公开(公告)号：KR1020070007778A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020067015067

申请日：2004-12-10

Applicant: 탕 인 에스.

Inventor： 탕인에스.

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  G02B6/255 ,  B29C67/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B29C67/0044 ,  B29D11/00663 ,  B29L2011/0075 ,  G02B6/2552 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30426

Abstract: A method of forming a field emission device and the resulting device including emitters formed of fiber segments. Tips are formed on the fiber segments that have a radius substantially small by exposing the tips to a reactive liquid for a duration of time. The tips are coated with a low work function conducting material to form emitters. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种形成场发射器件的方法，所得到的器件包括由光纤段形成的发射器。 通过将尖端暴露于反应性液体持续一段时间，在纤维段上形成具有半径基本上较小的尖端。 尖端涂有低功函数导电材料以形成发射体。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100561325B1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1019997002617

申请日：1998-06-26

Applicant: 모토로라 솔루션즈, 인크.

Inventor： 카라말라바부 ,  팩성피. ,  로웰챨스에이.

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30426

Abstract: 전자 이미터(121, 221, 321, 421)는 그 위에 형성된 패시베이션층(120, 220, 320, 420)을 가진 전자 이미터 구조(118)을 포함한다. 패시베이션층(120, 220, 320, 420)은 Ba, Ca, Sr, In, Sc, Ti, Ir, Co, Sr, Y, Zr, Ru, Pd, Sn, Lu, Hf, Re, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Th 및 그 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 산화물로 제조된다. 바람직한 실시예에서, 전자 이미터 구조(118)는 몰리브덴으로 제조되고, 패시베이션층(120, 220, 320, 420)은 몰리브덴의 일함수보다 작은 일함수를 가진 방출-강화 산화물로 제조된다.
전계 방출장치, 전자 이미터, 패시베이션층, 방출-강화 산화물

公开(公告)号：KR1020030029626A

公开(公告)日：2003-04-14

申请号：KR1020037000796

申请日：2001-07-16

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 시라토리데츠야 ,  아키야마고지 ,  구로카와히데오

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30469 ,  C01B32/05 ,  H01J9/02

Abstract: 본 발명은 방출되는 전자의 집속성을 종래에 비하여 향상하는 것이 가능한 전자방출소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위하여, 기판상에 캐소드 전극, 절연층 및 게이트 전극이 순서대로 적층되고, 게이트 전극측으로부터 캐소드 전극까지 형성되는 홀의 바닥면에 상기 캐소드 전극과 접촉하는 전자방출층이 형성된 전자방출소자로서, 전자방출층은 그 표면이 캐소드 전극 및 절연층간의 계면보다도 기판측에 위치하도록 형성되어 있으며, 전자방출층과 캐소드 전극의 접촉 영역이 홀의 바닥면의 중심부를 제외한 주변 영역에 한정되어 있다. 이에 의하여, 전자방출층은 그 측면에 위치하는 캐소드 전극으로부터 전자가 공급되기 때문에 주로 전자방출층의 표면의 주변부로부터 전자가 방출되도록 되어 있어 전자의 집속성이 향상된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供具有改进的电子会聚的电子发射装置。 为此，本发明的电子发射装置是这样的，即阴极电极，绝缘层和栅电极按顺序层叠在衬底上; 电子发射层位于从栅电极穿过阴极电极穿过的衬底上的第一孔中; 电子发射层的上表面位于基板的上表面与阴极和绝缘层之间的边界之间; 除电子发射层的中心区域之外的侧表面和下表面中的至少一个接触阴极电极。 通过这样的电子发射装置，电子主要从电子发射层的周边区域发射。 相应地，电子会聚得到改善。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020000075519A

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019997007578

申请日：1998-03-23

Applicant: 캔디센트 테크날러지스 코퍼레이션 ,  어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드

Inventor： 수수에핑 ,  브랜드스조지알. ,  스핀트크리스토퍼제이. ,  스탠너스콜린디. ,  메콜리존엠.

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: 본발명은탄소와같은물질로코팅된전자에미터의제조및 구성에관한것으로서, 평면패널디스플레이에적당한음극구조(200, 203, 204)는코팅된에미터(229, 239, 230)에제공되고, 에미터는전형적으로니켈과같은물질로형성되고, 높은에스펙트비로성장할수 있다. 이러한에미터는그 다음에화학적인견고성을개량하고일함수를감소시키기위해탄소함유물질(240,241)로코팅되고, 하나의코팅프로세스는아세틸렌이음극구조를코팅하기위한 DC 플라즈마를만들기위해 DC 플라즈마반응기(301, 305, 313 및 315)를통해펌프되는 DC 플라즈마침전프로세스이고, 택일적인코팅프로세스는에미터의표면상에천연탄소로이루어진물질을전기적으로침전하고, 후속적으로탄소함유물질에대해천연탄소로이루어진물질을감소시키기위한것이고, 코팅된에미터의일함수는전형적으로약0.8에서 1.0eV까지감소되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR100233254B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960069791

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  이진호 ,  조경익 ,  유형준

IPC: H01J1/30

CPC classification number: G09G3/22 ,  G09G3/2014 ,  G09G2300/08 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/319

Abstract: 본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로, 하나의 절연성 기판 위에 화소 어레이와 스캔 및 데이터 구동회로가 집적화되어 있는 전계 에미터 패널을 제공하여, 고화질 및 고밀도의 전계 방출 디스플레이를 저 가격으로 제공하고자 한다. 본 발명에서는 상기 화소 어레이의 전계방출소자를 절연성 기판 위에 형성된 실리콘 전계방출소자로 구성함으로써, 상기 스캔 구동 회로 및 데이터 구동회로의 기본회로로 사용되는 상보형 다결정실리콘 박막트랜지스터를 상기 화소 어레이가 형성되어 있는 기판에 쉽게 집적화시킬 수 있다. 또한, 상기 화소 어레이의 각 화소에 하나의 고전압 박막트랜지스터를 부착시키고, 디스플레이의 신호를 상기 고전압 박막트랜지스터를 통해 인가함으로써 상기 스캔 및 데이터 구동회로의 저전압화가 가능하고, 아울러 고전압이 아닌 통상의 구동전압에서 고속으로 동작하는 상보형 다결정 박막트랜지스터로 상기 스캔 및 데이터 구동회로를 보다 쉽게 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100148615B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940026894

申请日：1994-10-20

Applicant: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤

Inventor： 도미하리요시노리

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J29/485 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30426 ,  H01L2224/48464

Abstract: 게이트 전극과 인출전극을 와이어 본딩하는 경우에, 그리드와 본딩 와이어와의 단락을 방지함과 동시에, 본딩 작업성을 향상한다.
게이트 전극(4) 상의 근방에 위치하는 그리드(5)의 본딩 와이어(8)에 대응하는 부분에 구멍부(7)를 형성하고, 이 구멍부(7)의 위치에서 게이트 전극(4)과 인출전극(9)를 본딩 와이어(8)에 의해 도통한다. 이로써 종래는 곤란했던 게이트 전극(4)과 인출전극(9)과의 와이어 본딩 작업이 그리드 구멍부(7)를 통하여 행해지기 때문에 매우 용이하게 된다. 또 종래는 본딩 와이어(8)와 그리드(5)와의 접촉이 발생하기 쉬우며 단락의 원인으로 되어 있었지만, 본 전자 총구체를 사용함으로써, 접촉에 단락에 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：TW201810343A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106126688

申请日：2017-08-08

Applicant: 漢民微測科技股份有限公司 ,  HERMES MICROVISION, INC. ,  荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 竇 菊英 ,  DOU, JUYING ,  樊征 ,  FAN, ZHENG ,  郭子毅 ,  KUO, TZU YI ,  陳 仲瑋 ,  CHEN, ZHONGWEI

IPC: H01J37/075 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J37/3178 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2209/0223 ,  H01J2237/06308 ,  H01J2237/06325

Abstract: 本發明揭示電子發射器及製造該等電子發射器之方法。根據某些實施例，一電子發射器包括具有一平坦區之一頂端，該平坦區具有在大約(0.05至10)微米範圍內之一直徑。該電子發射器頂端經組態以釋放場發射電子。該電子發射器進一步包括塗佈於該頂端上之一功函數降低材料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示电子发射器及制造该等电子发射器之方法。根据某些实施例，一电子发射器包括具有一平坦区之一顶端，该平坦区具有在大约(0.05至10)微米范围内之一直径。该电子发射器顶端经组态以释放场发射电子。该电子发射器进一步包括涂布于该顶端上之一功函数降低材料。

公开(公告)号：TWI457966B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW096146600

申请日：2007-12-06

Applicant: 石原產業股份有限公司 ,  ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD.

Inventor： 高井幹夫 ,  TAKAI, MIKIO ,  福山知惠子 ,  FUKUYAMA, CHIEKO ,  高岡陽一 ,  TAKAOKA, YOICHI ,  神代善正 ,  KUMASHIRO, YOSHIMASA ,  瀧本理人 ,  TAKIMOTO, TADAHIKO

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J63/06

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30446

公开(公告)号：TW200527471A

公开(公告)日：2005-08-16

申请号：TW093139456

申请日：2004-12-17

Applicant: 湯寅生 TANG, YIN S.

Inventor： 唐殷 TANG, YIN S.

IPC: H01J

CPC classification number: H01J9/025 ,  B29C67/0044 ,  B29D11/00663 ,  B29L2011/0075 ,  G02B6/2552 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30426

Abstract: 一種場發射裝置之製造方法，及含有纖維段形成之發射體所製成的裝置。尖梢會藉曝露一反應液體一段時間來形成於該等纖維段上而具有甚小的半徑。該等尖梢會被覆設一低功函數導電材料來形成發射體。

Abstract in simplified Chinese: 一种场发射设备之制造方法，及含有纤维段形成之发射体所制成的设备。尖梢会藉曝露一反应液体一段时间来形成于该等纤维段上而具有甚小的半径。该等尖梢会被覆设一低功函数导电材料来形成发射体。

公开(公告)号：TW353761B

公开(公告)日：1999-03-01

申请号：TW086103795

申请日：1997-03-25

Applicant: 日本電氣股份有限公司

Inventor： 卷島秀男

IPC: H01J

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J1/304 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30426

Abstract: 本發明提供一種冷陰極，包括一基底；複數個形成在此基底上的電子放射極；一第一絕緣層，形成在此基底上，且帶有複數個用以放置上述電子放射極的第一空洞；一閘極，係形成在第一絕緣層上，且帶有複數個第一開口；一第二絕緣層，係形成在閘極上，且帶有複數個第二空洞；以及一集束電極，係形成在第二絕緣層上，且帶有複數個第二開口。在上述的冷陰極中，第二開口的中心軸與/或第一開口的中心軸，偏離電子放射極的中心軸。上述第二開口的中心軸與/或第一開口的中心軸，跟電子放射極的中心軸之間的離心率的方向是往外側偏移，而遠離中心之電子放射極的離心率大於位在中心之電子放射極的離心率。本發明提供之冷陰極，可以使得電子放射的角度增大，使電子束散發的更廣，亦即，本發明之冷陰極之電子放射區的面積相對地小於發光區的面積。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种冷阴极，包括一基底；复数个形成在此基底上的电子放射极；一第一绝缘层，形成在此基底上，且带有复数个用以放置上述电子放射极的第一空洞；一闸极，系形成在第一绝缘层上，且带有复数个第一开口；一第二绝缘层，系形成在闸极上，且带有复数个第二空洞；以及一集束电极，系形成在第二绝缘层上，且带有复数个第二开口。在上述的冷阴极中，第二开口的中心轴与/或第一开口的中心轴，偏离电子放射极的中心轴。上述第二开口的中心轴与/或第一开口的中心轴，跟电子放射极的中心轴之间的离心率的方向是往外侧偏移，而远离中心之电子放射极的离心率大于位在中心之电子放射极的离心率。本发明提供之冷阴极，可以使得电子放射的角度增大，使电子束散发的更广，亦即，本发明之冷阴极之电子放射区的面积相对地小于发光区的面积。