公开(公告)号：KR1020000077209A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：KR1020000024869

申请日：2000-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  아마노겐지 ,  이토히로미지 ,  미야자키요시토

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321

Abstract: 유도결합플라즈마에칭장치는칸막이구조체(2)에의해안테나실(4)과처리실(5)로구획된본체용기(1)를포함한다. 안테나실(4)내에는고주파안테나(13)가배치되고, 처리실(5)내에는 LCD 유리기판(LS)을탑재하기위한서셉터(22)가배치된다. 칸막이구조체(2)는십자형상의지지비임(16)에의해지지된 4개의세그먼트(3s)로이루어진유전체벽(3)을포함한다. 지지비임(16)은다수의서스펜더(8a, 8b)에의해서본체용기(1)의천정에매달린다. 지지비임(16)은처리실(5)내에처리가스를공급하기위한샤워헤드의하우징으로사용된다.

公开(公告)号：KR101787825B1

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：KR1020150087469

申请日：2015-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  사토요시츠토무 ,  다나카세이지

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

Abstract: 가스공급량을증대시키는일 없이, 또한, 생산택트의저하를극히억제하고, 처리가스의이용효율을높여서, 배기경로에있어서의반응생성물의생성을억제하여, 배치식의 ALD 성막을실행한다. 배치식의성막장치(100)는복수의처리실(15)과, 가스공급유닛(2)과, 배기유닛(3)과, 제어부(4)를구비한다. 배기유닛(3)은제 1 처리가스및 제 2 처리가스의각각에대응한 2개의배기경로와, 2개의배기경로를전환하는배기경로전환부(34, 35)를갖고, 제어부(4)는, 가스공급유닛(2)으로부터처리실(15)에제 1 처리가스및 제 2 처리가스를공급할때에, 하나의처리가스에대해, 각처리실에시간차를두고순차공급되도록가스공급유닛(2)을제어하고, 또한각 처리실(15)에공급된처리가스에대응하는배기경로를거쳐서배기되도록배기경로전환부(34, 35)를제어한다.

公开(公告)号：KR1020170108916A

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020170118443

申请日：2017-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02046

Abstract: 성막장치가대형화하더라도, 배기구조의대형화, 고비용화, 및복잡화를방지하면서, 배기경로로의반응생성물의퇴적을억제한다. 배기유닛(3)은, 처리용기(11) 내를배기하는전단진공펌프(32)와, 전단진공펌프(32)의배기측에분기하여마련되고, 처리용기(11)에공급되는제 1 처리가스및 제 2 처리가스에각각대응한배기경로를규정하는제 1 분기배관(33) 및제 2 분기배관(34)과, 제 1 분기배관(33) 및제 2 분기배관(34)의각각에마련된제 1 후단진공펌프(35) 및제 2 후단진공펌프(36)와, 배기경로를전환하는배기경로전환부(37, 38)와, 제 1 처리가스및 제 2 처리가스중 처리용기(11) 내에공급되는처리가스에대응한배기경로에배기가스가흐르도록, 배기경로전환부(37, 38)를제어하는배기제어기(41)를갖는다.

Abstract translation: 即使增大成膜装置，也能够抑制反应生成物向排气路径的沉积，同时防止排气结构变大，成本增加并且复杂化。 排气单元3中，处理容器11和前端，用于排出内部的真空泵32，被提供给分支到前真空的排气侧泵32，将被供给到处理室11中的第一处理 在每个第一分支管33设置mitje第二分支管34与第一分支管33 mitje第二支管（34），其限定相应的一个排气通道的气体与权利要求的所述第二处理气体 第一后端真空泵35 mitje第二后端真空泵36和废气路径切换单元，用于切换所述排气通道（37，38），所述第一处理气体和第二处理被供给到气体的处理容器11 以及排气控制单元41，用于控制排气路径切换单元37和38，使得排气在与待供应的处理气体对应的排气路径中流动。

公开(公告)号：KR1020150126772A

公开(公告)日：2015-11-13

申请号：KR1020150052204

申请日：2015-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센바쇼헤이 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

Abstract: (과제) 성막장치가대형화하더라도, 배기구조의대형화, 고비용화, 및복잡화를방지하면서, 배기경로로의반응생성물의퇴적을억제한다. (해결수단) 배기유닛(3)은, 처리용기(11) 내를배기하는전단진공펌프(32)와, 전단진공펌프(32)의배기측에분기하여마련되고, 처리용기(11)에공급되는제 1 처리가스및 제 2 처리가스에각각대응한배기경로를규정하는제 1 분기배관(33) 및제 2 분기배관(34)과, 제 1 분기배관(33) 및제 2 분기배관(34)의각각에마련된제 1 후단진공펌프(35) 및제 2 후단진공펌프(36)와, 배기경로를전환하는배기경로전환부(37, 38)와, 제 1 처리가스및 제 2 처리가스중 처리용기(11) 내에공급되는처리가스에대응한배기경로에배기가스가흐르도록, 배기경로전환부(37, 38)를제어하는배기제어기(41)를갖는다.

Abstract translation: （被摄体）即使成膜装置变大，也可以防止排气结构体在大的排气结构中变大，昂贵且复杂化，同时抑制排气路径中的反应物的沉积。 （解决方案）排气单元（3）包括排出处理容器（11）内部的前真空泵（32） 第一和第二支管（33）（34）放置在前真空泵（32）的排气侧周围，并且形成对应于提供给处理容器（11）的第一处理气体和第二处理气体的排气路径。 第一和第二后部真空泵（35）（36）放置在第一和第二分支管道（33）（34）中; 排气路径切换（37,38），切换排气路径; 以及排气控制器（41），其控制所述排气路径开关（37,38），以使得排出气体流入与供给到所述处理容器（11）中的处理气体对应的排气路径，所述排气控制器在所述第一处理气体和所述第二处理气体 加工气体

公开(公告)号：KR1020140134613A

公开(公告)日：2014-11-24

申请号：KR1020140056267

申请日：2014-05-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  나이토하지메 ,  사토요시츠토무 ,  후루야아츠키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 고출력화에의 대응을 용이하게 할 수 있는 고주파 전원을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 제 1 고주파 전원부(65)는 전원 제어부(130)와 고주파 전원(140)과 결합기(150)를 구비하고 있다. 결합기(150)에는, 복수의 증폭부(142)가 병렬 접속되어 있고, 각 증폭부(142)에서 증폭된 고주파 전력을 합성한다. 또, 결합기(150)는 매칭 박스(63)에 접속되어 있고, 결합기(150)에서 합성된 고주파 전력은 매칭 박스(63)를 거쳐 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(31)에 급전된다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括能够容易地响应高输出的高频电源。 第一高频电源部分（65）包括电源控制部分（130），高频电源（140）和组合器（150）。 多个放大部件（142）并联连接到组合器（150），并且由每个放大部件（142）放大的高频功率被合成。 此外，组合器150连接到匹配盒63，并且由组合器150合成的高频功率通过匹配盒63供给到起到上电极的喷淋头31的作用。

公开(公告)号：KR1020140062409A

公开(公告)日：2014-05-23

申请号：KR1020130134997

申请日：2013-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사토요시츠토무 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: The present invention provides an inductively coupled plasma treating apparatus capable of uniformly performing plasma treatment with respect to a large substrate to be treated by using a metallic window. The inductively coupled plasma treating apparatus, which performs inductively coupled plasma treatment with respect to a rectangular substrate, includes a treatment chamber to receive a substrate; a high-frequency antenna to generate inductively coupled plasma in a region in which the substrate is arranged in the treatment chamber; and a metallic window interposed between a plasma generation region, in which the inductively coupled plasma is generated, and the high-frequency antenna and having a rectangular shape corresponding to the substrate. A metallic window (20) is divided into a first region (201) including a long side (2a) and a second region (202) including a short side (2b) so that the first region (201) is insulated from the second region (202). In addition, the division is achieved in such a manner that the ratio (a/b) of a width (a) of the second region (202) formed radially to a width (B) of the first region (201) formed radially is in the range of 0.8 to 1.2.

Abstract translation: 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置，其能够通过使用金属窗对相对于待处理的大基板进行等离子体处理。 对矩形基板执行电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置包括：接收基板的处理室; 高频天线，其在基板布置在处理室中的区域中产生电感耦合等离子体; 以及插入在其中产生感应耦合等离子体的等离子体产生区域和与基板对应的矩形形状的高频天线之间的金属窗口。 金属窗（20）被分成包括长边（2a）的第一区域（201）和包括短边（2b）的第二区域（202），使得第一区域（201）与第二区域 （202）。 另外，通过使径向形成的第二区域（202）的宽度（a）与径向形成的第一区域（201）的宽度（B）的比（a / b）为 在0.8〜1.2的范围内。

公开(公告)号：KR1020140032465A

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：KR1020140009764

申请日：2014-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  이시다히로시

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: C23C16/45517 ,  C23C16/45546

Abstract: The present invention relates to a batch type processing device capable of processing a plurality of processed objects. The batch type processing device comprises a main chamber; a plurality of stages which is laminated in a length direction of the main chamber and comprises the processed object; a plurality of covers which is positioned for each stage and covers the processed object of the stage; a sealing member which is positioned on the stage; and a plurality of small spaces for processing which surrounds the processed objects of the stages by using the stages and the covers.

Abstract translation: 本发明涉及能够处理多个被处理物体的分批式处理装置。 批式处理装置包括主室; 多个级，其在所述主室的长度方向上层叠，并且包括所述被处理物; 多个盖，其被定位用于每个台阶并且覆盖所述台的被处理物体; 位于台架上的密封件; 以及通过使用台和盖围绕处理的物体的多个处理小空间。

公开(公告)号：KR1020130085962A

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020130002763

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카세이지 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67011 ,  C23C16/45565

Abstract: PURPOSE: A gas supplying head and a substrate processing apparatus are provided to suppress the generation of unnecessary sediments in the unintended region by sufficiently purging inside the gas expansion room. CONSTITUTION: A gas expansion room (101) is a linear shaped container. Multiple gas discharging holes (102) are arranged in a row corresponding to the gas expansion room. The first gas supplying inlet (103) is arranged at one end portion of the gas expansion room and is connected to the gas system which supplies gas within the gas expansion room. A gas exhausting port (104) is arranged at the other end portion of the gas expansion room and is connected to the gas ventilation system which exhausts the gas from the gas expansion room.

Abstract translation: 目的：提供一种供气头和基板处理装置，以通过在气体膨胀室内充分吹扫来抑制在非预期区域中产生不必要沉积物。 构成：气体膨胀室（101）是线状容器。 多个气体排出孔（102）排列成与气体膨胀室对应的排。 第一气体供给口（103）配置在气体膨胀室的一端部，与在气体膨胀室内供给气体的气体系统连接。 气体排出口（104）配置在气体膨胀室的另一端部，与从气体膨胀室排出气体的排气系统连接。

公开(公告)号：KR101104536B1

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：KR1020090059296

申请日：2009-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카세이지 ,  사토요시츠토무

IPC: H05H1/24

Abstract: 본 발명의 과제는 처리실에 형성된 복수의 배기구에 배기의 흐름이 집중하는 것을 방지하여, 처리실내의 배기의 흐름을 균일하게 하는 것이다. 처리실(200)내의 플라즈마 생성 영역과 처리실내를 배기하는 배기 경로 사이를 가로막는 배플부(350)를 마련하고, 배플부는 탑재대(300)의 주위를 둘러싸도록 이격되어 배치된 상류측 배플판과 하류측 배플판으로 이루어지고, 각 배플판에는 각각 플라즈마 생성 영역과 배기 경로를 연통하는 복수의 개구를 형성하고, 하류측 배플판(360)의 개구는 각 배기구(208)로부터 멀어질수록 폭이 커지도록 한 슬릿형상 개구(364)로 했다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是防止废气的流动集中在形成在处理室中的多个排气口，从而使得废气的流动均匀。 室中提供的挡板部350点的块的等离子体产生用于排出区域和200中的处理室和上游侧挡板的挡板部分和下游布置间隔开以包围载置台300的外周的排气路径之间， 侧包括一挡板，每个挡板的形成有多个开口与相应的等离子发生区域和所述排气通道连通的，下游挡板360的开口越大越远的各排气口208，其宽度 成形的开口364形成。

公开(公告)号：KR100623829B1

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020050035562

申请日：2005-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  사토료 ,  사사키가즈오 ,  사이토히토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 본 발명은 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에 있어서 캐소드 전극과 처리 용기의 벽부 사이에서 플라즈마가 발생하는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다. 하부 전극과 처리 용기 사이에 용량 성분을 포함하는 임피던스 조정부를 설치한다. 임피던스 조정부는 상부 전극으로부터 플라즈마, 하부 전극 및 처리 용기의 벽부를 거쳐 정합 회로의 접지 하우징에 이르기까지의 경로의 임피던스값을 상부 전극으로부터 플라즈마 및 처리 용기의 벽부를 거쳐서 상기 정합 회로의 접지 하우징에 이르기까지의 임피던스값보다도 작게 한다. 이로써, 균일성이 높은 플라즈마를 발생시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明的目的在于，抑制平行平板型等离子体处理装置中的阴极电极与处理容器的壁部之间的等离子体的产生。 在下部电极和处理室之间设置包含电容成分的阻抗调整单元。 阻抗调整部是从上部电极的等离子体，下部电极向下通过，并通过该等离子体和处理容器从所述匹配电路的接地壳体的上部电极部导致到接地外壳的路径的阻抗值的处理容器匹配电路壁的壁部 小于阻抗值。 因此，可以产生具有高均匀性的等离子体。