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公开(公告)号：CN111316401A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880069448.5
申请日：2018-10-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B27/00 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN114867810B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202080089720.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。
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公开(公告)号：CN118742855A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380022676.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/033 , C08F212/08 , C08F220/10 , C08F220/26 , C08F220/30 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种能够形成保护膜的材料，所述保护膜在半导体装置的制造中具有为了保护半导体制造用基板的端部所需要的充分的耐蚀刻性。[解决手段]一种光固化性组合物，其包含自交联性聚合物及溶剂，所述自交联性聚合物包含第一单体单元及第二单体单元，所述第一单体单元在侧链中包含芳基酮残基，所述第二单体单元在侧链中包含脂肪族烃残基和/或芳香族环残基，所述脂肪族烃残基包含容易发生夺氢反应的碳原子；一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序；通过对抗蚀剂膜照射光或电子射线，然后进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；和通过蚀刻而对半导体基板进行加工的工序，在所述半导体装置的制造方法中，还包括下述工序：在半导体制造用晶圆的正面端部以及任选地在晶圆的倒角部和/或背面端部形成由所述光固化性组合物制成的保护膜。
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公开(公告)号：CN117940850A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059504.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 为了使用Ru等不是Cu的新的金属，通过减成法来制造半导体元件，提供形成可以作为用于将Ru等选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的金属的膜进行干蚀刻的蚀刻掩模而适合使用的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其形成含有硅的抗蚀剂下层膜，上述含有硅的抗蚀剂下层膜用于在将包含选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的至少1种金属的金属膜进行干蚀刻时作为蚀刻掩模而使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116508132A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180079636.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。
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公开(公告)号：CN116034453A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180049745.5
申请日：2021-07-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将形成在基板上的异物除去的简便的方法，并提供那样的方法所使用的异物除去用涂膜形成用组合物。一种组合物，是包含聚合物和溶剂、能够形成溶解于显影液的涂膜的异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物选自苯酚酚醛清漆、聚羟基苯乙烯衍生物和含有羧酸的聚合物，所述组合物包含相对于组合物中的固体成分整体为50质量％以上的上述聚合物。
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公开(公告)号：CN113166624A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980075287.5
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/04 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J11/08 , C09J183/05
Abstract: 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN113165344A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077764.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , B32B7/12
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。
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公开(公告)号：CN118235092A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075471.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F220/18 , C08G59/16
Abstract: 本发明提供用于形成半导体制造用晶片端部保护膜的有用的光固化性树脂组合物。一种光固化性树脂组合物，其包含：含有来自萘、蒽、菲、芘等的多环芳香族烃基的化合物和/或聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸系树脂、聚酰胺酸、聚羟基苯乙烯、聚羟基苯乙烯衍生物、聚甲基丙烯酸酯与马来酸酐的共聚物、环氧树脂、酚醛树脂、Novolac树脂、聚酰亚胺、纤维素、纤维素衍生物、淀粉、几丁质、壳聚糖、明胶、玉米朊、糖骨架高分子化合物、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚硅氧烷等聚合物、以及溶剂。该组合物在25℃下具有100cps以下的粘度，且通过170nm～800nm波长的光进行固化。
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