公开(公告)号：KR1020080000687A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020077029779

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A TiSiN film of a barrier metal for a semiconductor device is formed by plasma CVD or thermal CVD to prevent diffusion of Cu. When the film is formed by thermal CVD, a TiCl4 gas, silane gas, and an NH3 gas are used as the source gas. When the film is formed by plasma CVD, a TiCl4 gas, a silane gas, an H2 gas, and an N2 gas are used as the source gas.

Abstract translation: 通过等离子体CVD或热CVD形成用于半导体器件的阻挡金属的TiSiN膜，以防止Cu的扩散。 当通过热CVD形成膜时，使用TiCl 4气体，硅烷气体和NH 3气体作为源气体。 当通过等离子体CVD形成膜时，使用TiCl 4气体，硅烷气体，H 2气体和N 2气体作为源气体。

公开(公告)号：KR1020070087084A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020077016175

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: A film-forming method wherein a certain thin film is formed on a substrate to be processed (W) using plasma CVD comprises first and second steps performed alternately at least once. In the first step, a first plasma is generated in a process chamber (51) in which the substrate (W) is housed while supplying a compound gas containing a component for the thin film and a reducing gas into the process chamber (51). In the second step following the first step, a second plasma is generated in the process chamber (51) while supplying the reducing gas into the process chamber (51).

Abstract translation: 使用等离子体CVD在被处理基板（W）上形成某个薄膜的成膜方法包括交替进行至少一次的第一和第二工序。 在第一步骤中，在容纳基板（W）的处理室（51）中产生第一等离子体，同时向处理室（51）提供含有薄膜成分的复合气体和还原气体。 在第一步骤之后的第二步骤中，在处理室（51）中产生第二等离子体，同时将还原气体供应到处理室（51）中。

公开(公告)号：KR100745854B1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：KR1020057023043

申请日：2004-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/5096 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841

Abstract: 본 발명의 목적은 서셉터의 주연부에 국소적 전계를 발생시키지 않는 플라즈마 화학적 증착 방법과 이 방법을 실시하기 위한 장치를 제공하는 것이다. 성막 개시전에, 진공 배기된 챔버내로 가스를 도입하여 서셉터상에 설치된 기판 지지대 상에 기판을 지지하여 상승된 위치에 위치시킨다. 기판을 예열하기 전에, 가스 도입을 정지하고 챔버를 진공 배기시킨다. 서셉터상의 기판을 위치설정하도록 기판 지지 핀을 끌어내린다. 그 다음, 이 상태에서, 가스를 챔버내로 도입하고 기판을 더욱 예열한다. 그 후, 플라즈마가 챔버내에서 생성하고 성막 가스를 성막을 수행하기 위해 도입한다.

公开(公告)号：KR1020070031465A

公开(公告)日：2007-03-19

申请号：KR1020077003974

申请日：2004-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4583 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/505 ,  H01L21/68742

Abstract: 본 발명의 목적은 서셉터의 주연부에 국소적 전계를 발생시키지 않는 플라즈마 화학적 증착 방법과 이 방법을 실시하기 위한 장치를 제공하는 것이다. 성막 개시전에, 진공 배기된 챔버내로 가스를 도입하여 서셉터상에 설치된 기판 지지대 상에 기판을 지지하여 상승된 위치에 위치시킨다. 기판을 예열하기 전에, 가스 도입을 정지하고 챔버를 진공 배기시킨다. 서셉터상의 기판을 위치설정하도록 기판 지지 핀을 끌어내린다. 그 다음, 이 상태에서, 가스를 챔버내로 도입하고 기판을 더욱 예열한다. 그 후, 플라즈마가 챔버내에서 생성하고 성막 가스를 성막을 수행하기 위해 도입한다.

公开(公告)号：KR1020050054983A

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020057005619

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

公开(公告)号：KR100395171B1

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：KR1019980028552

申请日：1998-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와히데키 ,  고바야시야스오 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28568

Abstract: A method of forming a CVD-Ti film includes the steps of loading a Si wafer into a chamber, setting an interior of the chamber at a predetermined reduced-pressure atmosphere, introducing TiCl4 gas, H2 gas, and Ar gas into the chamber, and generating a plasma of the introduced gas in the chamber to form a Ti film in a hole formed in an SiO2 film on the wafer. A wafer temperature is set to 400° to 800°, a supplied power is set to 100 W to 300 W, an internal chamber pressure is set to 0.5 Torr to 3.0 Torr, a flow rate ratio of TiCl4 gas to a sum of H2 gas and Ar gas is 1:100 to 1:300, and a flow rate ratio of H2 gas to Ar gas is 1:1 to 2:1.

Abstract translation: 形成CVD-Ti膜的方法包括以下步骤：将Si晶片装入腔室中，将腔室内部设定在预定的减压气氛下，将TiCl 4气体，H 2气体和Ar气体引入腔室中，以及 在室中产生引入气体的等离子体，以在晶片上的SiO2膜中形成的孔中形成Ti膜。 晶片温度设定为400℃; 提供功率为100W至300W，内室压力设定为0.5Torr至3.0Torr，TiCl 4气体与H 2气体和Ar气体之和的流量比为1：100至100 1：300，H 2气体与Ar气体的流量比为1：1〜2：1。

公开(公告)号：KR100400125B1

公开(公告)日：2003-11-14

申请号：KR1019980023861

申请日：1998-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: In a process of forming a metal film, when metal wiring is formed on a diffusion layer (an electrode, etc.) of a circuit element formed on a silicon semiconductor wafer, a Ti film is deposited on a surface of a processed body by PECVD using TiCl4 gas and H2 gas as material gas. A Ti-Si-N film is formed on the diffusion layer surface by adding N2 gas to the material gas, and the Ti film is formed subsequently on the Ti-Si-N film. The Ti-Si-N film suppresses diffusion of silicon from the semiconductor wafer side.

Abstract translation: 在形成金属膜的过程中，当在形成于硅半导体晶片上的电路元件的扩散层（电极等）上形成金属布线时，通过PECVD在加工体的表面上沉积Ti膜 使用TiCl4气体和H2气体作为原料气体。 通过向原料气体中加入N 2气体在扩散层表面上形成Ti-Si-N膜，然后在Ti-Si-N膜上形成Ti膜。 Ti-Si-N膜抑制来自半导体晶片侧的硅的扩散。

公开(公告)号：KR100297284B1

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：KR1019950026563

申请日：1995-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루.엔지니아링구가부시끼가이샤

Inventor： 하타노다츠오 ,  무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

Abstract: 드라이 크리닝기능을 가지는 막형성장치는, 피처리체를 수용하는 처리실과, 처리실 내에 피처리체에 금속 또는 금속화합물을 막형성하기 위한 처리가스를 도입하는 처리가스 공급계와, 피처리체에 처리가스 중의 성분을 퇴적시켜서 막형성하는 가열장치와, 이 막형성처리에 의해서 처리용기 내에 부착한 금속 또는 금속화합물을 크리닝한다. 삼염화 질소(NCl
3 )를 함유하는 크리닝가스, 또는 삼불화 염소(ClF
3 ) 또는 삼불화 질소(NF
3 )와 같은 불화물을 처리실 내로 도입하기 위한 크리닝가스 공급계와, 알콜을 함유하는 크리닝 후처리가스를 처리실 내로 도입하는 후처리가스 공급계를 구비한다.

公开(公告)号：KR1019990013876A

公开(公告)日：1999-02-25

申请号：KR1019980028552

申请日：1998-07-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와히데키 ,  고바야시야스오 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/44

Abstract: 본 발명의 CVD-Ti 필름을 형성하는 방법은 챔버내로 Si 웨이퍼를 로딩하는 단계, 소정의 감압 분위기로 챔버의 내부를 설정하는 단계, 챔버내로 TiCl
4 가스, H
2 가스 및 Ar 가스를 도입하는 단계 및 챔버내의 도입 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 웨이퍼상의 SiO
2 막내에 홀내에 Ti 막을 형성시키는 단계를 포함한다. 웨이퍼 온도는 400°내지 800°로 설정되며, 공급 압력은 100W 내지 300W이며, 내부 챔버 압력은 0.5Torr 내지 3.0Torr이며, TiCl
4 가스 대 H
2 가스와 Ar 가스의 합의 유량비는 1:100 내지 1:300이며, H
2 가스 대 Ar 가스의 유량비는 1:1 내지 2:1이다.

公开(公告)号：KR1019980032434A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019970049951

申请日：1997-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  요시카와히데키 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/34

Abstract: 본 발명은 부산물에 의한 피처리체(substrate)의 오염을 억제할 수 있고, 티탄막의 콘택트저항(contact resistance)을 작게 할 수 있는, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 피처리체(2)의 표면에 티탄막을 형성하는 공정; 질소가스와 수소가스의 혼합가스의 분위기에서 플라즈마처리함으로써, 상기 티탄막의 표면층을 질화층으로 만드는 공정; 및 표면층이 질화층으로 된 티탄막 위에 배리어(barrier) 금속막(예: 티탄니트라이드막)을 형성하는 공정에 의해, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성한다.