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公开(公告)号：KR1020170103672A
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020170026944
申请日：2017-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01J49/10 , H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32422 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01L21/67069
Abstract: (과제) 라디칼의비활성화를억제하고, 에칭의균일성을도모하는것을목적으로한다. (해결수단) 고주파의에너지에의해가스로부터플라즈마를생성하고, 생성한플라즈마중의라디칼에의해처리용기의내부에서기판을에칭처리하는기판처리장치로서, 상기처리용기의내부에고주파의에너지를공급하는고주파전원과, 상기처리용기의내부에가스를도입하는가스공급원과, 상기기판을탑재하는탑재대와, 상기처리용기의내부에마련되고, 상기처리용기의내부를플라즈마생성공간과기판처리공간으로나누고, 이온의투과를억제하는칸막이판을갖고, 상기처리용기의내벽표면중 적어도상기탑재대보다위의부분과, 상기칸막이판은, 재결합계수가 0.002 이하인유전체로덮여있는기판처리장치가제공된다.
Abstract translation: [问题]抑制自由基的失活并实现蚀刻的均匀性。 一种基片处理装置，用于通过高频能量从气体产生等离子体，并通过所产生的等离子体中的自由基对处理容器内的基片进行蚀刻， 1。一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：高频电源;向所述处理室内导入气体的气体供给源;载置所述基板的载置台;以及设置在所述处理室内的处理室， 其中，载置台和分隔板上的处理容器的内壁面的至少一部分被复合系数为0.002以下的电介质覆盖。
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公开(公告)号：KR1020140134613A
公开(公告)日：2014-11-24
申请号：KR1020140056267
申请日：2014-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 고출력화에의 대응을 용이하게 할 수 있는 고주파 전원을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 제 1 고주파 전원부(65)는 전원 제어부(130)와 고주파 전원(140)과 결합기(150)를 구비하고 있다. 결합기(150)에는, 복수의 증폭부(142)가 병렬 접속되어 있고, 각 증폭부(142)에서 증폭된 고주파 전력을 합성한다. 또, 결합기(150)는 매칭 박스(63)에 접속되어 있고, 결합기(150)에서 합성된 고주파 전력은 매칭 박스(63)를 거쳐 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(31)에 급전된다.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括能够容易地响应高输出的高频电源。 第一高频电源部分（65）包括电源控制部分（130），高频电源（140）和组合器（150）。 多个放大部件（142）并联连接到组合器（150），并且由每个放大部件（142）放大的高频功率被合成。 此外，组合器150连接到匹配盒63，并且由组合器150合成的高频功率通过匹配盒63供给到起到上电极的喷淋头31的作用。
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公开(公告)号：KR101720373B1
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020130066588
申请日：2013-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 장치의구성을간소화할수 있음과아울러, 플라즈마의생성효율의저하를방지할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치(10)는, 챔버(11)와, 상기챔버(11)의내부에배치되어기판 S를탑재하는탑재대(12)와, 챔버(11)의외부에있어서탑재대(12)와대향하도록배치되어고주파전원(26)에접속되는 ICP 안테나(13)와, 탑재대(12) 및 ICP 안테나(13)의사이에개재하는, 도전체로이루어지는창 부재(14)를구비하며, 창부재(14)는복수의분할편(27)으로분할되고, 복수의분할편(27)은서로절연됨과아울러도선(29)이나콘덴서부착된도선(30)으로접속되어폐회로(31)를형성한다.
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公开(公告)号：KR1020170086454A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020170091891
申请日：2017-07-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: (과제) 플라즈마에의한금속창의스패터절삭을억제함과아울러플라즈마의강도의분포조정을가능으로하는유도결합형의플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 기판 G를플라즈마처리하는플라즈마처리장치(100)는, 플라즈마생성영역에유도결합플라즈마를발생시키는고주파안테나(11)와, 플라즈마생성영역과고주파안테나(11)의사이에배치되고, 본체용기와절연된금속창(3)을구비한다. 금속창(3)은, 절연체에의해서로절연된복수의금속창(30a∼30d)을갖고, 이러한금속창(30a∼30d)을각각 1점의접지점에서그라운드접속한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种电感耦合等离子体处理装置，其能够抑制等离子体对金属窗的溅射并且调节等离子体强度的分布。 等离子体处理基板（G）的等离子体处理装置（100）包括用于在等离子体生成区域中生成感应耦合等离子体的高频天线（11），以及高频天线 还有一个容器和一个绝缘金属窗（3）。 金属窗3具有多个由绝缘体绝缘的金属窗30a至30d，金属窗30a至30d在地面的一点接地。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150005450A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：KR1020140078688
申请日：2014-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: (과제) 플라즈마에 의한 금속창의 스패터 절삭을 억제함과 아울러 플라즈마의 강도의 분포 조정을 가능으로 하는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 기판 G를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치(100)는, 플라즈마 생성 영역에 유도 결합 플라즈마를 발생시키는 고주파 안테나(11)와, 플라즈마 생성 영역과 고주파 안테나(11)의 사이에 배치되고, 본체 용기와 절연된 금속창(3)을 구비한다. 금속창(3)은, 절연체에 의해 서로 절연된 복수의 금속창(30a∼30d)을 갖고, 이러한 금속창(30a∼30d)을 각각 1점의 접지점에서 그라운드 접속한다.Abstract translation: 提供一种电感耦合等离子体处理装置，其不仅能够通过等离子体抑制金属窗的飞溅切割，还能够调整等离子体强度的分布。 执行基板G的等离子体处理的等离子体处理装置（100）包括：在等离子体产生区域中产生感应耦合等离子体的高频天线（11） 以及设置在等离子体产生区域和高频天线（11）之间并与主体容器绝缘的金属窗（3）。 金属窗（3）具有由绝缘体相互绝缘的多个金属窗（30a-30d），并使金属窗（30a-30d）分别在每个接地点处接地。
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公开(公告)号：KR102015697B1
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：KR1020170026944
申请日：2017-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01J49/10 , H01L21/683 , H01L21/67
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公开(公告)号：KR102000797B1
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：KR1020140078688
申请日：2014-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
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公开(公告)号：KR101792310B1
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020140056267
申请日：2014-05-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은고출력화에의대응을용이하게할 수있는고주파전원을구비한플라즈마처리장치를제공한다. 제 1 고주파전원부(65)는전원제어부(130)와고주파전원(140)과결합기(150)를구비하고있다. 결합기(150)에는, 복수의증폭부(142)가병렬접속되어있고, 각증폭부(142)에서증폭된고주파전력을합성한다. 또, 결합기(150)는매칭박스(63)에접속되어있고, 결합기(150)에서합성된고주파전력은매칭박스(63)를거쳐상부전극으로서기능하는샤워헤드(31)에급전된다.
Abstract translation: 本发明提供一种配备有高频电源的等离子体处理装置，其能够容易地处理高功率输出。 第一RF电源单元65包括电力控制单元130，RF电源140和组合器150。 多个放大单元142并联连接到组合器150并且在各个放大单元142中组合放大的高频功率。 组合器150连接到匹配盒63.在组合器150中合成的高频功率经由匹配盒63馈送到充当上电极的喷头31。
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公开(公告)号：KR1020130139779A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020130066588
申请日：2013-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H05H1/46
Abstract: A plasma treatment apparatus is provided, which is capable of simplifying the configuration thereof and preventing the deterioration of plasma generation efficiency. The plasma treatment apparatus (10) comprises: a chamber (11); a mount (12) arranged inside the chamber (11) to mount a substrate (S); an ICP antenna (13) arranged to be opposite to the mount (12) outside the chamber (11) and connected to a high-frequency power source (26); and a window member (14) interposed between the mount (12) and the ICP antenna (13) and made up of a conductor, wherein the window member (14) is divided into a plurality of segments (27) and the segments (27) are insulated from each other and connected to a wire (29) or a wire (30) having a condenser attached thereto to form a closed circuit (31).
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其能够简化其构造并且防止等离子体产生效率的劣化。 等离子体处理装置（10）包括：腔室（11）; 布置在所述腔室（11）内部以安装衬底（S）的安装件（12）; ICP天线（13），布置成与腔室（11）外部的安装件（12）相对并连接到高频电源（26）; 以及插入在所述安装件（12）和所述ICP天线（13）之间并由导体构成的窗构件（14），其中所述窗构件（14）被分成多个段（27）和所述段（27） ）彼此绝缘并且连接到具有连接到其上的冷凝器的线（29）或线（30）以形成闭合回路（31）。
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