複合多孔質樹脂基材及びその製造方法
    193.
    发明申请
    複合多孔質樹脂基材及びその製造方法 审中-公开
    复合多孔树脂基材及其制造方法

    公开(公告)号:WO2007010684A1

    公开(公告)日:2007-01-25

    申请号:PCT/JP2006/311589

    申请日:2006-06-09

    Abstract:  本発明は、電極(4)もしくは回路または電極(4)及び回路が形成された機能部(3)を有する多孔質樹脂膜(2)の該機能部(3)を取り巻く周辺部に、該機能部(3)の高さと異なる高さの段差部(5)が形成され、かつ、該段差部(5)の面上にフレーム板(6)が配置されている複合多孔質樹脂基材(1)である。本発明により、電極及び/または回路が形成された多孔質樹脂基材に、該多孔質樹脂基材の弾性や導通などの性能を損なうことなく、剛性のあるフレーム板を取り付けた構造の複合多孔質樹脂基材が提供される。

    Abstract translation: 在复合多孔树脂基材(1)中,多孔树脂膜(2)具有功能部(3),由此形成电极(4)和/或电路。 在功能部(3)周围的周边形成有与功能部(3)的高度不同的台阶(5),并且在台阶(5)的平面上配置框架板(6) 。 本发明提供一种复合多孔树脂基材,其特征在于,具有刚性的框架板附着在多孔树脂基材上,由此形成电极和/或电路,而不会导致多孔树脂基材的弹性和导电性等劣化 。

    立体回路基板
    194.
    发明申请
    立体回路基板 审中-公开
    三维电路板

    公开(公告)号:WO2005086548A1

    公开(公告)日:2005-09-15

    申请号:PCT/JP2005/002483

    申请日:2005-02-17

    Inventor: 湯本 哲男

    Abstract:  金型の成形用ピンの破損を防止し、めっきの析出が確実で、それにより回路ピッチを限界まで狭くすることができる。  回路基板2の表面には導電材料からなる所定の回路パターン3,3…が形成してあり、裏面にも、所定の回路パターンが形成してある。この回路基板2には、両面の回路パターンを電気的に導通させるスルーホール5が形成してあり、スルーホールの内面形状は、隣接する回路パターン3,3間方向に狭く、回路延伸方向に長いものである。

    Abstract translation: 防止金属模具的成型销断裂,确实沉积焊料,因此可以将电路间距减小到极限。 在电路板(2)的正面上,形成由导电材料制成的规定电路图案(3),并且在背面也形成规定的电路图形。 在电路板(2)上,形成通孔(5),以在两个平面上的电路图案之间承载电力。 通孔的内部形状在相邻的电路图案(3)之间的方向上窄,并且在电路延伸方向上是宽的。

    PAD GRID ARRAY AND A METHOD FOR PRODUCING SUCH A PAD GRID ARRAY
    196.
    发明申请
    PAD GRID ARRAY AND A METHOD FOR PRODUCING SUCH A PAD GRID ARRAY 审中-公开
    PAD栅阵列和用于制备这种垫栅阵列

    公开(公告)号:WO99063589A1

    公开(公告)日:1999-12-09

    申请号:PCT/EP1999/003801

    申请日:1999-06-01

    Abstract: According to the invention, an electrically insulating substrate (S1) is provided with a plurality of longitudinally extended, elevated waves (W1) on the underside thereof. The conductor pattern is applied on the underside of the substrate by means of laser structuring such that the terminal pads (P1) are arranged in a flat manner in the grid array, and each is situated in the crest area of a wave. The inventive pad grid array can be produced with a fine grid of, for example, 250 mu m.

    Abstract translation: 电绝缘基板(S1)被提供在其下侧有多个细长的,凸起轴(W1)的。 导体图案通过激光图案化涂布在基板等的下侧,即连接焊盘(P1)是平的,布置在栅阵列在各自的波的顶点区域。 本发明的垫网格阵列可以与例如250微米的微细光栅来实现。

    THREE-DIMENSIONAL MICROWAVE CIRCUIT CARRIER AND INTEGRAL WAVEGUIDE COUPLER
    198.
    发明申请
    THREE-DIMENSIONAL MICROWAVE CIRCUIT CARRIER AND INTEGRAL WAVEGUIDE COUPLER 审中-公开
    三维微波电路和整体波导耦合器

    公开(公告)号:WO1992011665A1

    公开(公告)日:1992-07-09

    申请号:PCT/US1990007433

    申请日:1990-12-17

    Applicant: MOTOROLA, INC.

    Abstract: A non-hermetic, three-dimensional, microwave semiconductor device carrier with integral waveguide couplers is disclosed. A molded plastic substrate (400) having a suitable dielectric constant and varying thickness comprises plated conductors (425) and locations (430) for receiving GaAs MMIC's (420). MMIC's are mounted to a metal backplate (405) and wire bonded to the plated conductors. The waveguide couplers (435) are integrally molded as part of the carrier substrate, and comprise plated through cylindrical members. Signals from a waveguide cavity (515) are coupled to the MMIC's by inserting the waveguide couplers into a waveguide port. The carrier and integral waveguide coupler together with a plated molded cover (410) forms a non-hermetic package providing pseudo-shielding cavities about the resident multiple semiconductor GaAs die. Transmission line impedance control is enhanced by varying the substrate thickness on a per conductor basis. Frequency of operation exceeds 12 gigahertz.

    Abstract translation: 公开了一种具有集成波导耦合器的非密封,三维微波半导体器件载体。 具有合适介电常数和变化厚度的模制塑料基板(400)包括用于接收GaAs MMIC(420)的电镀导体(425)和位置(430)。 MMIC安装在金属背板(405)上,并与导线接合。 波导耦合器(435)作为载体衬底的一部分整体模制,并且包括通过圆柱形构件的电镀。 通过将波导耦合器插入到波导端口中,来自波导腔(515)的信号耦合到MMIC。 载体和整体波导耦合器与镀覆的模制盖(410)一起形成非密封封装,在驻留的多个半导体GaAs裸片周围提供伪屏蔽腔。 通过以每导体为基础改变衬底厚度来增强传输线阻抗控制。 工作频率超过12千兆赫兹。

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