公开(公告)号：FR3027144B1

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：FR1459675

申请日：2014-10-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ASS POUR LA RECH ET LE DEV DES METHODES ET PROCESSUS IND (A R M I N E S )

Inventor： ALIBAY MANU ,  AUBERGER STEPHANE

IPC: G06T7/20

公开(公告)号：FR3035499A1

公开(公告)日：2016-10-28

申请号：FR1553569

申请日：2015-04-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SHERRY HANI

IPC: G01J5/10

Abstract: L'invention concerne un imageur HF comprenant une matrice de pixels, chaque pixel comprenant : un oscillateur HF (33) ; une ligne de transmission (67) disposée à une distance d'une face active de l'imageur inférieure à la longueur d'onde de fonctionnement de l'oscillateur, et dont une première extrémité est couplée à l'oscillateur ; et un circuit de lecture (65) couplé à une deuxième extrémité de la ligne.

公开(公告)号：FR3035258A1

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：FR1500786

申请日：2015-04-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  BENOIST ANTOINE ,  DENORME STEPHANE ,  DAMIENS JOEL

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/21

Abstract: Procédé de programmation d'au moins une cellule mémoire du type à programmation unique (MPU) comportant un condensateur, comprenant une génération d'une tension de programmation (VG) et une application de cette tension de programmation (VG) à ladite au moins une cellule mémoire (CEL) de façon à obtenir un claquage du diélectrique du condensateur, caractérisé en ce qu'il comprend une variation de la tension de programmation (VG) en fonction de la température (T) de ladite au moins une cellule mémoire (CEL) à partir d'une loi de variation décroissante en fonction de la température (T).

公开(公告)号：FR3007578B1

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：FR1355834

申请日：2013-06-20

Applicant: STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： HUSS EMILIE ,  HERAULT DIDIER ,  MATERNE ALEX ,  VIRMONTOIS CEDRIC

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

公开(公告)号：FR3025056B1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：FR1457937

申请日：2014-08-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

IPC: H01S5/026

公开(公告)号：FR3024917B1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：FR1457800

申请日：2014-08-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS INT NV

Inventor： LECOCQ CHRISTOPHE ,  AKYEL KAYA CAN ,  CHHABRA AMIT ,  DIPTI DIBYA

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/4074

公开(公告)号：FR3028350A1

公开(公告)日：2016-05-13

申请号：FR1460849

申请日：2014-11-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： REBOH SHAY ,  GRENOUILLET LAURENT ,  MORAND YVES

IPC: H01L21/02 ,  G02B5/18 ,  H01L21/8232

Abstract: Procédé pour réaliser au moins un motif dans une couche reposant sur un support comprenant des étapes consistant à : a) rendre amorphe au moins un premier bloc (131) d'une couche supérieure de matériau cristallin reposant sur une première couche de support amorphe, tandis que la structure cristalline d'un deuxième bloc (132) de la couche supérieure accolé et juxtaposé audit premier bloc (131) est conservée, b) effectuer une recristallisation partielle du premier bloc (131) en se servant d'au moins une face latérale du deuxième bloc (132) en contact avec le premier bloc comme zone de départ d'un front de recristallisation, la recristallisation partielle étant effectuée de manière à conserver une région de matériau amorphe (1311) dans le premier bloc, c) effectuer une gravure sélective du matériau amorphe de la couche supérieure vis-à-vis du matériau cristallin de la couche supérieure de manière à former au moins un premier motif dans la couche supérieure.

公开(公告)号：FR2994019B1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：FR1257227

申请日：2012-07-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LAMY YANN ,  GUILLER OLIVIER ,  JOBLOT SYLVAIN

IPC: H01G4/33 ,  H01L21/02

公开(公告)号：FR3025927A1

公开(公告)日：2016-03-18

申请号：FR1458589

申请日：2014-09-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LACOUTURE STEPHANE ,  DAMIENS JOEL

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

Abstract: L'invention concerne un procédé de programmation d'une mémoire anti-fusible, comportant, pour chaque cellule à programmer, les étapes suivantes : évaluer (65) la consommation de la mémoire en mode programmation ; comparer (66) cette consommation à un seuil (TH) ; et arrêter (67) la programmation d'une cellule quand le seuil est atteint.

公开(公告)号：FR3025056A1

公开(公告)日：2016-02-26

申请号：FR1457937

申请日：2014-08-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FERROTTI THOMAS ,  BEN BAKIR BADHISE ,  CHANTRE ALAIN ,  CREMER SEBASTIEN ,  DUPREZ HELENE

IPC: H01S5/026

Abstract: L'invention concerne un dispositif laser (1) disposé dans et/ou sur silicium et à hétéro structure III-V comprenant ○ un milieu amplificateur (3) à hétérostructure III-V, et ○ un guide d'onde optique en arête (11), disposé en regard du milieu amplificateur (3) et comprenant un guide d'onde en ruban (15) doté d'une arête longitudinale (17), le guide d'onde optique en arête (11) étant disposé dans du silicium. Le guide d'onde optique en arête (11) est orienté de manière à ce qu'au moins un réseau de Bragg (19, 19a, 19b) est disposée sur la face (21) du guide d'onde en ruban (15) qui est proximale par rapport au milieu amplificateur (3) et en ce que l'arête (17) est disposée sur la face (23) du guide d'onde en ruban (15) qui est distale par rapport au milieu amplificateur (3).