公开(公告)号：CN103765579B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201280032667.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 村田电子有限公司

Inventor： 海基·库斯玛 ,  萨米·努尔米

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/16 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0074 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/036 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00333 ,  G01C19/5783 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/148 ,  G01P1/023 ,  G01P1/026 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/568 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中，将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及系统级封装器件的至少一个其它部件包含到系统级封装器件中。选择所述第一类管芯和所述第二类管芯中的至少一者以用于重定尺寸。向所选择的管芯的至少一侧添加材料，使得所添加的材料和所选择的管芯形成重定尺寸的管芯结构。在所述重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对所述重定尺寸的管芯结构进行定尺寸，以允许将未被选择的管芯以及所述至少一个其它部件安装成经由所述连接层与所述重定尺寸的管芯结构接触。

公开(公告)号：CN107140598A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710182877.0

申请日：2017-03-24

Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司

Inventor： 李刚 ,  胡维 ,  庄瑞芬

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/03

Abstract: 本发明公开了一种微机电系统及其制备方法，解决了现有技术中微机电器件单元和集成电路之间引线较长，从而引入较多干扰信号的问题。其中，该方法包括：在微机电器件芯片上制备环绕气体敏感单元的第一封装环和位于第一封装环内侧的气体敏感单元周围的第一电气连接点；在集成电路芯片上与第一封装环对应的位置和与第一电气连接点对应的位置分别制备第二封装环和作为电路层输入端的第二电气连接点；将微机电器件芯片和集成电路芯片对置；其中，第一电气连接点、第二电气连接点形成电气对接，第一封装环和第二封装环形成密封对接；在微机电器件芯片上开设由微机电器件芯片、集成电路芯片、第一封装环和第二封装环所形成的空间的导气通孔。

公开(公告)号：CN107131998A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710112961.5

申请日：2017-02-28

Applicant: 迈来芯科技有限公司

Inventor： L·奥特 ,  J·陈 ,  A·J·范德维尔

IPC: G01L19/06

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/0645 ,  G01L19/147 ,  G01L23/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  G01L19/0627

Abstract: 一种用于测量包含腐蚀性成分的尾气的压力的半导体压力传感器组件(1200)，包括：第一腔(1244)，包括用于电互连的第一接合焊盘的压力传感器(1210)、包括用于与压力传感器(1210)的电互连的第二接合焊盘(1241)的CMOS芯片(1240)、具有经由接合线连接到压力传感器和CMOS芯片的导电通路(1233)的互连模块(1230)；互连模块是具有抗腐蚀金属轨迹(1233)的基板，其中CMOS芯片(1240)以及互连模块的一部分通过塑封(1243)来封装。

公开(公告)号：CN107010589A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710061204.X

申请日：2017-01-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松沢勇介 ,  衣川拓也

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C5/06

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0728 ,  G01C5/06 ,  G01L9/0054 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明提供一种能够减少粘附的发生的压力传感器、该压力传感器的制造方法、具备该压力传感器的可靠性较高的高度计、电子设备以及移动体。压力传感器(1)具有：基板(2)，其具有隔膜(25)；空洞部(S)，其位于隔膜(25)的一侧；顶部(49)，其以隔着空洞部(S)而与隔膜(25)对置的方式而配置，并且在基板(2)的面向空洞部(S)的表面上形成有凹凸(27)。此外，凹凸(27)具有多个凹部(271)。

公开(公告)号：CN105314590B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510455584.6

申请日：2015-07-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U·施密德 ,  T·弗里施穆斯 ,  P·伊尔西格勒 ,  T·格里勒 ,  D·莫勒 ,  U·赫德尼格 ,  M·卡恩 ,  G·德尼弗尔

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B06B1/02 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/051 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/019 ,  H04R7/02 ,  H04R7/24 ,  H04R19/005 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2307/023 ,  H04R2400/01 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种微机械结构，其包括衬底和布置在衬底处的功能性结构。功能性结构包括功能性区域，功能性区域配置为响应于作用在功能性区域上的力而相对于衬底偏转。功能性结构包括传导性基础层并且功能性结构包括具有布置在传导性基础层处并且仅在功能性区域处部分地覆盖传导性基础层的固化结构材料的固化结构。固化结构材料包括硅材料以及至少碳材料。

公开(公告)号：CN106744651A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710016949.4

申请日：2017-01-11

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 蔡春华 ,  朱念芳 ,  齐本胜 ,  谈俊燕 ,  华迪 ,  曹元 ,  王海滨

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00349

Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅外延封腔工艺的电容式微电子气压传感器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的电容式气压传感器，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的电容式气压传感器电容值主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度及压力影响。基于介电伸缩效应原理，电容介电材料介电常数值随所受压力的变化而变化，并且呈现明显的单调性，该特性可以实现压力或者气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该电容式气压传感器体积小，功耗低，响应时间短。

公开(公告)号：CN104944360B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410113760.3

申请日：2014-03-25

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 徐伟 ,  刘国安

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/08 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0038 ,  B81C2203/01 ,  G01L9/0042 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125

Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，所述加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于第二介质层上的压力传感器，所述压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。

公开(公告)号：CN104422558B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410434053.4

申请日：2014-08-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U.申德勒 ,  M.沃佩尔

IPC: G01L19/00 ,  G01L1/00

CPC classification number: B81B7/0054 ,  B81B2201/0264 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及压力传感器封装的管芯边缘保护。一种半导体封装包含与半导体管芯间隔分开的引线。该管芯包含被安置在管芯的第一侧处的隔膜，并且被配置以响应于跨过该隔膜的压力差而改变电参数。该管芯进一步包含与第一侧相对的第二侧，在第一和第二侧之间延伸的横向边缘，以及在第一侧处的端子。电导体将端子连接到引线。沿着管芯的横向边缘安置密封剂以便端子和电导体与密封剂间隔分开。该密封剂在室温下具有小于10MPa的弹性模量。模制复合物覆盖和接触引线、电导体、密封剂、端子和管芯的第一侧的部分以便隔膜不被模制复合物所覆盖。

公开(公告)号：CN102372249B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110235530.0

申请日：2011-08-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·赖因穆特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76898 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/096 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/0076 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底中制造电敷镀通孔的方法以及一种具有电敷镀通孔的衬底。该方法具有以下步骤：这样形成电敷镀通孔(6；6’；6”；6”’)，使得所述电敷镀通孔从衬底的正面(V)至衬底的背面(R)穿过所述衬底(2；2’)；在衬底(2；2’)的正面(V)上形成一个第一封闭层(I1)；通过一个从衬底(2；2’)的背面(R)开始的蚀刻过程在衬底(2；2’)中形成一个围绕电敷镀通孔(6；6’；6”；6”’)的环形绝缘沟道(IG；IG’)，其中，该蚀刻过程在第一封闭层(I1)上停止；及通过在衬底(2；2’)的背面(R)上形成一个第二封闭层(18)来封闭衬底(2；2’)中的环形绝缘沟道(IG；IG’)。

公开(公告)号：CN103964368B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410034311.X

申请日：2014-01-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/001 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00658 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了具有刚性背板的MEMS器件和制作具有刚性背板的MEMS器件的方法。在一个实施例中，器件包括衬底和由衬底支撑的背板。背板包括细长的突起。