公开(公告)号：KR1020090087466A

公开(公告)日：2009-08-17

申请号：KR1020097011467

申请日：2007-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키쿠치요시유키 ,  코바야시야스오 ,  카와무라코헤이 ,  노자와토시히사 ,  이시카와히라쿠

IPC: C23C16/26 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided are an amorphous carbon film having a high elasticity and a low thermal contraction ratio with a suppressed specific dielectric constant, a semiconductor device provided with the film and a technology for forming the amorphous carbon film. The amorphous carbon film is formed by controlling an additive amount of Si (silicon) during film formation. Thus, the amorphous carbon film having a high elasticity and a low thermal contraction ratio with a suppressed specific dielectric constant of 3.3 or less is obtained. Therefore, troubles such as film peeling can be suppressed when the amorphous carbon film is used as a film that configures a semiconductor device. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供具有高弹性和具有抑制的介电常数的低热收缩率的非晶碳膜，设置有该膜的半导体器件和用于形成无定形碳膜的技术。 无定形碳膜通过在成膜期间控制Si（硅）的添加量而形成。 因此，具有高的弹性和低的热收缩率，具有抑制的比介电常数为3.3以下的无定形碳膜。 因此，当将非晶碳膜用作构成半导体器件的膜时，可以抑制诸如膜剥离的问题。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020090039678A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：KR1020087030439

申请日：2007-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 야기야스시 ,  와타나베신고 ,  노자와토시히사 ,  카와무라츄이치 ,  요시노키미히코 ,  오미타다히로

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/28 ,  H01L51/56 ,  H01L51/0008

Abstract: Disclosed is an apparatus for manufacturing a light-emitting device which is characterized by comprising a plurality of processing chambers for performing a substrate processing for forming a light-emitting device having a plurality of layers including an organic layer on a subject to be processed. The apparatus is also characterized in that each processing chamber is structured so that the processing of the substrate is performed while having a device mounting surface of the substrate, on which a light-emitting device is formed, face a direction opposite to the gravity direction.

Abstract translation: 公开了一种用于制造发光器件的设备，其特征在于包括多个处理室，用于进行用于形成具有包括待处理对象的有机层的多个层的发光器件的衬底处理。 该装置的特征还在于，每个处理室被构造成使得在其上形成有发光装置的基板的装置安装表面面向与重力方向相反的方向的同时进行基板的处理。

公开(公告)号：KR101318917B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020127026493

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기로(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR1020120127544A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020127026493

申请日：2009-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  고모토신지 ,  이와사키마사히데

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  Y10T137/7837

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 배기공(13)으로부터 하방측으로 연장되는 제1 배기로(15)와, 제1 배기로(15)의 배기 방향의 하류측 단부(端部)에 접속되어 있고, 제1 배기로(15)와 수직인 방향으로 연장되며, 배기 방향에 대하여 직교하는 단면에 있어서 상하 방향보다도 폭 방향이 긴 횡장 단면 형상의 제2 배기로(16)와, 제2 배기로(16)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 제2 배기로(16)와 수직인 방향으로 연장되는 제3 배기로(17)와, 제3 배기로(17)의 배기 방향의 하류측 단부에 접속되어 있고, 처리 용기(12) 내를 감압하는 펌프(18)와, 제2 배기로(16) 내에 설치되어 있고, 제2 배기로(16)를 폐쇄 가능하여, 배기 방향의 상류측과 하류측과의 압력을 조정하는 압력 조정용 밸브 플레이트(20)를 갖는 압력 조정 밸브(21)와, 제3 배기로(17) 내에 설치되어 있고, 제3 배기로(17)의 개폐를 행하는 셧오프 밸브 플레이트(22)를 갖는 셧오프 밸브(23)를 구비한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置设置有从排气孔向下延伸的第一排气路径; 第二排气通道，其沿着排气方向连接到第一排气通路的下游端部，并且沿与第一排气通路延伸的方向垂直的方向延伸，其横截面与排气通道 方向为水平长，使得宽度方向长度大于横截面中的垂直长度; 第三排气通道，其沿排气方向连接到第二排气路径的下游端部，并且沿与第二排气通路延伸的方向垂直的方向延伸; 泵，其在排气方向上连接到第三排气路径的下游端部，并且减压处理容器的内部; 设置在第二排气路径中的压力控制阀，包括能够关闭第二排气通路并控制排气方向上游侧和下游侧的压力的压力控制阀板; 以及截止阀，其设置在所述第三排气路径中并且包括打开和关闭所述第三排气路径的截止阀板。

公开(公告)号：KR101179111B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020097014154

申请日：2008-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  미야타니코타로 ,  호리토시야스 ,  히로세시게카즈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76835

Abstract: 기판 상에 형성된 불소 첨가 카본막을 플라즈마에 의해 에칭하는 에칭 방법은, 산소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 제1 단계와, 불소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 제2 단계를 갖는다.
불소, 플라즈마, 산소, 에칭

公开(公告)号：KR101176061B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020097004902

申请日：2008-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  니시즈카테츠야 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 진공흡인 가능한 처리 용기의 천정부에 형성되어, 나란히 형성되는 평면 안테나 부재의 슬롯으로부터 방사(radiation)되는 마이크로파를 처리 용기 내로 투과 가능한 천판(top plate)으로서, 천판의 처리 용기 내를 향하는 면측에 방사상으로 형성된 복수의 돌기부를 구비하는 천판을 개시한다.
천판, 돌기부, 방사상

公开(公告)号：KR101121434B1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020097026788

申请日：2008-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 우에다히로카즈 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키 ,  테라모토아키노부 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116

Abstract: 반도체 기판 상에 반도체 소자를 형성하는 공정과, 마이크로파를 플라즈마원으로 하여, 반도체 기판의 표면 근방에 있어서, 플라즈마의 전자 온도가 1.5eV보다도 낮고, 그리고 플라즈마의 전자 밀도가 1×10
11 ㎝
-3 보다도 높은 마이크로파 플라즈마를 이용한 CVD 처리에 의해 반도체 소자 상에 막을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100967459B1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020087012261

申请日：2006-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  타마키유아사 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 본 발명은, 소정의 주파수의 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파를 소정의 진동 모드로 변환시키는 모드 변환기와, 소정의 공간을 향하여 설치된 평면 안테나 부재와, 상기 모드 변환기와 상기 평면 안테나 부재를 연결하여 상기 마이크로파를 전파하는 동축 도파관을 구비한 마이크로파 도입 장치에 있어서, 상기 동축 도파관의 중심 도체는 통 형상으로 형성되어 있고, 상기 중심 도체의 내경(D1)은 제 1 소정값 이상이며, 상기 동축 도파관의 외측 도체도 통 형상으로 형성되어 있고, 상기 외측 도체의 내경의 반경(r1)과 상기 중심 도체의 외경의 반경(r2)과의 비(r1 / r2)가 제 2 소정치로 유지되어 있고, 상기 외측 도체의 내경(D2)은 제 3 소정치 이하인 것을 특징으로 하는 마이크로파 도입 장치이다.

公开(公告)号：KR100967458B1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020087010398

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: 본 발명은, 피처리체의 표면에 형성되어 있는 피가공층을 에칭하는 에칭 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에 레지스트층을 균일하게 형성하는 레지스트 형성 공정과, 상기 레지스트층에 소정의 에칭용 오목부를 형성함으로써, 패턴화된 에칭 마스크를 형성하는 마스크 형성 공정과, 상기 에칭용 오목부의 저부(底部) 및 측면을 포함하여, 상기 에칭 마스크의 표면 전체에 플라즈마 내성막을 형성하는 플라즈마 내성막 형성 공정과, 상기 에칭용 오목부의 저부에 형성된 상기 플라즈마 내성막을 제거하는 저부 플라즈마 내성막 제거 공정과, 상기 저부 플라즈마 내성막 제거 공정 후에, 상기 에칭 마스크를 마스크로 하여 상기 피가공층을 에칭하는 본 에칭 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 에칭 방법이다.

公开(公告)号：KR1020100049691A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：KR1020107007389

申请日：2008-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

Abstract: Plasma density generated inside the processing chamber of a plasma processing apparatus is adjusted especially in a circumference direction. In a plasma processing apparatus (1), a microwave supplied from a coaxial waveguide (30) is introduced into a processing container (2) through a slow-wave plate (25), a processing gas is brought into the plasma state and a substrate (W) is processed in the processing container (2). A dielectric member is arranged at a connecting area between the coaxial waveguide (30) and the slow-wave plate (25). The dielectric member is arranged at a part in the circumference direction with an internal conductor (31) at the center, in an external conductor (32) of the coaxial waveguide (30). The dielectric member is arranged at a discretionary position in the circumference direction with the internal conductor (31) at the center.

Abstract translation: 特别是在圆周方向上调整等离子体处理装置的处理室内产生的等离子体密度。 在等离子体处理装置（1）中，从同轴波导管（30）供给的微波通过慢波板（25）引入处理容器（2），处理气体进入等离子体状态，基板 （W）在处理容器（2）中进行处理。 在同轴波导（30）与慢波板（25）之间的连接区域设有电介质部件。 在同轴波导（30）的外部导体（32）中，电介质部件在圆周方向上与中心的内部导体（31）配置。 电介质构件以内部导体（31）为中心配置在圆周方向的任意位置。