公开(公告)号：JP2004521755A

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：JP2002562664

申请日：2002-02-04

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： フライ ヴィルヘルム ,  フィッシャー フランク ,  メッツガー ラルス

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本発明は、基板（３０）と機能層（１０）との間に少なくとも１つの犠牲層（２０）が設けられ、その際、機能層（１０）中にプラズマエッチングプロセスによりトレンチ（６０、６１）が設けられ、それによって犠牲層（２０）の少なくとも少しの表面領域（２１、２２）が露出することにより、高アスペクト比を有する表面マイクロメカニカル構造体を生じさせる方法に関する。
本発明によれば、トレンチのアスペクト比を大きくするために、犠牲層（２０）の露出された表面領域（２１、２２）上ではなくトレンチの側壁上に、もう一つの層（７０）が少なくとも部分的に堆積されることが提供されている。
さらに、本発明はセンサ、特に加速度センサ又は回転速度センサに関する。

公开(公告)号：JP2017009609A

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：JP2016122395

申请日：2016-06-21

Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

Inventor： アレクス・ガンデルマン ,  アンドレ・パン

IPC: B81C1/00 ,  G04B13/02 ,  G04B19/06 ,  G04B37/22 ,  G04B15/14

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00103 ,  G04D99/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198

Abstract: 【課題】材料のウェハを微小機械加工することによって形成される構成部品の摩擦を改善できる、新たなタイプの微小機械構成部品および新たなタイプの制作方法を提案する。 【解決手段】本発明は、少なくとも1つの削減された接触表面を有する、シリコン系構成部品に関し、上記接触表面は、垂直な側壁の「Bosch」エッチングによる、少なくとも1つの傾斜した側壁のエッチングステップによって形成され、特にシリコン系ウェハの微小機械加工によって形成された構成部品の摩擦を改善する。 【選択図】図11

Abstract translation: 材料的晶片可以提高通过微机械加工形成的摩擦部件，提出了一种微机械的部件和新类型的新类型的制造方法。 本发明具有至少一个减小的接触表面涉及基于硅的部件，所述接触面，由“博世”通过蚀刻至少一个倾斜的侧壁的步骤刻蚀垂直侧壁 它被形成，特别是通过改善微机械加工的硅晶片形成的摩擦部件。 .The 11

公开(公告)号：JP2015023292A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：JP2014148571

申请日：2014-07-22

Applicant: アトランティック・イナーシャル・システムズ・リミテッドAtlantic Inertial Systems Limited ,  Atlantic Inertial Systems Ltd ,  アトランティック・イナーシャル・システムズ・リミテッドAtlantic Inertial Systems Limited

Inventor： TRACEY HAWKE ,  MARK VENABLES ,  IAN STURLAND ,  REBECKA ELEY

IPC: H01L21/3065 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B3/0064 ,  B81B2201/033 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 【課題】改良された反応性イオンエッチング方法が提供される。【解決手段】少なくとも第1、第2のエッチングされた形体42、44を形成する、基板46の反応性イオンエッチング方法が開示される。第1の形体42が、第2の形体44よりも大きいアスペクト比(深さ:幅)を有する。第1のエッチング段階において、前記第1の形体42のみを所定の深さにエッチングするように基板46がエッチングされる。その後、第2のエッチング段階において、前記第1および前記第2の形体42、44の両方をそれぞれの深さにエッチングするように基板46がエッチングされる。マスク40が、形体42、44に対して形状において対応する開口部を画定するように施され得る。第2の形体44が製造される基板46の領域は、第1のエッチング段階の間、第2のマスク材50で選択的にマスクされる。次いで、第2のマスク材50は、第2のエッチング段階の前に除去される。【選択図】図3F

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种改进的反应离子蚀刻方法。解决方案：公开了一种反应离子蚀刻衬底46以形成至少第一和第二蚀刻特征42,44的方法。 第一蚀刻特征42具有比第二蚀刻特征44更大的纵横比（深度：宽度）。在第一蚀刻阶段中，蚀刻衬底46以便仅将第一特征42蚀刻到预定深度。 此后，在第二蚀刻阶段中，蚀刻衬底46以便将第一和第二特征42,44分别蚀刻到相应的深度。 可以应用掩模40来限定形状对应于特征42,44的孔。在第一蚀刻阶段期间，要在其中产生第二蚀刻特征44的衬底46的区域被第二掩模材料50选择性地掩蔽 。 然后在第二蚀刻阶段之前移除第二掩模材料50。

公开(公告)号：JP2015019310A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2013146346

申请日：2013-07-12

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： SANO TAKAHIRO ,  NAONO TAKAYUKI

IPC: H03H9/17 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01L9/08 ,  G01P15/09 ,  H01L29/84 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H04R17/00 ,  H04R17/10

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0176 ,  G01C19/56 ,  G01P15/09 ,  G01P2015/084 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/319 ,  H03H9/17 ,  H03H2003/027 ,  H03H2003/0414 ,  H04R17/10 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 【課題】共振周波数安定性を高めるダイアフラム型共振MEMSデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の第1の面に、熱酸化により、又は900℃以上の熱処理を含むプロセスにより形成する第1のシリコン酸化膜、絶対値が100[MPa]以下の応力を有する第2のシリコン酸化膜、下部電極、圧電体膜、上部電極を当該順に積層し、シリコン基板の第1の面の反対側の面を深堀り反応性イオンエッチングにより第1のシリコン酸化膜に到達するまでエッチング加工して凹部を形成する。第1のシリコン酸化膜の膜厚をt1、第2のシリコン酸化膜の膜厚をt2、第1のシリコン酸化膜と第2のシリコン酸化膜における第2のシリコン酸化膜の厚さの割合t2/(t1+t2)をR2とすると、0.10[μm]≦̸t1≦̸2.00[μm]、かつ、R2≧0.70を満たす。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高谐振频率稳定性的膜片式共振MEMS器件，以及制造隔膜式谐振MEMS器件的方法。解决方案：通过热氧化形成的第一氧化硅膜或包括热处理的工艺 900℃以上，绝对值为100 [MPa]以下的应力的第二氧化硅膜，下电极，压电膜和上电极依次层叠在硅基板的第一面上 并且通过深反应离子蚀刻蚀刻在与第一表面相对的一侧上的硅衬底的表面，直到到达第一氧化硅膜，从而形成凹部。 当第一氧化硅膜的厚度定义为t时，第二氧化硅膜的厚度被定义为t，并且第二氧化硅膜的厚度相对于第二氧化硅膜的厚度的比率t /（t + t） 第一氧化硅膜和第二氧化硅膜的厚度定义为R2，0.10 [μm]≤t≤2.00[μm]，R≥0.70。

公开(公告)号：JPWO2011001778A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：JP2010534310

申请日：2010-06-02

Applicant: 大陽日酸株式会社 ,  Sppテクノロジーズ株式会社

Inventor： 昌浩 笹倉 ,  昌浩 笹倉 ,  山本　孝 ,  孝 山本 ,  野沢　善幸 ,  善幸 野沢 ,  修次 永野 ,  修次 永野 ,  薫 迫田 ,  薫 迫田 ,  智 羽坂 ,  智 羽坂

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/30655

Abstract: 本発明のシリコン構造体の製造方法は、高周波電力を印加することによりフッ化ヨウ素を含むエッチングガスをプラズマ化する第1工程と、高周波電力を印加することにより有機堆積物形成ガスをプラズマ化する第2工程とを交互に繰り返し行うことによって、シリコン領域を含む被処理物におけるシリコン領域をエッチングする工程とを有している。その結果、地球温暖化への影響を軽減したシリコンの異方性ドライエッチングによる、高い垂直性とともに良好な側壁形状を有するシリコン構造体が得られる。

公开(公告)号：JP4847635B2

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：JP51707098

申请日：1997-10-06

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： シルプ アンドレア ,  レルマー フランツ

IPC: C23F4/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/321 ,  H01L21/465

CPC classification number: H01L21/465 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  C23F4/00 ,  H01L21/30655

公开(公告)号：JP2009540984A

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：JP2009517055

申请日：2007-04-27

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： フェイ アンド ,  モイラー クリスティアン ,  ショルテン ディック ,  レルマー フランツ ,  シュトゥンバー ミヒャエル ,  カセマイアー ユリア

IPC: A61M37/00

CPC classification number: B81C1/00119 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/003 ,  A61M2037/0038 ,  A61M2037/0046 ,  A61M2037/0053 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0115

Abstract: シリコン基板（５）上にアレイにおいて配置された、医薬品の経皮投与用の多孔質マイクロニードル（１０）の製造方法並びにそれらの使用が説明されている。 該方法は、以下の工程を含む：シリコン基板（５）を準備する工程、第一のエッチマスクを施与する工程、マイクロニードル（１０）をＤＲＩＥプロセス（"深掘り反応性イオンエッチング"）によってパターン形成する工程、第一のエッチマスクを除去する工程、該シリコン基板（５）を少なくとも部分的に多孔質化する工程、その際、該多孔質化は、シリコン基板（５）の表側（１５）で始まり、多孔質のレザバーを形成する。

公开(公告)号：JP2004209640A

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：JP2003435064

申请日：2003-12-26

Applicant: Robert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： PARTRIDGE AARON ,  LUTZ MARKUS

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  B81C5/00

CPC classification number: B81C1/00063 ,  B81B3/0086 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To tune gaps among a plurality of surfaces of at least one micromechanical elements on a disc. SOLUTION: The contour of at least one micromechanical element in an upper layer of a device is etched, and the contour defines at least two facing surfaces of a plurality of surfaces of at least one micromechanical elements. A gap narrowing layer is deposited on at least two facing surfaces of the plurality of surfaces in an epitaxial reactor, so that the gap between at least the two facing surfaces of the plurality of surfaces is narrowed by the gap narrowing layer. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

公开(公告)号：WO2018049081A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：PCT/US2017/050563

申请日：2017-09-07

Applicant: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY

Inventor： IMHOFF, Eugene, A. ,  KUB, Francis, J. ,  HOBART, Karl, D. ,  MYERS-WARD, Rachael, L.

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0112

Abstract: Material structures and methods for etching hexagonal, single-crystal silicon carbide (SiC) materials are provided, which include selection of on-axis or near on-axis hexagonal single-crystal SiC material as the material to be etched. The methods include etching of SiC bulk substrate material, etching of SiC material layers bonded to a silicon oxide layer, etching of suspended SiC material layers, and etching of a SiC material layer anodically bonded to a glass layer. Plasma-etched hexagonal single- crystal SiC materials of the invention may be used to form structures that include, but are not limited to, microelectromechanical beams, microelectromechanical membranes, microelectromechanical cantilevers, microelectromechanical bridges, and microelectromechanical field effect transistor devices. The material structures and methods of the invention beneficially provide improved etch symmetry, improved etch straightness, improved sidewall straightness, improved sidewall smoothness, and reduced sidewall wander compared to etched four degree off-axis SiC materials.

Abstract translation: 提供了用于蚀刻六方单晶碳化硅（SiC）材料的材料结构和方法，其包括选择轴上或接近轴上的六方单晶SiC材料作为材料以 被蚀刻。 该方法包括SiC块状衬底材料的蚀刻，结合到氧化硅层的SiC材料层的蚀刻，悬浮SiC材料层的蚀刻以及蚀刻阳极结合到玻璃层的SiC材料层。 本发明的等离子蚀刻的六方晶单晶SiC材料可用于形成包括但不限于微机电束，微机电膜，微机电悬臂，微机电桥和微机电场效应晶体管器件的结构。 与刻蚀的四度离轴SiC材料相比，本发明的材料结构和方法有利地提供改进的刻蚀对称性，改进的刻蚀直线度，改善的侧壁平直度，改善的侧壁平滑度和减少的侧壁徘徊。

公开(公告)号：WO2017059056A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/US2016/054416

申请日：2016-09-29

Applicant: MEMS DRIVE, INC.

Inventor： GUTIERREZ, Roman ,  TANG, Tony ,  LIU, Xiaolei ,  WANG, Guiqin ,  NG, Matthew

IPC: B81B7/04 ,  B81B5/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L21/76816 ,  B81B3/0045 ,  B81B7/0029 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00674 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0135 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181

Abstract: A system and method for manipulating the structural characteristics of a MEMS device including etching a plurality of holes into the surface of a MEMS device, wherein the plurality of holes comprise one or more geometric shapes determined to provide specific structrual characteristics desired in the MEMS device.

Abstract translation: 一种用于操纵MEMS器件的结构特性的系统和方法，包括将多个孔蚀刻到MEMS器件的表面中，其中所述多个孔包括被确定为提供MEMS器件中期望的特定结构特征的一个或多个几何形状。