电。

公开(公告)号：EP1524700A1

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：EP04105043.6

申请日：2004-10-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： MENARD, Samuel ,  MAURIAC, Christophe

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H03K17/722

CPC classification number: H01L29/42308 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/7408 ,  H03K17/722

Abstract: L'invention concerne un commutateur SCR vertical destiné à être commandé par un signal haute fréquence, comprenant au moins quatre couches principales alternées. Ce commutateur comprend une borne de gâchette et une borne de référence de gâchette reliées par l'intermédiaire de condensateurs intégrés à des zones correspondantes. Dans le cas d'un thyristor, comprenant du côté de la face avant une zone semiconductrice principale de type P (20) formée dans une zone semiconductrice de gâchette de type N (21), une première portion de la zone principale étant reliée à une des bornes principales (K), une seconde portion de la zone principale est reliée à une des bornes de commande (K2) par l'intermédiaire d'un premier condensateur intégré (Ck), et une portion de la zone de gâchette (G) étant reliée à l'autre des bornes de commande par l'intermédiaire d'un second condensateur intégré (Cg).

Abstract translation: 该开关具有四个主要层，高电流通过该层。 栅极端子通过电容器与栅极区（G）连接。 参考栅极端子通过集成电容器连接到布置在其上布置有栅极区域的部件面上的参考栅极区域。 通过在参考和门极之间施加高频信号激活开关。

公开(公告)号：EP1521363A1

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：EP04104837.2

申请日：2004-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Dupont, François ,  Poveda, Patrick

IPC: H03H7/48

CPC classification number: H03H7/487

Abstract: L'invention concerne un coupleur non directif, comportant une jonction semiconductrice (35) en série avec un condensateur (36), la jonction semiconductrice étant réalisée pour que la fréquence seuil en deçà de laquelle elle a un comportement de redresseur soit inférieure à la fréquence de travail du coupleur.

Abstract translation: 耦合器具有与电容器（36）串联的PN结（35），并且通过外延层中的PIN二极管实现，使得阈值频率低于耦合器的工作频率。 结不校正信号的阈值频率基于外延层上的厚度。 电容器的值大于10皮法。

公开(公告)号：EP1517377A1

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：EP04104491.8

申请日：2004-09-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Chantre, Alain ,  Martinet, Bertrand ,  Marty, Michel ,  Chevalier, Pascal

IPC: H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L29/45 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7378

Abstract: L'invention concerne un nouveau transistor bipolaire à très hautes performances dynamiques et utilisable dans un circuit intégré. Ce transistor bipolaire comporte une région d'émetteur en silicium monocristallin d'épaisseur inférieure à 50 nm. La base du transistor bipolaire est en alliage SiGe.

Abstract translation: 双极晶体管包含单晶硅的第一集电极区域，第一类型的导电体被第二区域所覆盖，第二区域具有硅和锗的单晶基底，具有第二类导电性。 基极区域包含位于与集电极区域相对的一侧的第一类型的导电体的第三发射极区域，并涂覆有金属。 发射极区域的厚度小于50纳米（nm），优选为5至30nm。 还包括用于双极晶体管的制造的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1510913A1

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：EP04104129.4

申请日：2004-08-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Liardet, Pierre-Yvan ,  Teglia, Yannick ,  Tomei, Ambroise

IPC: G06F7/58

CPC classification number: G06F7/58

Abstract: L'invention concerne un procédé et circuit de normalisation d'une source de bruit fournissant un flux de bits initial, consistant à découper le flux de bits initial (BS) en mots de bits de longueur identique, et à attribuer un état de sortie en fonction des états des bits du mot courant et d'une règle d'attribution (15) préétablie, la règle d'attribution se trouvant inversée en fonction de l'apparition, dans le flux de bit initial (BS), de mots dont tous les bits ont des états identiques.

Abstract translation: 该方法包括将初始比特流划分为相同长度的单词。 输出状态归因于基于当前字的位的状态和预先确定的归属规则的字。 确定单元（15）从相同的状态检测块（6）接收反相配置信号，以反转字的状态，如果所有比特具有相同的状态，例如 00或11位对。 还包括用于由噪声源提供的位流的归一化的电路的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1503389A1

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：EP04103692.2

申请日：2004-07-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： ANCEY, Pascal ,  SAIAS, Daniel

IPC: H01F21/12 ,  H01H1/00 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01F17/0006 ,  H01F21/12 ,  H01F2021/125 ,  H01H61/04 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne une inductance commutable, réalisable dans un circuit intégré, comprenant : une spire (s1 ; s"1) interrompue entre deux premiers points (4/5 ; 40/41) reliés à deux bornes (E2/E3 ; E5/E6) par l'intermédiaire de deux métallisations (6/7 ; 42/43) passant l'une au-dessus de l'autre, l'une des deux métallisations étant déformable ; un évidement entre les deux métallisations ; et un dispositif de commutation (C) apte à déformer la métallisation déformable pour écarter ou mettre en contact les deux dites métallisations.

Abstract translation: 该电感具有在两个连接端子的两个连接点之间的换向区域中断的外部线圈。 线圈和内部线圈在相应点（2-5）之间的另一区域中断。 当金属化（7）由换向区域中的有源开关装置变形时，通过相应的金属化（6,7）连接点（2,5,3,4）。