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公开(公告)号：KR101673965B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020140193672
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.
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公开(公告)号：KR101656206B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020140152376
申请日：2014-11-04
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160083257A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020140193673
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及不需要荧光体施加处理的（无磷）白色发光元件。 其制造方法包括：在GaN衬底上的掩模层的第一步骤; 图案化掩模层以形成暴露GaN衬底的一部分的纳米图案的第二步骤; 第三步骤，根据纳米图案在GaN衬底上选择性地生长GaN以生长GaN纳米结构以暴露彼此不同的晶体面; 以及在GaN纳米结构上生长包括有源层的纳米结构层的第四步骤，其中在有源层中，有效组成的含量随GaN纳米结构的晶面而变化。 因此，可以调节发光波长。 因此，调整有源层的暴露的结晶面以控制每个有效成分的含量以调节有源层的发光波长，并且在单个元件的外延生长过程中诱导蓝色和黄色的发光 体现白光发射。
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公开(公告)号：KR1020160083256A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020140193672
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/66431
Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.
Abstract translation: 本发明提供一种单片式多通道功率半导体器件及其制造方法，该单片式多通道功率半导体器件包括能够以简单的工艺制造且结构简单，电流密度高，内部高压的E型HEMT结构。 根据本发明，单片多通道功率半导体器件包括：基板; 形成在所述基板上的第一HEMT结构; 以及形成在所述基板上的第二HEMT结构。 第一和第二HEMT结构单独地包括四氮化硅半导体层。 第一HEMT结构和第二HEMT结构在同一基板上的水平方向的不同位置处在垂直方向上的不同层上形成，并且被阻挡层电隔离。 第一HEMT结构包括：依次在阻挡层上外延生长的第一GaN缓冲层，第一InAlGaN层和第一GaN覆盖层。 第一InAlGaN层包含具有预定组成比的In和Al，因此对第一InAlGaN层施加压应力。 因此，极化朝向上部反转，并且执行增强模式（E模式）运动。 第二HEMT结构包括依次在衬底上外延生长的第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层。 In和Al具有预定的组成比，因此施加压应力。 因此，在第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层之间形成2EDG，进行耗尽模式（D模式）运动。
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公开(公告)号：KR101581438B1
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140042909
申请日：2014-04-10
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/50
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, 상기목적을달성하기위해본 발명은, 기판상에마스크층을형성하는단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기기판의일부영역을노출시키는패턴을형성하는단계및 상기기판의노출된영역상에발광층을포함하는질화물계나노막대를성장시키는단계를포함하여이루어지되, 상기나노막대의직경또는간격을조절함으로써나노막대간 그림자효과(shadow effect)에따른상기나노막대의유효조성물의함량을제어하여, 상기발광층의발광파장을조절하는것을특징으로하는나노막대를이용한백색발광소자의제조방법및 이에의해제조된나노막대를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해기판상에나노막대형태로발광층을형성함으로서, 형광체없는백색광원의제조가가능하며, 발광층을나노막대형태로형성하여결함밀도를최소화하여고품질의발광소자의제조가가능한이점이있다.
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公开(公告)号：KR101034211B1
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020090033270
申请日：2009-04-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/08
Abstract: 본 발명은 형광체를 사용하지 않고 고연색성을 보이는 백색광을 발하는 수직형 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자는 P 금속층과, P 금속층 상에 형성된 P형 오믹접촉층과, P형 오믹접촉층 상에 형성된 활성층을 구비한다. 그리고 활성층 상에 형성되며, 제1두께를 갖는 제1부와 제1두께보다 두껍거나 동일한 제2두께를 갖는 제2부를 포함하여 이루어진 N형 오믹접촉층과, N형 오믹접촉층의 제1부 상에 형성된 N 금속층과, N형 오믹접촉층의 제2부 상에 N 금속층과 이격되도록 형성되며 입사된 광의 파장을 변환하는 파장변환층을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020100089635A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020090008970
申请日：2009-02-04
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor device is provided to increase the internal quantum efficiency by minimizing overflow of charge. CONSTITUTION: An n-type clad layer(430) is formed on a substrate(410). An active layer(440) is formed on the n-type clad layer. The active layer forms a quantum well structure by alternatively laminating a quantum-well layer(441) and a barrier layer(442). The p-type cladding layer(450) is formed on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体器件以通过最小化电荷的溢出来增加内部量子效率。 构成：在衬底（410）上形成n型覆盖层（430）。 在n型覆盖层上形成有源层（440）。 有源层通过交替层叠量子阱层（441）和阻挡层（442）形成量子阱结构。 p型覆层（450）形成在有源层上。
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